Effects of Sc2O3 surface passivation on deep level spectra of AlGaN/GaN high electron mobility transistors

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 151, Issue 8, 2004, Pages

  Polyakov, A Y ^a   Smirnov, N B ^a   Govorkov, A V ^a   Danilin, V N ^b   Zhukova, T A ^b   Luo, B ^c   Ren, F ^c   Gila, B P ^c   Onstine, A H ^c   Abernathy, C R ^c   Pearton, S J ^c  

^a INSTITUTE OF RARE METALS   (Russian Federation)

^b Pulsar Scientific and Production Enterprise   (Russian Federation)

^c J Crayton Pruitt Family Department of Biomedical Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

REVERSE BIAS; SOURCE LAYERS; STABILIZING EFFECTS; SURFACE TRAPS;

ACTIVATION ENERGY; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; PASSIVATION; SCANDIUM COMPOUNDS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; SPECTROSCOPY;

HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS;

EID: 4344679427     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1770954     Document Type: Article

References (22)

1. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U. K. Mishra, I. P. Smorchkova, S. Keller, C. Nguyen, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett., 22, 62 (2001).
2. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R., 30, 55 (2000).
3. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett., 79, 3527 (2001).
4. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussos, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 465 (2001).
5. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett., 21, 268 (2000).
6. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abemathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett., 80, 1661 (2002).
7. A. Vertiatchik, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and T. Prunty, Electron. Lett., 38, 388 (2002).
8. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 479 (2001).
9. G. Simin, X. Hu, N. Ilinskaya, A. Kumar, A. Koudymov, J. Zhang, M. Asif Khan, R. Gaska, and M. S. Shur, Electron. Lett., 36, 2043 (2000).
10. E. Kohn, I. Daumiller, P. Schmid, N. X. Nguyen, and C. N. Nguyen, Electron. Lett., 35, 1022 (1999).
11. J.-S. Lee, A. Vescan, A. Wieszt, R. Dietrich, H. Leier, and Y.-S. Kwon, Electron. Lett., 37, 130 (2001).
12. X. Hu, A. Koudymov, G. Simin, I. Yang, M. Asif Khan, A. Tarakji, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 79, 2832 (2001).
13. N. X. Nguyen, C. Nguyen, and D. E. Glider, Electron, Lett., 35, 1356 (1999).
14. I. Daumiller, C. Kirchner, M. Kamp, K. J. Ebeling, and E. Kohn, IEEE Electron Device Lett., 20, 448 (1999).
15. A. Tarakji, G. Simin, N. Ilinskaya, X. Hu, A. Kumar, A. Koudymov, J. Yang, M. Asif Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 78, 2169 (2001).
16. B. Luo, J. W. Johnson, F. Ren, K. K. Allums, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. Dwivedi, T. N. Fogarty, R. Wilkins, A. M. Dabiran, A. M. Wowchack, C. J. Polley, P. P. Chow, and A. G. Baca, Appl. Phys. Lett., 79, 2196 (2001).
17. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater., 32, 388 (2003).
18. J. K. Gillespie, R. C. Fitch, J. Sewell, R. Dettmer, G. D. Via, A. Crespo, T. J. Jenkins, B. Luo, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, and S. J. Pearton, IEEE Electron Device Lett., 23, 505 (2002).
19. A. Y. Polyakov, N. B. Smimov, A. V. Govorkov, M. Shin, M. Skowronski, and D. W. Greve, J. Appl. Phys., 84, 870 (1998).
20. A. Y. Polyakov, N. B. Smimov, A. S. Usikov, A. V. Govorkov, and B. V. Pushniy, Solid-State Electron., 42, 1959 (1998).
21. A. Y. Polyaov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, and J. M. Redwing, Solid-State Electron., 42, 831 (1998).
22. L. S. Berman, Purity control of semiconductors by the method of capacitance transient spectroscopy (St. Petersburg, Electronic Integral Systems, 1995).