Rutile films grown by molecular beam epitaxy on GaN and AlGaN/GaN

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 23, Issue 2, 2005, Pages 499-506

  Hansen, P J ^a   Vaithyanathan, V ^b   Wu, Y ^a   Mates, T ^a   Heikman, S ^a   Mishra, U K ^a   York, R A ^a   Schlom, D G ^b   Speck, J S ^a  

^a University of California   (United States)

^b PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

RUTILE STRUCTURES; VALENCE BAND;

FIELD EFFECT TRANSISTORS; HETEROJUNCTIONS; LEAKAGE CURRENTS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; X RAY DIFFRACTION ANALYSIS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 31144431567     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1868672     Document Type: Conference Paper

References (42)

1. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, 1850 (1996).
2. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Cryst. Growth 189-190, 706 (1998).
3. S. Arulkumaran, T. Egawa, H. Ishikawa, T. Jimbo, and M. Umeno, Appl. Phys. Lett. 73, 809 (1998).
4. M. A. Khan, X. Hu, G. Sumin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
5. M. A. Khan, X. Hu, A. Tarakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
6. G. Simin, A. Tarakji, X. Hu, A. Koudymov, J. Yang, M. A. Khan, M. S. Shur, and R. Gaska, Phys. Status Solidi A 188, 219 (2001).
7. P. Chen, W. Wang, S. J. Chua, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 79, 3530 (2001).
8. N.-Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang, and T. P. Ma, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet. 2001, 25.5.1-4 (2001).
9. S. C. Binari, K. Doverspike, G. Kelner, H. B. Dietrich, and A. E. Wickenden, Solid-State Electron. 41, 177 (1997).
10. E. Alekseev, A. Eisenbach, and D. Pavlidis, Electron. Lett. 35, 2145 (1999).
11. F. Ren, C. R. Abernathy, J. D. Mackenzie, B. P. Gila, S. J. Pearton, M. Hong, M. A. Marcus, M. J. Schurman, A. G. Baca, and R. J. Shul, Solid-State Electron. 42, 2177 (1998).
12. T. Hashizume, E. Alekseev, D. Pavlidis, K. S. Boutros, and J. Redwing, J. Appl. Phys. 88, 1983 (2000).
13. F. Ren, M. Hong, S. N. G. Chu, M. A. Marcus, M. J. Schuman, A. Baca, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 73, 3893 (1998).
14. J. W. Johnson, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, W. Krishnamoorthy, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, J. I. Chyi, T. E. Nee, C. M. Lee, and C. C. Chuo, Appl. Phys. Lett. 77, 3230 (2000).
15. B. P. Gila, J. W. Johnson, R. Mehandru, B. Luo, A. H. Onstine, K. K. Allums, V. Krishnamoorthy, S. Bates, C. R. Abernathy, F. Ren, and S. J. Pearton, Phys. Status Solidi A 188, 239 (2001).
16. L. W. Tu, W. C. Kuo, K. H. Lee, P. H. Tsao, C. M. Lai, A. K. Chu, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett. 77, 3788 (2000).
17. H. Kim, S.-J. Park, and H. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 579 (2001).
18. B. Gaffey, L. J. Guido, X. W. Wang, and T. P. Ma, IEEE Trans. Electron Devices 48, 458 (2001).
19. S. A. Campbell, H.-S. Kim, D. C. Gilmer, B. He, T. Ma, and W. L. Gladfelter, IBM J. Res. Dev. 43, 383 (1999).
20. Z. J. Luo, X. Guo, T. P. Ma, and T. Tamagawa, Appl. Phys. Lett. 79, 2803 (2001).
21. K. Vydianathan, G. Nuesca, B. Peterson, E. T. Eisenbraun, A. E. Kaloyeros, J. J. Sullivan, and B. Han, J. Mater. Res. 16, 1838 (2001).
22. Y. H. Lee, K. K. Chan, and M. J. Brady, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 596 (1995).
23. S. Chen, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2419 (1993).
24. Y. Gao, S. Thevuthasan, D. E. McCready, and M. Engelhard, J. Cryst. Growth 212, 178 (1990).
25. H. Fukada, S. Namioka, M. Miura, Y. Ishikawa, M. Yoshino, and S. Nomura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 6034 (1999).
26. X. H. Xu, M. Wang, Y. Hou, S. R. Zhao, H. Wang, D. Wang, and S. X. Shang, Cryst. Res. Technol. 37, 431 (2002).
27. E. K. Kim, J. H. Son, S.-Ki Min, Y. K. Han, and S. S. Yom, J. Cryst. Growth 170, 803 (1997).
28. M. E. Tobar, J. Krupka, E. N. Ivanov, and R. A. Woode, J. Appl. Phys. 83, 1604 (1998).
29. L. Shen, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001).
30. S. Heikman, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 1 (2002).
31. C. D. Theis and D. G. Schlom, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2677 (1996).
32. J. Lettieri, J. Rodriguez-Contreras, V. Vaithyanathan, L. F. Edge, and D. G. Schlom (unpublished).
33. E. A. Kraut, R. W. Grant, J. R. Waldrop, and S. P. Kawalczyk, Phys. Rev. Lett. 44, 1620 (1980).
34. D. G. Schlom and J. H. Haeni, MRS Bull. 27, 198 (2002).
35. H. Tang, K. Prasad, R. Sanhiǹs, P. E. Schmid, and F. Ĺvy, J. Appl. Phys. 75, 2042 (1994).
36. J. R. Waldrop, R. W. Grant, S. P. Kowalczyk, and E. A. Kraut, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 835 (1985).
37. A. C. Tuan, T. C. Kasepar, T. Droubay, J. W. Rogers, Jr., and S. A. Chambers, Appl. Phys. Lett. 83, 3734 (2003).
38. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
39. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
40. G. Martin, S. Strite, A. Botchkarev, A. Agarwal, A. Rockett, H. Morkoc, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Appl. Phys. Lett. 65, 610 (1994).
41. M. Kočan, A. Rizzi, H. Lüth, S. Keller, and U. K. Mishra, Phys. Status Solidi B 234, 773 (2002).
42. S. Heikman, S. Keller, Y. Wu, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 93, 10114 (2003).