Polarization effects in AlGaN/GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructures

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 12, 2003, Pages 10114-10118

  Helkman, Sten ^a   Keller, Stacia ^a   Wu, Yuan ^a   Speck, James S ^a   DenBaars, Steven P ^a   Mishra, Umesh K ^a  

^a University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CARRIER CONCENTRATION; COMPUTER SIMULATION; FERMI LEVEL; GALLIUM NITRIDE; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; POLARIZATION; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS;

BAND DIAGRAMS;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0038819585     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1577222     Document Type: Article

References (29)

1. N. Q. Zhang, B. Moran, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, X. W. Wang, and T. P. Ma, Phys. Status Solidi A 188, 213 (2001).
2. J. R. Shealy, V. Kaper, V. Tilak, T. Prunty, I. A. Smart, B. Green, and L. F. Eastman, J. Phys.: Condens. Matter 14, 3499 (2002).
3. O. Ambacher et al., J. Appl. Phys. 87, 334 (2000).
4. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
5. L. Hsu and W. Walukiewicz, Appl. Phys. Lett. 74, 2405 (1999).
6. M. S. Shur, A. D. Bykhovski, and R. Gaska, Solid-State Electron. 44, 205 (2000).
7. S. Hackenbuchner, J. A. Majewski, G. Zandler, and P. Vogl, J. Cryst. Growth 230, 607 (2001).
8. A. Link, O. Ambacher, I. P. Smorchkoya, U. K. Mishra, J. S. Speck, and M. Stutzmann, Mater. Sci. Forum 353, 787 (2000).
9. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 74, 3681 (1999).
10. K. Kumakura and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 38, L1012 (1999).
11. s. Heikman, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 81, 439 (2002).
12. G. L. Snider (ID Poisson/Schrödinger: A Band Diagram Calculator, University of Notre Dame, 1996).
13. G. Martin, S. Suite, A. Botchkarev, A. Agarwal, A. Rockett, H. Morkoç, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Appl. Phys. Lett. 65, 610 (1994).
14. G. Martin, A. Botchkarev, A. Rockett, and H. Morkoç, Appl. Phys, Lett. 68, 2541 (1996).
15. S. N. Mohammad and H. Morkoç, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
16. V. W. L. Chin, T. L. Tansley, and T. Osotchan, J. Appl. Phys. 75, 7365 (1994).
17. B. Jogai, J. Appl. Phys. 91, 3721 (2002).
18. I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, B. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
19. C. R. Elsass et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 40, 6235 (2001).
20. G. Koley and M. G. Spencer, J. Appl. Phys. 90, 337 (2001).
21. H. W. Jang, C. M. Jeon, K. H. Kim, J. K. Kim, S. B. Bae, J. H. Lee, J. W. Choi, and J. L. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 1249 (2002).
22. I. P. Smorchkova, L. Chen, T. Mates, L. Shen, S. Heikman, B. Moran, S. Keller, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 90, 5196 (2001).
23. T. Hashizume, S. Ootomo, S. Oyama, M. Konishi, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1675 (2001).
24. A. Rizzi and H. Lüth, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 75, 69 (2002).
25. A. Rizzi, Appl. Surf. Sci. 190, 311 (2002).
26. M. Kočan, A. Rizzi, H. Lüth, S. Keller, and U. K. Mishra, Phys. Status Solidi B 234, 773 (2002).
27. V. Fiorentini, F. Bernardini, and O. Ambacher, Appl. Phys. Lett 80, 1204 (2002).
28. E. J. Miller, E. T. Yu, C. Poblenz, C. Elsass, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 80, 3551 (2002).
29. R. Neuberger, G. Müller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Phys. Status Solidi A 185, 85 (2001).