Solution-based fabrication of high-κ gate dielectrics for next-generation metal-oxide semiconductor transistors

Advanced Materials

Volumn 16, Issue 2, 2004, Pages 118-123

  Aoki, Yoshitaka ^a   Kunitake, Toyoki ^a  

^a Japan Science and Technology Agency   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATOMS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COMPOSITE MATERIALS; DIELECTRIC MATERIALS; MOSFET DEVICES; OXIDES; PERMITTIVITY; SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE; SOL-GELS; SOLUTIONS; THICKNESS CONTROL; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

ATOMIC LAYER CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; BINARY OXIDE COMPOSITES; HYDROUS OXIDES; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTORS; METAL OXIE ULTRATHIN FILMS; SOLUTION BASED FABRICATION;

ULTRATHIN FILMS;

EID: 1142281173     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200305731     Document Type: Article

References (43)

1. L. Pfitzner, P. A. Kücher, Mater. Sci. Semicond. Process. 2002, 5, 321.
2. A. I. Kingon, J.-P. Maria, S. K. Streiffer, Nature 2000, 406, 1032.
3. G. D. Wilk, R. M. Wallance, J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 2001, 89, 5243.
4. J. D. Plummer, P. B. Griffin, Proc. IEEE 2001, 89, 240.
5. R. M. Wallence, G. D. Wilk, MRS Bull. 2002, 27, 192.
6. P. W. Peacock, J. Robertson, J. Appl. Phys. 2002, 92, 4712.
7. D. G. Schlom, J. H. Haeni, MRS Bull. 2002, 27, 198.
8. a) W. J. Zhu, T. Tamagawa, M. Gibson, T. Furukawa, T. P. Ma, IEEE Electron Device Lett. 2002, 23, 649.
9. b) M. S. Joo, B. J. Cho, C. C. Yeo, N. Wu, H. Yu, C. Zhu, M. F. Li, D.-L. Kwong, N. Balasibramanian, Jpn. J. Appl. Phys. Part 2 2003, 42, L220.
10. c) M.-H. Cho, Y. S. Roh, C. N. Whang, K. Jeong, H. J. Choi, S. W. Nam, D.-H. Ko, J. H. Lee, N. I. Lee, K. Fujihara, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 1071.
11. d) H. S. Chang, S. Jeon, H. Hwang, D. W. Moon, Appl. Phys. Lett. 2002, 80, 3385.
12. e) S. Jeon, H. Yang, D.-G. Park, H. Hwang, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 2002, 41, 2390.
13. a) M. Leskelä, M. Ritala, Thin Solid Films 2002, 409, 138.
14. b) M. Ritala, M. Kukli, A. Rahtu, P. I. Rälsänen, M. Leskelä, T. Sajavaara, J. Keinonen, Science 2000, 288, 319.
15. a) J. F. Conley, Jr., Y. Ono, D. J. Tweet, W. Zhaung, R. Solanki, J. Appl. Phys. 2003, 93, 712.
16. b) M. Nieminen, M. Putkonen, L. Niinistö, Appl. Surf. Sci. 2001, 174, 155.
17. c) Y. Kim, J. Koo, J. Han, S. Choi, H. Jeon, C.-G. Park, J. Appl. Phys. 2002, 92, 5443.
18. I. Ichinose, H. Senzu, T. Kunitake, Chem. Mater. 1997, 9, 1296.
19. I. Ichinose, H. Senzu, T. Kunitake, Chem. Lett. 1996, 831.
20. I. Ichinose, T. Kawakami, T. Kunitake, Adv. Mater. 1998, 10, 535.
21. J. Sun, I. Ichinose, R. Takaki, A. Nakao, T. Kunitake, Chem. Lett. 2002, 742.
22. M. Fang, C. H. Kim, B. R. Martin, T. E. Mallouk, J. Nanopart. Res. 1999, 1, 43.
23. J. Huang, I. Ichinose, T. Kunitake, A. Nakao, Nano Lett. 2002, 2, 669.
24. a) Z. J. Luo, X. Guo, T. P. Ma, T. Tamagawa, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2803.
25. b) H.-S. Kim, S. A. Campbell, D. C. Gilmer, IEEE Electron Device Lett. 1997, 18, 465.
26. c) J. Yan, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, P. C. Schmid, J. Vac. Sci. Technol. B 1996, 14, 1706.
27. a) C. M. Perkins, B. B. Triplett, P. C. McIntyre, K. C. Saraswat, S. Haukka, M. Touminen, Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 2357.
28. b) K. Kukli, M. Ritala, J. Aarik, T. Uustare, M. Leskelä, J. Appl. Phys. 2002, 92, 1833.
29. N. Bonanos, B. C. H. Steele, E. P. Butler, Impedance Spectroscopy (Ed: J. R. Macdonald), John Wiley & Sons, New York 1987, Ch. 4.
30. a) R. F. Cava, W. F. Peck, Jr., J. J. Krajewski, Nature 1995, 377, 215.
31. b) K. Kukli, J. Ihanus, M. Ritala, M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 300.
32. b) K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, J. Electrochem. Soc. 1997, 144, 300.
33. c) K. Kukli, M. Ritala, M. Leskelä, J. Appl. Phys. 1999, 86, 5656.
34. d) H. Fujikawa, Y. Taga, J. Appl. Phys. 1994, 75, 2538.
35. K. Natori, D. Otani, N. Sano, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 632.
36. C. S. Chang, T. B. Wu, W. C. Shin, L. L. Chao, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1999, 38, 6812.
37. a) R. G. Van Dover, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 3041.
38. b) H. Lee, S. Jeon, H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 2615.
39. R. L. Nigro, R. G. Toro, G. Malandrino, V. Ratineri, I. L. Fragalà, Adv. Mater. 2003, 15, 1071.
40. H. Zhang, R. Solanki, B. Roberds, G. Bai, I. Banerjee, J. Appl. Phys. 2000, 87, 1921.
41. a) C. J. Taylor, D. C. Glimer, D. G. Colombo, G. D. Wilk, S. A. Campbell, J. Roberts, W. L. Gladfelter, J. Am. Chem. Soc. 1999, 121, 5222.
42. b) D. C. Gilmer, D. G. Colombo, C. J. Taylor, J. Roberts, G. Haugstad, S. A. Campbell, H.-S. Kim, G. D. Wilk, M. A. Gribelyuk, W. L. Gladfelter, Chem. Vap. Deposition 1998, 4, 9.
43. A. Cappellani, J. K. Keddie, N. P. Barradas, S. M. Lackson, Solid-State Electron. 1999, 43, 1095.