Dependence of chemical composition ratio on electrical properties of HfO2-Al2O3 gate dielectric

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2: Letters

Volumn 42, Issue 3 A, 2003, Pages

  Joo, Moon Sig ^a   Cho, Byung Jin ^a   Yeo, Chia Ching ^a   Wu, Nan ^a   Yu, Hongyu ^a   Zhu, Chunxiang ^a   Li, Ming Fui ^a   Kwong, Dim Lee ^b   Balasubramanian, Narayanan ^c  

^a NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE   (Singapore)

^b The University of Texas at Austin   (United States)

^c INSTITUTE OF MICROELECTRONICS   (Singapore)

Author keywords

ALCVD; Hafnium alloy; Hafnium oxide; High K; Thermal stability

Indexed keywords

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; COMPOSITION; HAFNIUM ALLOYS; LEAKAGE CURRENTS; OPTIMIZATION; PERMITTIVITY; THERMODYNAMIC STABILITY;

GATE DIELECTRIC; HAFNIUM OXIDE;

DIELECTRIC FILMS;

EID: 0037723011     PISSN: 00214922     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/jjap.42.l220     Document Type: Letter

References (14)

1. Y. Harada, M. Niwa, S. Lee and D. L. Kwong: 2002 Symp. VLSI Tech. Dig. (IEEE, Honolulu, 2002) p. 26.
2. S. J. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, C. H. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts and D. L. Kwong: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2000 (IEEE, San Francisco, 2000) p. 31.
3. S. J. Lee, C. H. Lee, C. H. Choi and D. L. Kwong: 40th Annual Int. Reliability Physics Symp. (IEEE, Dallas, 2002) p. 409.
4. W. Zhu, T. P. Ma, T. Tamagawa and Y. Di: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2001 (IEEE, Washington, 2001) p. 463.
5. H. Y. Yu, M. F. Li, B. J. Cho, C. C. Yeo, M. S. Joo, D. L. Kwong, J. S. Oan, C. H. Ang, J. Z. Zheng and S. Ramanathan: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 376.
6. J. H. Lee, Y. S. Kim, H. S. Jung, J. H. Lee, N. I. Lee, H. K. Kang, J. H. Ku, H. S. Kang, Y. K. Kim, K. H. Cho and K. P. Suh: 2002 Symp. VLSI Tech. Dig. (IEEE, Honolulu, 2002) p. 84.
7. G. D. Wilk, M. L. Green, M.-Y. Ho, B. W. Busch, T. W. Sorsch, F. P. Klemens, B. Brijs, R. B. van Dover, A. Kornblit, T. Gustafsson, E. Garfunkel, S. Hillenius, D. Monroe, P. Kalavade and J. M. Hergenrother: 2002 Symp. VLSI Tech. Dig. (IEEE, Honolulu, 2002) p. 88.
8. J. H. Lee, K. Koh, N. I. Lee, M. H. Cho, Y. K. Kim, J. S. Jeon, K. H. Cho, H. S. Shin, M. H. Kim, K. Fujihara, H. K. Kang and J. T. Moon: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2000 (IEEE, San Francisco, 2000) p. 645.
9. E. P. Gusev, M. Copel, E. Cartier, I. J. R. Baumvol, C. Krug and M. A. Gribelyuk: Appl. Phys. Lett. 76 (2000) 176.
10. C. A. Richter, A. R. Hefner and E. M. Vogel: IEEE Electron Device Lett. 22 (2001) 35.
11. E. P. Gusev, D. A. Buchanan, E. Cartier, and A. Kumar, D. Dimaria, S. Guha, A. Callegari, S. Zafar, P. C. Jamison, D. A. Neumayer, M. Copel, M. A. Gribelyuk, H. Okorn-Schmidt, C. D'Emic, P. Kozlowski, K. Chan, N. Bojarczuk, L-A. Ragnarsson, P. Ronsheim, K. Rim, R. J. Fleming, A. Mocuta and A. Ajmera: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 2001 (IEEE, Washington, 2001) p. 451.
12. D. C. Gilmer, R. Hegde, R. Cotton, R. Garcia, V. Dhandapani, D. Triyoso, D. Roan, A. Franke, R. Rai, L. Prabhu, C. Hobbs, J. M. Grant, L. La, S. Samavedam, B. Taylor, H. Tseng and P. Tobin: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1288.
13. W. Tsai, J. Chen, R. Carter, E. Cartier, J. Kluth, O. Richard, M. Claes, Y. M. Lin, H. Nohira, T. Conard, M. Caymax, E. Young, W. Vandervorst, S. DeGendt, M. Heyns, Y. Manabe, J. W. Maes, Z. M. Rittersma, W. Besling and F. Roozeboom: Electrochemical Society Proc. 2002-2 (The Electrochemical Society, Philadelphia, 2002) p. 747.
14. A. R. Londergan, S. Ramanathan, K. Vu, S. Rassiga, R. Hiznay, J. Winkler, H. Velasco, L. Matthysse, T. E. Seidel, C. H. Ang, H. Y. Yu, and M. F. Li: submitted to J. Electrochem. Soc.