Low Temperature CVD of Crystalline Titanium Dioxide Films Using Tetranitratotitanium(IV)

Chemical Vapor Deposition

Volumn 4, Issue 1, 1998, Pages 9-11

  Gilmer, David C ^a   Colombo, Daniel G ^a   Taylor, Charles J ^a   Roberts, Jeff ^a   Haugstad, Greg ^a   Campbell, Stephen A ^b   Kim, Hyeon Seag ^b   Wilk, Glen D ^c   Gribelyuk, Michael A ^c   Gladfelter, Wayne L ^a  

^a University of Minnesota ^*  (United States)

^b UNIVERSITY OF MINNESOTA   (United States)

^c TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CAPACITORS; CRYSTALLINE MATERIALS; MICROELECTRONICS; MORPHOLOGY; PERMITTIVITY; TITANIUM DIOXIDE; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (LPCVD);

CHEMICAL VAPOR DEPOSITION;

EID: 0031699079     PISSN: 09481907     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/(sici)1521-3862(199801)04:01<9::aid-cvde9>3.3.co;2-v     Document Type: Article

References (37)

1. B. Brar, G. D. Wilk, A. C. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 2728.
2. S.-O. Kim, H. J. Kim, J. Vac. Sci. Technol. B 1994, 12, 3006.
3. S. A. Campbell, D. C. Gilmer, X.-C. Wang, M.-T. Hsieh, H.-S. Kim, W. L. Gladfelter, J. Yan, IEEE Trans. Electron Devices 1997, 44, 104.
4. H.-S. Kim, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, D. L. Polla, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 3860.
5. J. Yan, D. C. Gilmer, S. A. Campbell, W. L. Gladfelter, P. G. Schmid, J. Vac. Sci. Technol. B 1996, 14, 1706.
6. G. Hass, Vacuum 1952, 2, 331.
7. A. E. Feuersanger, Proc. IEEE 1964, 52, 1463.
8. R. N. Ghoshtagore, A. J. Norieka, J. Electrochem. Soc. 1970, 117, 1310.
9. R. N. Ghoshtagore, J. Electrochem. Soc. 1970, 117, 529.
10. E. T. Fitzgibbons, K. J. Sladek, W. H. Hartwig, J. Electrochem. Soc. 1972, 119, 735.
11. M. Balog, M. Schieber, S. Patai, M. Michman, J. Cryst. Growth 1972, 17, 298.
12. Y. Takahashi, K. Tsuda, K. Sugiyama, H. Minoura, D. Makino, M. Tsuiki, J. Chem. Soc., Faraday Trans. 1 1981, 77, 1051.
13. T. Fuyuki, H. Matsunami, Jpn. J. Appl. Phys. 1986, 25, 1288.
14. T. Fuyuki, T. Kobayashi, H. Matsnami, J. Electrochem. Soc. 1988, 135, 248.
15. K. L. Siefering, G. L. Griffin, J. Electrochem. Soc 1990, 137, 814.
16. K. L. Siefering, G. L. Griffin, J. Electrochem. Soc. 1990, 137, 1206.
17. K. Kamata, K. Maruyama, S. Amano, H. Fukazawa, J. Mater. Sci. Lett. 1990, 9, 316.
18. J. Lu, R. Raj, J. Mater. Res. 1991, 6, 1913.
19. H. L. M. Chang, H. You, J. Guo, D. J. Lam, Appl. Surf. Sci. 1991, 48/ 49, 12.
20. E.-L. Lakomaa, S. Haukka, T. Suntola, Appl. Surf. Sci. 1992, 60/61, 742.
21. T. Won, S. Yoon, H. Kim, J. Electrochem. Soc. 1992, 139, 3284.
22. H. L. M. Chang, H. You, Y. Gao, J. Guo, C. M. Foster, R. P. Chiarello, T. J. Zhang, D. J. Lam, J. Mater. Res. 1992, 7, 2495.
23. M. Ritala, M. Leskelä, L. Niinistö, P. Haussalo, Chem. Mater. 1993, 5, 1174.
24. Y. Wu, D. C. Bradley, R. M. Nix, Appl. Surf. Sci. 1993, 64, 21.
25. M. Ritala, M. Leskelä, E. Nykänen, P. Soininen, L. Niinistö, Thin Solid Films 1993, 225, 288.
26. N. Rausch, E. P. Burte, J. Electrochem. Soc. 1993, 140, 145.
27. S. Chen, M. G. Masen, H. J. Gysling, G. R. Paz-Pujalt, T. N. Blanton, T. Castro, K. M. Chen, C. P. Fictorie, W. L. Gladfelter, A. Franciosi, P. I. Cohen, J. F. Evans, J. Vac. Sci. Technol. A 1993, 11, 2419.
28. H. L. M. Chang, T. J. Zhang, H. Zhang, J. Guo, H. K. Kim, D. J. Lam, J. Mater. Res. 1993, 8, 2634.
29. Y. S. Yoon, W. N. Kang, S. S. Yom, T. W. Kim, M. Jung, T. H. Park, K. Y. Seo, J. Y. Lee, Thin Solid Films 1994, 238, 12.
30. T. W. Kim, M. Jung, H. J. Kim, T. H. Park, Y. S. Yoon, W. N. Kang, S. S. Yom, H. K. Na, Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1407.
31. C. P. Fictore, J. F. Evans, W. L. Gladfelter, J. Vac. Sci. Technol. A 1994, 12, 1108.
32. J. Aarik, A. Aidla, T. Uustare, V. Sammelselg, J. Cryst. Growth 1995, 148, 268
33. V. A. Versteeg, T. C. Avedisian, R. Raj, J. Am. Ceram. Soc. 1995, 78, 2763.
34. M. Schmeisser, Angew. Chem. 1955, 67, 493.
35. C. C. Addison, Chem. Rev. 1980, 80, 21.
36. B. O. Field, C. J. Hardy, J. Chem. Soc. 1963, 5278
37. C. D. Garner, S. C. Wallwork, J. Chem. Soc. A 1966, 1496.