Interface control and modification of band alignment and electrical properties of HfTiO/GaAs gate stacks by nitrogen incorporation

Journal of Materials Chemistry C

Volumn 2, Issue 27, 2014, Pages 5299-5308

  He, Gang ^a,c   Liu, Jiangwei ^b   Chen, Hanshuang ^a   Liu, Yanmei ^a   Sun, Zhaoqi ^a   Chen, Xiaoshuang ^c   Liu, Mao ^d   Zhang, Lide ^d  

^a ANHUI UNIVERSITY   (China)

^b NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

^c SHANGHAI INSTITUTE OF TECHNICAL PHYSICS   (China)

^d INSTITUTE OF SOLID STATE PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALIGNMENT; DIELECTRIC DEVICES; ELECTRIC PROPERTIES; GALLIUM ARSENIDE; GATE DIELECTRICS; HETEROJUNCTIONS; INTERFACES (MATERIALS); LOGIC GATES; MOS CAPACITORS; NITROGEN; PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY; REFRACTIVE INDEX; SEMICONDUCTING GALLIUM;

ELECTRICAL MEASUREMENT; HIGH-K GATE DIELECTRICS; INTERFACE STATE DENSITY; LARGE DIELECTRIC CONSTANT; METAL OXIDE SEMICONDUCTOR; SPECTROSCOPY ELLIPSOMETRIES; STACKED GATE DIELECTRICS; X RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY;

INTERFACE STATES;

EID: 84902972622     PISSN: 20507534     EISSN: 20507526     Source Type: Journal    
DOI: 10.1039/c4tc00572d     Document Type: Article

References (49)

1. T. Hoshii S. H. Lee R. Suzuki N. Taoka M. Yokoyama H. Yamada M. Hta T. Yasuda M. Takenaka S. Takagi J. Appl. Phys. 2012 112 073702
2. S. Y. Lee H. K. Kim J. H. Lee I. H. Yu J. H. Lee C. S. Hwang J. Mater. Chem. C 2014 2 2558
3. C. Mahata Y. C. Byun C. H. An S. Choi Y. An H. Kim ACS Appl. Mater. Interfaces 2013 5 4195
4. D. Shahrjerdi D. I. Garcia-Gutierrrez E. Tatuc S. K. Banerjee Appl. Phys. Lett. 2008 92 223501
5. G. He X. S. Chen J. G. Lv H. S. Chen B. Deng Z. Q. Sun Sci. Adv. Mater. 2013 5 1410
6. G. He B. Deng H. S. Chen X. S. Chen J. G. Lv Y. Q. Ma Z. Q. Sun APL Mater. 2013 1 012104
7. H. L. Lu X. L. Wang M. Sugiyama Y. Shimogaki Appl. Phys. Lett. 2009 95 212102
8. J. Robertson Appl. Phys. Lett. 2009 94 152104
9. C. L. Hinkle M. Milojevic B. Brennan A. M. Sonnet F. S. Aguirre-Tostado G. J. Hughes E. M. Vogel R. M. Wallace Appl. Phys. Lett. 2009 94 162101
10. G. He L. D. Zhang M. Liu Z. Q. Sun Appl. Phys. Lett. 2010 97 062908
11. G. He L. D. Zhang M. Liu Appl. Phys. Lett. 2009 95 112905
12. S. Koveshnikov W. Tasi I. Ok J. C. Lee V. Torkanov M. Yakimov S. Oktyabrsky Appl. Phys. Lett. 2006 88 022106
13. H. L. Lu L. Sun S. J. Ding M. Xu D. W. Zhang L. K. Wang Appl. Phys. Lett. 2006 89 152910
14. G. K. Dalapati C. K. Chia C. C. Tan H. R. Tan S. Y. Chiam J. R. Dong A. Das S. Chattopadhyay C. Mahata C. K. Maiti D. Z. Chi ACS Appl. Mater. Interfaces 2013 5 949
15. T. Moriizumi K. Takahashi Jpn. J. Appl. Phys. 1969 8 348
16. H. C. Lin W. E. Wang G. Brammertz M. Meuris M. Heyns Microelectron. Eng. 2009 86 1554
17. H. Zhao J. H. Yum Y. T. Chen J. C. Lee J. Vac. Sci. Technol., B: Microelectron. Nanometer Struct. 2009 27 2024
18. Y. S. Kang D. K. Kim K. S. Jeong M. H. Cho C. Y. Kim K. B. Chung D. C. Kim ACS Appl. Mater. Interfaces 2013 5 1982
19. G. He X. S. Chen Z. Q. Sun Surf. Sci. Rep. 2013 68 68
20. M. Seo S. K. Kim Y. S. Min C. S. Hwang J. Mater. Chem. 2011 21 18497
21. G. He Z. Q. Sun Y. Q. Ma M. Z. Wu Y. M. Liu S. W. Shi G. Li X. S. Chen L. D. Zhang Z. B. Fang Semicond. Sci. Technol. 2011 26 105019
22. L. S. Wang J. P. Xu S. Y. Zhu P. T. Lai Appl. Phys. Lett. 2013 103 092901
23. X. Wang X. Q. Cao L. Bourgeois H. Guan S. M. Chen Y. T. Zhong D. M. Tang H. Q. Li T. Y. Zhai L. Li Y. Bando D. Golberg Adv. Funct. Mater. 2012 22 2682
24. X. Wang Q. H. Weng X. Z. Liu X. B. Wang D. M. Tang W. Tian C. Zhang D. Q. Liu Y. Bando D. Golberg Nano Lett. 2014 14 1164
25. F. Ji J. P. Xu P. T. Lai C. X. Li J. G. Guan Appl. Phys. Lett. 2007 91 052902
26. L. M. Lin P. T. Lai J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2008 19 894
27. M. Liu X. J. Wang Y. Y. Luo H. M. Wang S. H. Kang L. D. Zhang Q. Fang J. Appl. Phys. 2011 110 024110
28. H. S. Kim I. Ok M. Zhang C. Choi T. Lee F. Zhu G. Thareja L. Yu J. C. Lee Appl. Phys. Lett. 2006 88 252906
29. G. He G. W. Meng L. D. Zhang M. Liu Appl. Phys. Lett. 2007 91 232910
30. Y. Baba T. A. Sasaki I. Takano J. Vac. Sci. Technol., A 1988 6 2945
31. G. He M. Liu L. Q. Zhu M. Chang Q. Fang L. D. Zhang Surf. Sci. 2005 576 67
32. C. Ye H. Wang J. Zhang Y. Ye Y. Wang B. Y. Wang Y. C. Jin J. Appl. Phys. 2010 107 104103
33. G. He Q. Fang G. H. Li L. D. Zhang J. Phys. D: Appl. Phys. 2008 41 045304
34. C. V. Ramana G. Baghmar E. J. Rubio M. J. Hernandez ACS Appl. Mater. Interfaces 2013 5 4659
35. G. He L. D. Zhang G. H. Li M. Liu L. Q. Zhu S. S. Pan Q. Fang Appl. Phys. Lett. 2005 86 232901
36. D. Mergel D. Buschendorf S. Eggert R. Grammes B. Samset Thin Solid Films 2000 371 218
37. G. He L. D. Zhang G. W. Meng G. H. Li G. T. Fei X. J. Wang J. P. Zhang M. Liu Q. Fang I. W. Boyd J. Appl. Phys. 2008 104 104116
38. X. J. Wang L. D. Zhang M. Liu J. P. Zhang G. He Appl. Phys. Lett. 2008 92 122901
39. E. A. Kraut R. W. Grant J. R. Waldrop S. P. Kowalczyk Phys. Rev. Lett. 1980 44 1620
40. H. Y. Yu M. F. Li B. J. Cho C. C. Yeo M. S. Joo D. L. Kwong J. S. Pan C. H. Ang J. Z. Zheng S. Ramanathan Appl. Phys. Lett. 2002 81 376
41. H. J. Osten J. P. Liu H. J. Mussing Appl. Phys. Lett. 2000 80 297
42. J. Robertson B. Falabretti J. Appl. Phys. 2006 100 014111
43. T. Yang Y. Xuan D. Zemlyanov T. Shen Y. Q. Wu J. M. Woodall P. D. Ye F. S. Aguirre-Tostado M. Milojevic S. McDonnell R. M. Wallace Appl. Phys. Lett. 2007 91 142122
44. J. P. Xu F. Ji C. X. Li P. T. Lai J. G. Guan Y. R. Liu Appl. Phys. Lett. 2007 91 152905
45. R. Engel-Herbert Y. Hwang S. Stemmer J. Appl. Phys. 2010 108 124101
46. F. Ji J. P. Xu P. T. Lai C. X. Li J. G. Liu IEEE Electron Device Lett. 2011 32 122
47. F. Gao S. J. Lee D. Z. Chi S. Balakumar D. L. Kwong Appl. Phys. Lett. 2007 90 252904
48. C. L. Hinkle M. Milojevic B. Brennan A. M. Sonnet F. S. Aguirre-Tostado G. J. Hughes E. M. Vogel R. M. Wallace Appl. Phys. Lett. 2009 94 162101
49. G. Brammertz H. C. Lin K. Martens D. Mercier S. Sioncke A. Delabie W. E. Wang M. Caymax M. Meuris M. Heyns Appl. Phys. Lett. 2008 93 183504