Structural evolution and the control of defects in atomic layer deposited HfO2-Al2O3 stacked films on GaAs

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 6, 2013, Pages 1982-1989

  Kang, Yu Seon ^a   Kim, Dae Kyoung ^a   Jeong, Kwang Sik ^a   Cho, Mann Ho ^a   Kim, Chung Yi ^a,e   Chung, Kwun Bum ^b   Kim, Hyoungsub ^c   Kim, Dong Chan ^d  

^a Yonsei University   (South Korea)

^b Dankook University   (South Korea)

^c Sungkyunkwan University   (South Korea)

^d SAMSUNG Electronics   (South Korea)

^e LG RandD Campus ^*  (South Korea)

Author keywords

Al2O3 passivation; Ga diffusion; GaAs; HfO2; interfacial reaction; interstitial Ga

Indexed keywords

CAPACITANCE VOLTAGE MEASUREMENTS; DENSITY FUNCTIONAL THEORY CALCULATIONS; GA DIFFUSION; GAAS; HFO2; MICROSTRUCTURAL ANALYSIS; POST DEPOSITION ANNEALING; STRUCTURAL CHARACTERISTICS;

ATOMIC LAYER DEPOSITION; ATOMS; BUFFER LAYERS; DENSITY FUNCTIONAL THEORY; DEPOSITS; DIFFUSION; FILM GROWTH; GALLIUM ARSENIDE; HAFNIUM OXIDES; SEMICONDUCTING GALLIUM; SURFACE CHEMISTRY;

ALUMINUM;

EID: 84875741839     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am302803f     Document Type: Article

References (20)

1. Seguini, G.; Perego, M.; Spiga, S.; Fanciulli, M. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 192902
2. Hackley, J. C.; Demaree, J. D.; Gougousi, T. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 162902
3. Lin, H. C.; Yang, Y.; Sharifi, H.; Kim, S. K.; Xuan, Y.; Shen, T.; Mohammadi, S.; Ye, P. D. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 212101
4. Shahrjerdi, D.; Akyol, T.; Ramon, M.; Garcia-Gutierrez, D. I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 203505
5. Hinkle, C. L.; Sonnet, A. M.; Vogel, E. M.; McDonnell, S.; Hughes, G. J.; Milojevic, M.; Lee, B.; Aguirre-Tostado, F. S.; Choi, K. J.; Kim, H. C.; Kim, J.; Wallace, R. M. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 071901
6. Chang, C.-H.; Chiou, Y.-K.; Chang, Y.-C.; Lee, K.-Y.; Lin, T.-D.; Wu, T.-B.; Hong, M. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 242911
7. Kim, C. Y.; Cho, S. W.; Cho, M.-H.; Chung, K. B.; An, C.-H.; Kim, H.; Lee, H. J.; Ko, D.-H. Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 192902
8. Suh, D. Ch.; Cho, Y. D.; Kim, S. W.; Ko, D.-H.; Lee, Y.; Cho, M.-H.; Oh, J. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 142112
9. Cho, M.-H.; Chang, H. S.; Moon, D. W.; Kang, S. K.; Min, B. K.; Ko, D.-H.; Kim, H. S.; McIntyre, P. C. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 1171-1173
10. Zhao, H.; Huang, J.; Chen, Y.-T.; Yum, J. H.; Wang, Y.; Zhou, F.; Xue, F.; Lee, J. C. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 253501
11. Contreras-Guerrero, M., R.; Lopez-Lopez, M.; Kim, J.; Wallace, R. M. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 212902
12. Zhang, S. B.; Northrup, J. E. Phys. Rev. Lett. 1991, 67, 2339-2342
13. Chang, C.-H.; Chiou, Y.-K.; Chang, Y.-C.; Lee, K.-Y.; Lin, T.-D.; Wu, T.-B.; Hong, M.; Kwo, J. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 242911
14. Hollinger, G.; Skheyta-Kabbani, R.; Gendry, M. Phys. Rev. B 1994, 49, 11159-11167
15. Suri, R.; Lichtenwalner, D. J.; Misra, V. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 112905
16. McDonnell, S.; Dong, H.; Hawkins, J. M.; Brennan, B.; Milojevic, M.; Aguirre-Tostado, F. S.; Zhernokletov, D. M.; Hinkle, C. L.; Kim, J.; Wallace, R. M. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 141606
17. F, T. E.; Chu, W. K.; Aselage, T. L.; Picraux, S. T. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 666
18. Hwang, Y.; Engel-Herbert, R.; Rudawski, N. G.; Stemmer, S. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 102910
19. Martens, K.; Wang, W. F.; Dimoulas, A.; Borghs, G.; Meuris, M.; Groeseneken, G.; Maes, H. E. Solid-State Electron. 2007, 51, 1101-1108
20. Ok, I.; Kim, H.-s.; Zhang, M.; Kang, C.-Y.; Rhee, S. J.; Choi, C.; Krishnan, S. A.; Lee, T.; Zhu, Feng; Gaurav, T.; Lee, J. C. IEEE Electron Device Lett. 2006, 27, 145-147