Ru films from bis(ethylcyclopentadienyl)ruthenium using ozone as a reactant by atomic layer deposition for capacitor electrodes

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 159, Issue 6, 2012, Pages

  Kim, Ja Yong ^a   Kil, Deok Sin ^a   Kim, Jin Hyock ^a   Kwon, Se Hun ^b   Ahn, Ji Hoon ^a   Roh, Jae Sung ^a   Park, Sung Ki ^a  

^a Hynix Semiconductor Inc   (South Korea)

^b Pusan National University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

3D STRUCTURES; CAPACITOR ELECTRODE; DEPOSITION TEMPERATURES; HIGH ASPECT RATIO; INTERFACIAL ADHESIONS; OXYGEN GAS; OXYGEN IMPURITY; RU FILM; STEP COVERAGE; TOP-ELECTRODE MATERIALS;

ASPECT RATIO; AUGER ELECTRON SPECTROSCOPY; OZONE; RUTHENIUM;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 84861403647     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/2.069206jes     Document Type: Article

References (46)

1. J. Lin, N. Masaaki, A. Tsukune, and M. Yamada, Appl. Phys. Lett., 74, 2370 (1999). 10.1063/1.123854
2. T. Kawahara, M. Yamamuka, A. Yuuki, and K. Ono, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 4880 (1996). 10.1143/JJAP.35.4880
3. G. W. Dieta, W. Antpohler, M. Klee, and R. Waser, J. Appl. Phys., 78, 6113 (1995). 10.1063/1.360553
4. S. G. Yoon and A. Safari, Thin Solid Films, 254, 211 (1995). 10.1016/0040-6090(94)06235-D
5. H. Shin, M. R. De Guire, and A. H. Heuer, J. Appl. Phys., 83, 3311 (1998). 10.1063/1.367132
6. J. Y. Kim, J. H. Ahn, J. H. Kim, J. S. Roh, and S. W. Kang, Appl. Phys. Lett., 91, 092910 (2007). 10.1063/1.2775325
7. J. H. Ahn, J. Y. Kim, J. H. Kim, J. S. Roh, and S. W. Kang, Appl. Phys. Lett., 91, 062910 (2007). 10.1063/1.2768887
8. J. H. Ahn, S. W. Kang, J. Y. Kim, J. H. Kim, and J. S. Roh, J. Electrochem. Soc., 155, G185 (2008). 10.1149/1.2960898
9. J. H. Ahn, J. Y. Kim, J. H. Kim, J. S. Roh, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 12, G5 (2009). 10.1149/1.3028218
10. S. Y. Kang, C. S. Hwang, and H. J. Kim, J. Electrochem. Soc., 152, C15 (2005). 10.1149/1.1827595
11. Y. Matsui, M. Hiratani, T. Nabatame, Y. Shimamoto, and S. Kimura, Electrochem. Solid-State Lett., 4, C9 (2001). 10.1149/1.1340916
12. C. Vallee, P. Gonon, C. Jorel, F. El Kamel, M. Mougenot, and V. Jousseaume, Microelectron. Eng., 86, 1774 (2009). 10.1016/j.mee.2009.03.001
13. J. A. Kittl, Microelectron. Eng., 86, 1789 (2009). 10.1016/j.mee.2009.03. 045
14. T. Yunogami and T. Kumihashi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 37, 6934 (1998). 10.1143/JJAP.37.6934
15. M. L. Green, M. E. Gross, L. E. Paga, K. J. Schnoes, and D. Brasen, J. Electrochem. Soc., 132, 2677 (1985). 10.1149/1.2113647
16. S. Saito and K. Kuramasu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 31, 135 (1992). 10.1143/JJAP.31.135
17. M. Vehkamaki, T. Hatanpaa, T. Hanninen, M. Ritala, and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 2, 504 (1999). 10.1149/1.1390884
18. D. S. Kil, J. M. Lee, and J. S. Roh, Chem. Vap. Deposition, 8, 195 (2002). 10.1002/1521-3862(20020903)8:5195::AID-CVDE1953.0.CO;2-9
19. O. S. Kwon, S. K. Kim, M. Cho, C. S. Hwang, and J. Jeong, J. Electrochem. Soc., 152, C229 (2005). 10.1149/1.1869292
20. J. Y. Kim, J. H. Kim, J. H. Ahn, and S. W. Kang, J. Appl. Phys., 101, 073502 (2007). 10.1063/1.2714685
21. J. Y. Kim, J. H. Kim, J. H. Ahn, P. K. Park, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 154, H1008 (2007). 10.1149/1.2789802
22. T. Aaltonen, M. Ritala, Y. L. Tung, Y. Chi, K. Arstila, K. Meinander, and M. Leskela, J. Mater. Res., 19, 3353 (2004). 10.1557/JMR.2004.0426
23. T. Aaltonen, P. Alen, M. Ritala, and M. Leskela, Chem. Vap. Deposition, 9, 45 (2003). 10.1002/cvde.200290007
24. K. J. Park, J. M. Doub, T. Gougousi, and G. N. Parsons, Appl. Phys. Lett., 86, 051903 (2005). 10.1063/1.1852079
25. S. J. Park, W. H. Kim, W. J. Maeng, Y. S. Tang, C. G. Park, H. Kim, K. N. Lee, S. W. Jung, and W. K. Seong, Thin Solid Films, 516, 7345 (2008). 10.1016/j.tsf.2008.02.011
26. S. J. Park, W. H. Kim, H. B. R. Lee, W. J. Maeng, and H. Kim, Microelectron. Eng., 85, 39 (2008). 10.1016/j.mee.2007.01.239
27. S. H. Kwon, O. K. Kwon, J. H. Kim, S. J. Jeong, S. W. Kim, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 154, H773 (2007). 10.1149/1.2750448
28. S. S. Yim, M. S. Lee, K. S. Kim, and K. B. Kim, Appl. Phys. Lett., 89, 093115 (2006). 10.1063/1.2338793
29. O. K. Kwon, J. H. Kim, H. S. Park, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 151, G109 (2004). 10.1149/1.1640633
30. J. H. Kim, D. S. Kil, S. J. Yeom, J. S. Roh, N. J. Kwak, and J. W. Kim, Appl. Phys. Lett., 91, 052908 (2007). 10.1063/1.2767769
31. K. Kukli, M. Kemell, E. Puukilainen, J. Aarik, A. Aidla, T. Sajavaara, M. Laitinen, M. Tallarida, J. Sundqvist, M. Ritala, and M. Leskel, J. Electroche. Soc., 158, D158 (2011). 10.1149/1.3533387
32. J. Swerts, S. Armini, L. Carbonell, A. Delabie, A. Franquet, S. Mertens, M. Popovici, M. Schaekers, T. Witters, Z. Tkei, G. Beyer, and S. Van Elshocht, J. Vac. Sci. Technol. A, 30, 01A103 (2012). 10.1116/1.3625566
33. S. H. Choi, T. Cheon, S. H. Kim, D. H. Kang, G. S. Park, and S. J. Kim, J. Electroche. Soc., 158, D351 (2011). 10.1149/1.3575163
34. T. Aaltonen, A. Rahtu, M. Ritala, and M. Leskela, Electrochem. Solid-State Lett., 6, C130 (2003). 10.1149/1.1595312
35. S. K. Kim, S. Y. Lee, S. W. Lee, G. W. Hwang, C. S. Hwang, J. W. Lee, and J. Jeong, J. Electrochem. Soc., 154, D95 (2007). 10.1149/1.2403081
36. S. K. Kim, S. Hoffmann-Eifert, and R. Waser, J. Phys. Chem. C, 113, 11329 (2009). 10.1021/jp9021882
37. J. Choi, Jpn. J. Appl. Phys., 41, 6852 (2002). 10.1143/JJAP.41.6852
38. O. K. Kwon, S. H. Kwon, H. S. Park, and S. W. Kang, Electrochem. Solid-State Lett., 7, C46 (2004). 10.1149/1.1648612
39. A. Shkabko, M. H. Aguirre, I. Marozau, T. Lippert, Y. H. Chou, R. E. Douthwaite, and A. Weidenkaff, J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 145202 (2009). 10.1088/0022-3727/42/14/145202
40. A. Shkabko, M. H. Aguirre, I. Marozau, M. Doebeli, M. Mallepell, T. Lippert, and A. Weidenkaff, Mater. Chem. Phys., 115, 86 (2009). 10.1016/j.matchemphys.2008.11.024
41. N. Leick, R. O. F. Verkuijlen, L. Lamagna, E. Langereis, S. Rushworth, F. Roozeboom, M. C. M. van de Sanden, and W. M. M. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A. 29 (2), 021016 (2011). 10.1116/1.3554691
42. H. C. M. Knoops, A. J. M. Mackus, M. E. Donders, M. C. M. van de Sanden, P. H. L. Notten, and W. M. M. Kessels, Electrochem. Solid-State Lett., 12, G34 (2009). 10.1149/1.3125876
43. D. Shamiryan, M. R. Baklanov, and W. Boullart, Electrochem. Solid-State Lett., 8, G176 (2005). 10.1149/1.1928227
44. O. K. Kwon, S. H. Kwon, H. S. Park, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 151, C753 (2004). 10.1149/1.1809576
45. S. H. Kwon, O. K. Kwon, J. H. Kim, H. R. Oh, K. H. Kim, and S. W. Kang, J. Electrochem. Soc., 155, H296 (2008). 10.1149/1.2868779
46. P. R. Gadkari, A. P. Warren, R. M. Todi, R. V. Petrova, and K. R. Coffey, J. Vac. Sci. Technol. A., 23 (4), 1152 (2005). 10.1116/1.1861943