Chemically conformal ALD of SrTiO3 thin films using conventional metallorganic precursors

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 152, Issue 4, 2005, Pages

  Kwon, Oh Seong ^a   Kim, Seong Keun ^a   Cho, Moonju ^a   Hwang, Cheol Seong ^a   Jeong, Jaehack ^b  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Ever tek Co   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITION; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; ELECTROCHEMISTRY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; STOICHIOMETRY; STRONTIUM COMPOUNDS; SYNTHESIS (CHEMICAL); TEMPERATURE MEASUREMENT;

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD); CATION COMPOSITION; HEATING TEMPERATURE; TUNABLE DEVICES;

THIN FILMS;

EID: 18344373111     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1869292     Document Type: Article

References (33)

1. A. I. Kingon, S. K. Streiffer, C. Basceri, and R. K. Summerfelt, MRS Bull., 21, 46 (1996).
2. C. S. Hwang, Mater. Sci. Eng., B, 56, 178 (1998).
3. M. Yamamuka, T. Kawahara, M. Tarutani, T. Horikawa, T. Oomori, and K. Olio, J. Appl. Phys., 86, 1082 (1999).
4. Y. Gao, T, Tran, and P. Alluri, Appl. Phys. Lett., 75, 415 (1999).
5. C. S. Kang, C. S. Hwang, H. J. Cho, B. T. Lee, S. O. Park, J. W. Kim, H. Horii, S. I. Lee, and M. Y. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 35, 4890 (1996).
6. S. Hyun, J. H. Lee, S. S. Kim, K. Char, S. J. Park, J. Sok, and E. H. Lee, Appl. Phys. Lett., 77, 3084 (2000).
7. Q. X. Jia, A. T. Findikoglu, D. Reagor, and P. Lu, Appl. Phys. Lett., 73, 897 (1998).
8. D. Dimos and C. H. Mueller. Annu. Rev. Mater. Sci., 28, 397 (1998).
9. T. Kikkawa, N. Fujiwara, H. Yamada, S. Miyazaki, F. Nishiyama, and M. Hirose, Appl. Phys. Lett., 81, 2821 (2002).
10. H. T. Lue, T. Y. Tseng, and G. W. Huang, J. Appl. Phys., 91, 5275 (2002).
11. K. Hieda, K. Eguchi, J. Nakahira, M. Kiyotoshi, M. Nakabayashi, H. Tomita, M. Izuha, T. Aoyama, S. Niwa, K. Tsunoda, S. Yamazaki, J. Lin, A. Shimada, K. Nakamura, T. Kubota, M. Asano, K. Hosaka, Y. Fukuzimi, Y. Ishibashi, and Y. Kohyama, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1999, 789.
12. K. Hieda, K. Eguchi, N. Fukushima, T. Aoyama, K. Natori, M. Kiyotoshi, S. Yamazaki, M. Izuha, S. Niwa, Y. Fukuzimi, Y. Ishibashi, Y. Kohyama, T. Arikado, and K. Okumura, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1998, 807.
13. C. S. Hwang, J. Park, D. S. Hwang, and C. Y. Yoo, J. Electrochem. Soc., 148, 636 (2001).
14. C. S. Hwang, S. Y. No, J. Park, H. J. Kim, H. J. Cho, Y. K. Han, and K. Y. Oh, J. Electrochem. Soc., 149, 585 (2002).
15. T. Suntola, Mater. Sci. Rep., 4, 261 (1989).
16. M. Vehkamǎki, T. Hatanpää, T. Hänninen, M. Ratala, and M. Leskelä, Electrochem. Solid-State Lett., 2, 504 (1999).
17. M. Vehkamäki, T. Hänninen, M. Ratala, M. Leskelä, T. Sajavaara, E. Rauhala, and J. Keinonen, Chem. Vap. Deposition, 7, 75 (2001).
18. Z. Wang and S. Oda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 37, 942 (1998).
19. Z. Wang, T. Yasuda, S. Hatatani, and S. Oda, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 38, 6817 (1999).
20. T. M. Chung, Private communication.
21. A. Kosola, M. Putkonen, L.-S. Johansson, and L. Niinistö, Appl. Surf. Sci., 211, 102 (2003).
22. M. Tammenmaa, H. Antson, M. Asplund, L. Hiltunen, M. Leskelä, and L. NiinistöE Ristolainen, J. Cryst. Growth, 84, 151 (1987).
23. P. Babelon, A. S. Dequiedt, H. Mostefa-Sba, S. Bourgeios, P. Sibillot, and M. Sacilotti, Thin Solid Films, 322, 63 (1998).
24. T. Kawahara, M. Yamamuka, T. Makita, K. Tsutahara, A. Yuuki, K. Ono, and Y. Matsui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 33, 5897 (1994).
25. S. Momose, T. Nakamura, and K. Tachibana, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 39, 5348 (2000).
26. H. K. Ryu, J. S. Heo, S. I. Cho, C. Chung, and S. H. Moon, J. Electrochem. Soc., 147, 1130 (2000).
27. Y. S. Cho, S. I. Cho, H. K. Ryu, J. S. Heo, D. H. Lee, and S. H. Moon, J. Electrochem. Soc., 150, F11 (2003).
28. F. T. Wagner, T. E. Moylan, and S. J. Schmieg, Surf. Sci., 195, 403 (1988).
29. A. Delabie, M. Caymax, J. W. Maes, P. Bajolet, B. Brihis, E. Cartier, T. Conard, S. De Gendt, O. Richard, W. Vandervorst, C. Zhao, M. Green, W. Tsai, and M. M. Heyns, Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 745, 179 (2003).
30. H. Mori and H. Ishiwara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 30, L1415 (1991).
31. R. Mckee, F. Walker, and M. Chisholm, Phys. Rev. Lett., 81, 3014 (1998).
32. J. Park, C. S. Hwang, and D. Y. Yang, J. Mater. Res., 16, 1363 (2001).
33. M. Tarutani, M. Yamamuka, T. Takenaga, T. Kuoiwa, and T. Horikawa, Thin Solid Films, 409, 8 (2002).