Growth of noble metal Ru thin films by liquid injection atomic layer deposition

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 113, Issue 26, 2009, Pages 11329-11335

  Kim, Seong Keun ^a   Hoffmann Eifert, Susanne ^a   Waser, Rainer ^a  

^a FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADSORBED OXYGEN; CONCENTRATION OF; ETHYLCYCLOHEXANE; FEEDING TIME; LIQUID INJECTIONS; LOW TEMPERATURES; NOBLE METALS; NOBLE-METAL FILMS; OXYGEN PARTIAL PRESSURE; RU FILM; RU THIN FILMS; TETRAMETHYL;

ATOMS; DEPOSITION; DISSOLUTION; DISSOLVED OXYGEN; FEEDING; FILM GROWTH; LIQUIDS; MAGNETIC FILMS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PLASMA HEATING; RUTHENIUM; RUTHENIUM ALLOYS; RUTHENIUM COMPOUNDS; THIN FILMS;

PRECIOUS METALS;

EID: 67651125015     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp9021882     Document Type: Article

References (45)

1. Aoyama, T.; Kiyotoshi, M.; Yamazaki, S.; Eguchi, K. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, 2194.
2. Kwon, O. J.; Cha, S. H.; Kim, J. J. J. Electrochem. Soc. 2004, 151, C127.
3. Kang, S. Y.; Lim, H. J.; Hwang, C. S.; Kim, H. J. J. Electrochem Soc. 2002, 149, C317.
4. Lin, J.; Masaaki, N.; Tsukune, A.; Yamada, M. Awl. Phys. Lett. 1999, 74, 2370.
5. Aoyama, T.; Yamazaki, S.; Imai, K. J. Electrochem. Soc. 1998, 145, 2961.
6. Lee, J. W.; Song, H. S.; Kim, K. M.; Lee, J. M.; Roh, J. S. J Electrochen. Soc. 2002, 149, F56.
7. Kim, S. K.; Kim, K.-M.; Kim, W. D.; Hwang, C. S.; Jeong, J. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 4112.
8. Kim, S. K.; Hwang, G. W.; Kim, W.-D.; Hwang, C. S. Electrochem. Solid State Lett. 2006, 9, F5.
9. Kim, S. K.; Kim, K.-M.; Kwon, O. S.; Lee, S. W.; Jeon, C. B.; Park, W. Y.; Hwang, C. S.; Jeong, J. Electrochem. Solid State Lett. 2005, 8, F59.
10. Kim, S. K.; Choi, G.-J.; Lee, S. Y.; Seo, M.; Lee, S. W.; Han, J. H.; Ahn, H.-S.; Han, S.; Hwang, C. S. Adv. Mater. 2008, 20, 1429.
11. Kim, H.; Koseki, T.; Ohba, T.; Ohta, T.; Kojima, Y.; Sato, H.; Shimoqaki, Y. J. Electrochem. Soc. 2005, 152, G594.
12. Kwon, S. H.; Kwon, O. K.; Min, J. S.; Kang, S. W. J. Electrochem. Soc. 2006, 153, G578.
13. Damayanti, M.; Sritharan, T.; Mhaisalkar, S. G.; Phoon, E.; Chan, L. J. Mater. Res. 2007, 22, 2505.
14. Joo, J.-H.; Seon, J.-M.; Jeon, Y.-C; Oh, K.-Y.; Roh, J.-S.; Kim, J.-J.; Choi, J.-T. Jpn. J. Awl. Phys. 1998, 37, L242.
15. Lee, H. Y.; Hsieh, Y. W.; Hsu, C. H.; Liang, K. S. Mater. Chem. Phys. 2003, 82, 984.
16. Suntola, T. Thin. Solid Films 1992, 216, 84.
17. Suntola, T. In Handbook of Crystal Growth; Hurle, D. T. J., Ed; Elsevier Science: New York, 1994; Vol. 3, Chapter 14.
18. Suntola, T. Mater. Sci Eep. 1989, 4, 261.
19. Leskela, M.; Niinisto, L. In Atomic Layer Epitaxy; Suntola, T., Simpson, M., Eds.; Blackie: Glasgow, 1994; p 1.
20. Leskela, M.; Ritala, M. Thin Solid Films 2002, 409, 138.
21. Puurunen, R. L. J. Appl. Phys. 2005, 97, 121301.
22. Kwon, O.-K.; Kwon, S.-H.; Park, H-. S.; Kang, S.-W. Electrochem. Solid State Lett 2004, 7, C46.
23. Park, S.-J.; Kim, W.-H.; Lee, H.-B.-R.; Maeng, W. J.; Kim, H. Microelectron. Eng. 2008, 85, 39.
24. Kim, S. K.; Lee, S. Y.; Lee, S. W.; Hwang, G. W.; Hwang, C. S.; Lee, J. W.; Jeong, J. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, D95.
25. Kim, H. J. Vac. Sci. Technol. B 2003, 21, 2231.
26. Plonka, R.; Dittmann, R.; Pertsev, N. A.; Vasco, E.; Waser, R. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 202908.
27. Kwon, O. S.; Kim, S. K.; Cho, M.; Hwang, C. S.; Jeong, J. J Electrochen. Soc. 2005, 152, C229.
28. 3films having a high thickness- and cation-composition confirmality over a severe contact hole structure, AVS 52nd International Symposium & Exhibition; Boston, MA, October 30-November 4, 2005.
29. Aaltonen, T.; Ritala, M.; Arstila, K.; Keinonen, J.; Leskelä, M. Chem. Vap. Dep. 2004, 10, 215.
30. Aaltonen, T.; Alén, P.; Ritala, M.; Leskelä, M. Chem. Vap. Dep. 2003, 9, 45.
31. Aaltonen, T.; Rahtu, A.; Ritala, M.; Leskela, M. Electrochem. Solid State Lett. 2003, 6, C130.
32. Park, S.-J.; Kim, W.-H.; Maeng, W. J.; Yang, Y. S.; Park, C. G.; Kim, H.; Lee, K.-N.; Jung, S.-W.; Seong, W. K. Thin Solid Films 2008, 516, 7345.
33. Aaltonen, T.; Ritala, M.; Leskela, M. Electrochen. SolidState Lett. 2005, 8, C99.
34. Jiang, X.; Huang, H.; Prinz, F. B.; Bent, S. F. Chem. Mater. 2008, 20, 3897.
35. Aaltonen, T.; Ritala, M.; Sajavaara, T.; Keinonen, J.; Leskelä, M. Chem. Mater. 2003, 15, 1924.
36. Kwon, S.-H.; Kwon, O.-K.; Kim, J.-H.; Jeong, S.-J.; Kim, S.-W.; Kang, S.-W. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, H773.
37. Kwon, O.-K.; Kim, J.-H.; Park, H.-S.; Kang, S.-W. J. Electrochem. Soc. 2004, 151, G109.
38. Hamalainen, J.; Kemell, M.; Munnik, F.; Kreissig, U.; Ritala, M.; Leskela, M. Chetm. Mater 2008, 20, 2903.
39. Watanabe, T.; Hoffmann-Eifert, S.; Peter, F.; M, S.; Jia, C; Hwang, C. S.; Waser, R. J. Electrochem. Soc. 2007, 154, G262.
40. Kim, J.-H.; Kil, D.-S.; Yeom, S.-J.; Roh, J.-S.; Kwak, N.-J.; Kim, J.-W. Appl. Phys Lett. 2007, 91, 052908.
41. Bell, W. E.; Tagami, M. J. Phys. Chem. 1963, 67, 2432.
42. Rard, J. A. Chem. Rev. 1985, 85, 1.
43. Kaga, Y.; Abe, Y.; Kawamura, M.; Sasaki, K. Jpn. J. Appl. Phys 1999, 38, 3689.
44. Hiratani, M.; Matsui, Y.; Imagawa, K.; Kimura, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, L1275.
45. Kadoshima, M.; Nabatame, T.; Hiratani, M.; Nakamura, Y.; Asano, I.; Suzuki, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2002, 41, L347. JP9021882