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Journal of Materials Chemistry

Volumn 20, Issue 28, 2010, Pages 5853-5859

Controlled-bandgap silicon nitride nanomaterials: Deterministic nitrogenation in high-density plasmas

(3) Cheng, Qijin a Xu, Shuyan b Ostrikov, Kostya a

a CSIRO (Australia)

b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY (Singapore)

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BAND GAP ENERGY; BAND GAPS; FLOWRATE RATIO; HIGH DENSITY PLASMAS; HIGH-DENSITY; HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON; LOW FLOW; MORPHOLOGICAL PROPERTIES; NANO-DEVICES; NANO-MATERIALS; NITROGEN GAS; NITROGENATION; WIDE BAND GAP;

ELECTROMAGNETIC INDUCTION; ENERGY GAP; INDUCTIVELY COUPLED PLASMA; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NITROGEN; OPTICAL PROPERTIES; SILICON NITRIDE;

AMORPHOUS SILICON;

EID: 77954591449 PISSN: 09599428 EISSN: 13645501 Source Type: Journal
DOI: 10.1039/c0jm01060j Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.