Compressive stress effect on the radial elastic modulus of oxidized Si nanowires

Nano Letters

Volumn 10, Issue 6, 2010, Pages 2031-2037

  Stan, G ^a   Krylyuk, S ^a   Davydov, A V ^a   Cook, R F ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDS AND TECHNOLOGY   (United States)

Author keywords

Contact resonance atomic force microscopy; Interface stress; Nanoscale elastic modulus; Nanowires

Indexed keywords

CONTACT RESONANCE; CONTACT RESONANCE ATOMIC FORCE MICROSCOPY; INTERFACE STRESS; NANO SCALE;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ATOMS; COMPRESSIVE STRESS; MECHANICAL PROPERTIES; NANOSTRUCTURED MATERIALS; NANOWIRES; RESONANCE; SILICON; SILICON COMPOUNDS; TENSILE STRESS;

ELASTIC MODULI;

EID: 77953298736     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl100062n     Document Type: Article

References (49)

1. Lieber, C. M.; Wang, Z. L. MRS Bull. 2007, 32, 99
2. Morales, A. M.; Lieber, C. M. Science 1998, 279, 208
3. Fuhrmann, B.; Leipner, H. S.; Ho~che, H.-R.; Schubert, L.; Werner, P.; Go~sele, U. Nano Lett. 2005, 5, 2524
4. Stern, E.; Klemic, J. F.; Routenberg, D. A.; Wyrembak, P. N.; Turner-Evans, D. B.; Hamilton, A. D.; LaVan, D. A.; Fahmy, T. M.; Reed, M. A. Nature 2007, 445, 519
5. He, R. R.; Gao, D.; Fan, R.; Hochbaum, A. I.; Carraro, C.; Maboudian, R.; Yang, P. D. Adv. Mater. 2005, 17, 2098
6. Cui, Y.; Duan, X.; Hu, J.; Lieber, C. M. J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5213
7. Duan, X.; Niu, C.; Sahi, V.; Chen, J.; Wallace Parce, J.; Empedocles, S.; Goldman, J. L. Nature 2003, 425, 274
8. Huang, Y.; Duan, X.; Lieber, C. M. Small 2005, 1, 142
9. Tian, B.; Zheng, X.; Kempa, T. J.; Fang, Y.; Yu, N.; Yu, G.; Huang, J.; Lieber, C. M. Nature 2007, 449, 885
10. Feng, X. L.; He, R.; Yang, P.; Roukes, M. L. Nano Lett. 2007, 7, 1953
11. Han, X.; Zheng, K.; Zhang, Y.; Zhang, X.; Zhang, Z.; Wang, Z. L. Adv. Mater. 2007, 19, 2112
12. He, R. R.; Yang, P. D. Nat. Nanotechnol. 2006, 1, 42
13. Hochbaum, A. I.; Chen, R.; Delgado, R. D.; Liang, W.; Garnett, E. C.; Najarian, M.; Majumdar, A.; Yang, P. Nature 2008, 451, 163
14. Boukai, A. I.; Bunimovich, Y.; Tahir-Kheli, J.; Yu, J.-K.; Goddard, W. A., III; Heath, J. R. Nature 2008, 451, 168
15. Chidambaram, P. R.; Bowen, C.; Chakravarthi, S.; Machala, C.; Wise, R. IEEE Trans. Electron Devices 2006, 53, 944
16. Seike, A.; Tange, T.; Sano, I.; Sugiura, Y.; Kosemura, D.; Ogura, A.; Ohdomari, I. Appl. Phys. Lett. 2007, 91 062108
17. Liu, F.; Huang, M.; Rugheimer, P. P.; Savage, D. E.; Lagally, M. G. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 136101
18. Najmzadeh, M.; Bouvet, D.; Dobrosz, P.; Olsen, S.; Ionescu, A. M. Microelctron. Eng. 2009, 86, 1961
19. Dong, Y.; Yu, G.; McAlpine, M. C.; Lu, W.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2008, 8, 386
20. Poncharal, P.; Wang, Z. L.; Ugarte, D.; de Heer, W. A. Science 1999, 283, 1513
21. Yu, M. F.; Lourie, O.; Dyer, M. J.; Moloni, K.; Kelly, T. F.; Ruoff, R. S. Science 2000, 287, 637
22. Salvetat, J. P.; Kulik, A. J.; Bonard, J. M.; Briggs, G. A. D.; Sto~ckli, T.; Métńier, K.; Bonnamy, S.; Béguin, F.; Burnham, N. A.; Forro, L. Adv. Mater. 1999, 11, 161
23. Li, X.; Gao, H.; Murphy, C. J.; Caswell, K. K. Nano Lett. 2003, 3, 1495
24. Stan, G.; Ciobanu, C. V.; Parthangal, P. M.; Cook, R. F. Nano Lett. 2007, 7, 3691
25. Rabe, U.; Janser, K.; Arnold, W. Rev. Sci. Instrum. 1996, 67, 3281
26. Yamanaka, K.; Nakano, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, 3787
27. Stan, G.; King, S. W.; Cook, R. F. J. Mater. Res. 2009, 24, 2960
28. Hurley, D. C.; Kopycinska-Müller, M.; Kos, A. B.; Geiss, R. H. Meas. Sci. Technol. 2005, 16, 2167
29. Stan, G.; Cook, R. F. Nanotechnology 2008, 19, 235701
30. Krylyuk, S.; Davydov, A. V.; Levin, I.; Motayed, A.; Vaudin, M. D. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 063113
31. Any mention of commercial products in this article is for information only; it does not imply recommendation or endorsement by the NIST.
32. Johnson, K. L. Contact Mechanics, 6th ed.; Cambridge University Press: Cambridge, U.K., 1996; p 84.
33. Vlassak, J. J.; Nix, W. D. Indentation modulus of elastically anisotropic half-spaces Philos. Mag. A 1993, 67, 1045
34. Awaji, N.; Ohkubo, S.; Nakanishi, T.; Sugita, Y; Takasaki, K.; Komiya, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1996, 35, L67
35. Kosowsky, S. D.; Pershan, P. S.; Krisch, K. S.; Bevk, J.; Green, M. L.; Brasen, D.; Feldman, L. C.; Roy, P. K. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 3119
36. Cui, H.; Wang, C. X.; Yang, G. W. Nano Lett. 2008, 8, 2731
37. EerNisse, E. P. Appl. Phys. Lett. 1977, 30, 290
38. Kao, D. B.; McVittie, J. P.; Nix, W. D.; Saraswat, K. IEEE Trans. Electron Devices 1988, ED-35-25
39. Fukata, N.; Oshima, T.; Murakami, K.; Kizuka, T.; Tsurui, T.; Ito, S. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 213112
40. Saada, A. S. Elasticity theory and applications, 2nd ed.; Krieger Pub. Co.: Malabar, FL, 1993; p 323.
41. Turley, J.; Sines, G. J. Phys. D: Appl. Phys. 1971, 4, 264
42. Zhu, Y.; Xu, F.; Qin, Q.; Fung, W. Y.; Lu, W. Nano Lett. 2009, 9, 3934
43. Ni, H.; Li, X.; Gao, H. Appl. Phys. Lett. 2006, 88 043108
44. Büttner, C. C.; Zacharias, M. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 263106
45. Uematsu, M.; Kageshima, H.; Shiraishi, K.; Nagase, M.; Horiguchi, S.; Takahashi, Y. Solid-State Electron. 2004, 48, 1073
46. Ohta, H.; Watanabe, T.; Ohdomari, I. Jpn. J. Appl. Phys. 2007, 46, 3277
47. Dalla Torre, J.; Bocquet, J. L.; Limoge, Y.; Crocombette, J. P.; Adam, E.; Martin, G. J. Appl. Phys. 2002, 92, 1084
48. Thurn, J.; Cook, R. F.; Kamarajugadda, M.; Bozeman, S. P.; Stearns, L. C. J. Appl. Phys. 2004, 95, 967
49. Thurn, J.; Cook, R. F. J. Mater. Sci. 2004, 39, 4799