Si nanowire bridges in microtrenches: Integration of growth into device fabrication

Advanced Materials

Volumn 17, Issue 17, 2005, Pages 2098-2102

  He, Rongrui ^a   Gao, Di ^b   Fan, Rong ^a   Hochbaum, Allon I ^a   Carraro, Carlo ^b   Maboudian, Roya ^b   Yang, Peidong ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

^b University of California   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL SENSORS; EPITAXIAL GROWTH; RESONATORS; SILICON; WIRE;

MICROTRENCHES; NANOMECHANICAL RESONATORS; SILICON NANOWIRE;

NANOSTRUCTURED MATERIALS;

EID: 24644509302     PISSN: 09359648     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200401959     Document Type: Article

References (40)

1. a) J. Westwater, D. P. Gosain, S. Tomiya, S. Usui, J. Vac. Sci. Technol. B 1997, 15, 554.
2. b) N. Ozaki, Y. Ohno, S. Takeda, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 3700.
3. c) T. I. Kamins, R. S. Williams, Y. Chen, Y. L. Chang, Y. A. Chang, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 562.
4. a) A. M. Morales, C. M. Lieber, Science 1998, 279, 208.
5. b) D. P. Yu, C. S. Lee, I. Bello, X. S. Sun, Y. H. Tang, G. W. Zhou, Z. G. Bai, Z. Zhang, S. Q. Feng, Solid State Commun. 1998, 105, 403.
6. c) N. Wang, Y. H. Tang, Y. F. Zhang, C. S. Lee, I. Bello, S. T. Lee, Chem. Phys. Lett. 1999, 299, 237.
7. a) Y. Wu, P. Yang, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 3165.
8. b) Y. Wu, P. Yang, Chem. Mater. 2000, 12, 605.
9. c) Y. Wu, H. Yan, M. Huang, B. Messer, J. Song, P. Yang, Chem. Eur. J. 2002, 8, 1260.
10. J. D. Holmes, K. P. Johnston, R. C. Doty, B. A. Korgel, Science 2000, 287, 1471.
11. a) Y. Zhang, Q. Zhang, N. Wang, Y. Yan, H. Zhou, J. Zhu, J. Cryst. Growth 2001, 226, 185.
12. b) L. Schubert, P. Werner, N. D. Zakharov, G. Gerth, F. M. Kolb, L. Long, U. Gösele, T. Y. Tan, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4968.
13. a) Y. Wu, R. Fan, P. Yang, Nano Lett. 2002, 2, 83.
14. b) L. J. Lauhon, M. S. Gudiksen, C. L. Wang, C. M. Lieber, Nature 2002, 420, 57.
15. a) Y. Cui, X. Duan, J. Hu, C. M. Lieber, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 5213.
16. b) Y. H. Tang, X. H. Sun, F. C. K. Au, L. S. Liao, H. Y. Peng, C. S. Lee, S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 1673.
17. c) Y. Cui, Z. H. Zhong, D. L. Wang, W. U. Wang, C. M. Lieber, Nano Lett. 2003, 3, 149.
18. a) S. W. Chung, J. Y. Yu, J. R. Heath, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2068.
19. b) J. Y. Yu, S. W. Chung, J. R. Heath, J. Phys. Chem. B 2000, 104, 11864.
20. a) D. Li, Y. Wu, R. Fan, P. Yang, A. Majumdar, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3186.
21. b) D. Li, Y. Wu, Kim, L. Shi, P. Yang, A. Majumdar, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2934.
22. a) P. Yang, Nature 2003, 425, 243.
23. b) F. Kim, S. Kwan, J. Akana, P. Yang, J. Am. Chem. Soc. 2001, 123, 4360.
24. a) A. Tao, F. Kim, C. Hess, J. Goldberger, R. He, Y. Sun, Y. Xia, P. Yang, Nano Lett. 2003, 3, 1229.
25. b) D. Whang, S. Jin, Y. Wu, C. M. Lieber, Nano Lett. 2003, 3, 1255.
26. a) L. Gangloff, E. Minoux, K. B. K. Teo, P. Vincent, V. T. Semet, V. T. Binh, M. H. Yang, I. Y. Y. Bu, R. G. Lacerda, G. Pirio, J. P. Schnell, D. Pribat, D. G. Hasko, G. A. J. Amaratunga, W. I. Milne, P. Legagneux, Nano Lett. 2004, 4, 1575.
27. b) Y. Shan, A. K. Kalkan, C. Y. Peng, S. J. Fonash, Nano Lett. 2004, 4, 2085.
28. K. Haraguchi, K. Hiruma, T. Katsuyama, K. Tominaga, M. Shirai, T. Shimada, Appl. Phys. Lett. 1996, 69, 386.
29. M. S. Islam, S. Sharma, T. I. Kamins, R. S. Williams, Nanotechnology 2004, 15, L5.
30. a) R. S. Wagner, W. C. Ellis, Appl. Phys. Lett. 1964, 4, 89.
31. b) R. S. Wagner, in Whisker Technology (Ed: A. P. Levitt), Wiley, New York 1970, Ch. 2.
32. M. Yazawa, M. Koguchi, K. Hiruma, Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 1080.
33. A. A. Ayon, R. Braff, C. C. Lin, H. H. Sawin, M. A. Schmidt, J. Electrochem. Soc. 1999, 146, 339.
34. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, K. D. Bomben, in Handbook of X-ray Photoelectron Spectroscopy (Ed: J. Chastain), Perkin-Elmer Corporation, Eden Prairie, MN 1992.
35. a) G. A. Bootsma, H. J. Gassen, J. Cryst. Growth 1971, 10, 223.
36. b) E. I. Givargizov, J. Cryst. Growth 1975, 37, 20.
37. T. Wong, J. Wu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 2001, 40, L1207.
38. H. C. Theuerer, J. Electrochem. Soc. 1961, 108, 649.
39. The Si nanowires grown here slightly taper along their growth directions. This can be used to determine whether the growth is forward or backward along the specific 〈111〉 direction for a bridging nanowire.
40. M. Yazawa, M. Koguchi, A. Muto, M. Ozawa, K. Kiruma, Appl. Phys. Lett. 1992, 67, 2051.