Epitaxial growth and optical properties of semiconductor quantum wires

Journal of Applied Physics

Volumn 99, Issue 12, 2006, Pages

  Wang, Xue Lun ^a   Voliotis, Valia ^b  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

^b CNRS   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTALS; EPITAXIAL GROWTH; EXCITONS; IMPURITIES; OPTICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTING GALLIUM ARSENIDE;

EQUIVALENT QUANTUM WELL; HETEROINTERFACE UNIFORMITY; LATERAL QUANTUM CONFINEMENT; SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES (QWRS);

SEMICONDUCTOR QUANTUM WIRES;

EID: 33745727648     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2212056     Document Type: Review

References (212)

1. T. Ogawa and T. Takagahara, Phys. Rev. B 43, 14325 (1991).
2. F. Rossi and E. Molinari, Phys. Rev. B 53, 16462 (1996).
3. H. Sakaki, Jpn. J. Appl. Phys. 19, L735 (1980).
4. E. Wigner, Phys. Rev. 46, 1002 (1934).
5. B. Tanatar, I. Al-Hayek, and M. Tomak, Phys. Rev. B 58, 9886 (1998).
6. A. L. Ivanov and H. Haug, Phys. Rev. Lett. 71, 3182 (1993).
7. S. Tomonaga, Prog. Theor. Phys. 5, 544 (1950).
8. Y. Arakawa and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 40, 939 (1982).
9. P. M. Petroff, A. C. Gossard, R. A. Logan, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 41, 635 (1982).
10. K. Kash, A. Scherer, J. M. Worklock, H. G. Craighead, and M. C. Ikmargo, Appl. Phys. Lett. 49, 1043 (1986).
11. E. Kapon, D. M. Hwang, and R. Bhat, Phys. Rev. Lett. 63, 430 (1989).
12. L. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stornier, J. P. Eisenstein, K. W. Baldwin, D. Gershoni, and J. Spector, Appl. Phys. Lett. 56, 1697 (1990).
13. R. Rinaldi et al., Phys. Rev. Lett. 73, 2899 (1994).
14. J. Hasen, L. N. Pfeiffer, A. Pinczuk, H. U. Baranger, K. W. West, and B. S. Dennis, Superlattices Microstruct. 22, 359 (1997).
15. T. Someya, H. Akiyama, and H. Sakaki, Phys. Rev. Lett. 76, 2965 (1996).
16. F. Vouilloz, D. Y. Oberli, M.-A. Dupertuis, A. Gustafsson, F. Reinhardt, and E. Kapon, Phys. Rev. Lett. 78, 1580 (1997).
17. X.-L. Wang, M. Ogura, and H. Matsuhata, Appl. Phys. Lett. 67, 3629 (1995).
18. J. Bellessa, V. Voliotis, R. Grousson, X.-L. Wang, M. Ogura, and H. Matsuhata, Appl. Phys. Lett. 71, 2481 (1997).
19. J. Hasen, L. N. Pfeiffer, A. Pinczuk, S. He, K. W. West, and B. S. Dennis, Nature (London) 390, 54 (1997).
20. F. Vouilloz, D. Y. Oberli, F. Lelarge, B. Dwir, and E. Kapon, Solid State Commun. 108, 945 (1998).
21. X.-L. Wang, M. Ogura, and H. Matsuhata, Appl. Phys. Lett. 66, 1506 (1995).
22. X.-L. Wang, V. Voliotis, R. Grousson, and M. Ogura, J. Cryst. Growth 213, 19 (2000).
23. X.-L. Wang and M. Ogura, J. Cryst. Growth 221, 556 (2000).
24. A. Crottini, J. L. Staehli, B. Deveaud, X.-L. Wang, and M. Ogura, Phys. Rev. B 63, 121313 (2001).
25. T. Guillet, R. Grousson, V. Voliotis, X.-L. Wang, and M. Ogura, Phys. Rev. B 68, 045319 (2003).
26. E. Kapon, Semiconductors and Semimetals (Academic, New York, 1994), Vol. 40, pp. 259-336.
27. H. Akiyama, J. Phys.: Condens. Matter 10, 3095 (1998).
28. S. D. Hersee, E. Barbier, and R. Blondeau, J. Cryst. Growth 77, 310 (1986).
29. W. T. Tsang and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 30, 293 (1977).
30. J. S. Smith, P. L. Derry, S. Margalit, and A. Yariv, Appl. Phys. Lett. 47, 712 (1985).
31. E. Kapon, M. C. Tamargo, and D. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 50, 347 (1987).
32. N. Haider, M. R. Wilby, and D. D. Vvedensky, Appl. Phys. Lett. 62, 3108 (1993).
33. G. Biasiol, A. Gustafsson, K. Leifer, and E. Kapon, Phys. Rev. B 65, 205306 (2002).
34. A. Gustafsson, F. Reinhardt, G. Biasiol, and E. Kapon, Appl. Phys. Lett. 67, 3673 (1995).
35. E. Kapon, G. Biasiol, D. M. Hwang, M. Walther, and E. Colas, Solid-State Electron. 40, 815 (1996).
36. G. Biasiol, E. Kapon, Y. Ducommun, and A. Gustafsson, Phys. Rev. B 57, R9416 (1998).
37. X.-L. Wang, M. Ogura, and H. Matsuhata, J. Cryst. Growth 171, 341 (1997).
38. E. Martinet, A. Gustafsson, G. Biasiol, F. Reinhardt, and E. Kapon, Phys. Rev. B 56, R7096 (1997).
39. P. D. Dapkus, H. M. Manasevit, K. L. Hess, T. S. Low, and G. E. Stillman, J. Cryst. Growth 55, 10 (1981).
40. N. Kobayashi, T. Makimoto, and Y. Horikoshi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 24, L962 (1985).
41. S. P. DenBaars and P. D. Dapkus, J. Cryst. Growth 98, 195 (1989).
42. S. Koshiba et al., Appl. Phys. Lett. 64, 363 (1994).
43. S. Koshiba, I. Tanaka, Y. Nakamura, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 70, 883 (1997).
44. D. Kishimoto, T. Nishinaga, S. Naritsuka, T. Noda, Y. Nakamura, and H. Sakaki, J. Cryst. Growth 212, 373 (2000).
45. S. Koshiba, Y. Nakamura, M. Tsuchiya, H. Noge, H. Kano, Y. Nagamune, T. Noda, and H. Sakaki, J. Appl. Phys. 76, 4138 (1994).
46. K. Yamaguchi and K. Okamoto, Appl. Phys. Lett. 59, 3580 (1991).
47. T. Sugaya, T. Nakagawa, and Y. Sugiyama, IEICE Trans. Electron. E79-C, 1568 (1996).
48. C. Jiang, H. Fujikura, and H. Hasegawa, Physica E (Amsterdam) 7, 902 (2000).
49. C. Jiang, T. Muranaka, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 41, 2683 (2002).
50. T. Muranaka, S. Kasai, C. Jiang, and H. Hasegawa, Physica E (Amster-dam) 13, 1185(2002).
51. H. Fujikura, Y. Hanada, M. Kihara, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 1532 (1998).
52. R. Nötzel, J. Menniger, M. Ramsteiner, A. Ruiz, H.-P. Schönherr, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 68, 1132 (1996).
53. R. Nötzel, M. Ramsteiner, J. Menniger, A. Trampert, H.-P. Schönherr, L. Däweritz, and K. H. Ploog, J. Appl. Phys. 80, 4108 (1996).
54. R. Nötzel, M. Ramsteiner, J. Menniger, A. Trampert, H.-P. Schönherr, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L297 (1996).
55. R. Nötzel, M. Ramsteiner, Z. Niu, H.-P. Schönherr, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 70, 1578 (1997).
56. Y. C. Chang, L. L. Chang, and L. Esaki, Appl. Phys. Lett. 47, 1324 (1985).
57. A. R. Gofli, L. N. Pfeiffer, K. W. West, A. Pinczuk, H. U. Baranger, and H. L. Stornier, Appl. Phys. Lett. 61, 1956 (1992).
58. T. Someya, H. Akiyama, and H. Sakaki, J. Appl. Phys. 79, 2522 (1996).
59. T. Someya, H. Akiyama, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 66, 3672 (1995).
60. P. M. Petroff, A. C. Gossard, and W. Wiegmann, Appl. Phys. Lett. 45, 620 (1984).
61. J. M. Gaines, P. M. Petroff, H. Kroemer, R. J. Simes, R. S. Geels, and J. H. English, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1378 (1988).
62. T. Fukui and H. Saito, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 1373 (1988).
63. M. Tsuchiya, J. M. Gaines, R. H. Yan, R. J. Simes, P. O. Holtz, L. A. Coldren, and P. M. Petroff, Phys. Rev. Lett. 62, 466 (1989).
64. F. Lelarge, F. Lamelle, and B. Etienne, Europhys. Lett. 40, 213 (1997).
65. H. Weman, M. S. Miller, C. E. Pryor, Y. J. Li, P. Bergman, P. M. Petroff, and J. L. Merz, Phys. Rev. B 48, 8047 (1993).
66. M. S. Miller, C. E. Pryor, H. Weman, L. A. Samoska, H. Kroemer, and P.M. Petroff, J. Cryst. Growth 111, 323 (1991).
67. M. S. Miller, H. Weman, C. E. Pryor, M. Krishnamurthy, P. M. Petroff, H. Kroemer, and J. L. Merz, Phys. Rev. Lett. 68, 3464 (1992).
68. M. Krishnamurthy, M. S. Miller, and P. M. Petroff, Appl. Phys. Lett. 61, 2990 (1992).
69. H. Weman, C. I. Harris. J. P. Bergman, M. S. Miller, J. C. Yi, and J. L. Merz, Superlattices Microstruct. 17, 61 (1995).
70. T. Fukui and H. Saito, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 29, L483 (1990).
71. J. Ishizaki, K. Ohkuri, and T. Fukui, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1280 (1996).
72. M. Takeuchi, K. Shiba. K. Sato, H. K. Huang, K. Inoue. and H. Nakashima, Jpn. J. Appl. Phys., Part I 34, 4411 (1995).
73. M. J. S. P. Brasil et al, Appl. Phys. Lett. 65, 857 (1994).
74. Y. Nakamura, S. Koshiba, and H. Sakaki, J. Cryst. Growth 175/176, 1092 (1997).
75. J. Ishizaki, S. Goto, M. Kishida, T. Fukui, and H. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 33, 721 (1994).
76. S. Hara, J. Motohisa, and T. Fukui, Solid-State Electron. 42, 1233 (1998).
77. E. Colas, E. Kapon, S. Simhony, H. M. Cox, R. Bhat, K. Kash, and P. S. D. Lin, Appl. Phys. Lett. 55, 867 (1989).
78. Y. Oda and T. Fukui, J. Cryst. Growth 195, 6 (1998).
79. B. Z. Olshanetsky and V. I. Mashanov, Surf. Sci. 111, 414 (1981).
80. R. Nötzel, L. Däweritz, and K. Ploog, Phys. Rev. B 46, 4736 (1992).
81. R. Nötzel, N. N. Ledentsov, L. Däweritz, K. Ploog, and M. Hohenstein, Phys. Rev. B 45, 3507 (1992).
82. D. Litvinov et al., Appl. Phys. Lett. 81, 1080 (2002).
83. H.-P. Schönherr, J. Fricke, Z. Niu, K.-J. Friedland, R. Nötzel, and K.Ploog , Appl. Phys. Lett. 72, 566 (1998).
84. M. Higashiwaki, M. Yamamoto, T. Higuchi, S. Shimomura, A. Adachi, Y. Okamoto, N. Sano, and S. Hiyamizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 35, L606 (1996).
85. M. Higashiwaki, M. Yamamoto, S. Shimomura, and S. Hiyamizu, Appl. Phys. Lett. 71, 2005 (1997).
86. K. Y. Cheng, K. C. Hsieh, and J. N. Baillargeon, Appl. Phys. Lett. 60, 2892 (1992).
87. P. J. Pearah, A. C. Chen, A. M. Moy, K.-C. Hsieh, and K.-Y. Cheng, IEEE J. Quantum Electron. 30, 608 (1994).
88. A. M. Moy, A. C. Chen, K. Y. Cheng, L. J. Chou, and K. C. Hsieh, J. Cryst. Growth 175/176, 819 (1997).
89. F. Glas, J. Appl. Phys. 62, 3201 (1987).
90. A. C. Chen, A. M. Moy, P. J. Pearah, K. C. Hsieh, and K. Y. Cheng, Appl. Phys. Lett. 62, 1359 (1993).
91. S. T. Chou, K. Y. Cheng, L. J. Chou, and K. C. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 66, 2220(1995).
92. S. Francoeur, A. G. Norman, A. Mascarenhas, E. D. Jones, J. L. Reno, S.R. Lee, and D. M. Follstaedt, Appl. Phys. Lett. 81, 529 (2002).
93. X.-L. Wang, M. Ogura, and H. Matsuhata, J. Cryst. Growth 195, 586 (1998).
94. X.-L. Wang and M. Ogura, Appl. Phys. Lett. 75, 4148 (1999).
95. D. K. Biegeisen, R. D. Bringans, J. E. Northrup, and L.-E. Swartz, Phys. Rev. B 41, 5701 (1990).
96. G. Bastard, Wave Mechanics Applied to Semiconductor Heterostructures (Les Éditions de Physique, Les Ulis, 1988).
97. J. Bellessa, V. Voliotis, R. Grousson, X.-L. Wang, M. Ogura, and H. Matsuhata, Phys. Rev. B 58, 9933 (1998).
98. F. Intonti, V. Emiliani, C. Lienau, T. Elsaesser, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Phys. Rev. B 63, 075313 (2001).
99. M. Yoshita, H. Akiyama, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 40, L252 (2001).
100. E. Kapon, F. Reinhardt, G. Biasiol, and A. Gustafsson, Appl. Surf. Sci. 123/124, 674 (1998).
101. X.-L. Wang, M. Ogura, H. Matsuhata, and A. Hamoudi, Appl. Phys. Lett. 71, 2130 (1997).
102. A. Feltrin, F. Michelini, J. L. Staehli, B. Deveaud, V. Savona, J. Toquant, X.-L. Wang, and M. Ogura, Phys. Rev. Lett. 95, 177404 (2005).
103. T. Guillet, V. Voliotis, R. Grousson, X.-L. Wang, and M. Ogura, Phys. Status Solidi A 190, 759 (2002).
104. H. Akiyama, M. Yoshita, L. N. Pfeiffer, K. W West, and A. Pinczuk, Appl. Phys. Lett. 82, 379 (2003).
105. J. H. Neave, J. Zhang, X. M. Zhang, P. N. Fawcett, and B. A. Joyce, Appl. Phys. Lett. 62, 753 (1993).
106. D. M. Holmes, E. S. Tok, J. L. Sudijono, T. S. Jones, and B. A. Joyce, J. Cryst. Growth 192, 33 (1998).
107. M. Yoshita, H. Akiyama, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Appl. Phys. Lett. 81, 49 (2002).
108. D. S. Citrin, Phys. Rev. Lett. 69, 3393 (1992).
109. J. Feldmann, G. Peter, E. O. Göbel, P. Dawson, K. Moore, C. Foxon, and R. J. Elliott, Phys. Rev. Lett. 59, 2337 (1987).
110. H. Akiyama et al, Phys. Rev. Lett. 72, 924 (1994).
111. S. Nojima, Phys. Rev. B 46, 2302 (1992).
112. M. Lomascolo, P. Ciccarese, R. Cingolani, R. Rinaldi, and F. K. Reinhart, J. Appl. Phys. 83, 302 (1998).
113. U. Jahn, R. Nötzel, J. Ringling, H.-P. Schönherr. H. T. Grahn, K. H. Ploog. and E. Runge, Phys. Rev. B 60, 11038 (1999).
114. X.-Q. Liu. X.-L. Wang, and M. Ogura, J. Appl. Phys. 92, 5593 (2002).
115. X.-Q. Liu, X.-L. Wang, and M. Ogura, Appl. Phys. Lett. 79, 1622 (2001).
116. X.-Q. Liu, X.-L. Wang, M. Ogura, T. Guillet, V. Voliotis. and R. Grousson, Appl. Phys. Lett. 83, 5059 (2003).
117. W. Langbein, H. Gislason, and J. M. Hvam, Phys. Rev. B 54, 14595 (1996).
118. M. H. Szymanska, P. B. Littlewood, and R. J. Needs, Phys. Rev. B 63, 205317 (2001).
119. H. Itoh, Y. Hayamizu, M. Yoshita, H. Akiyama, L. N. Pfeiffer, K. W. West, M. H. Szymanska, and P. B. Littlewood, Appl. Phys. Lett. 83, 2043 (2003).
120. A. Richter, G. Behme, M. Süptitz, Ch. Lienau, T. Elsaesser, M. Ramsteiner, R. Nötzel, and K. H. Ploog, Phys. Rev. Lett. 79, 2145 (1997).
121. T. Otterburg, F. Lelarge, A. Rudra, and E. Kapon, Appl. Phys. Lett. 81, 274 (2002).
122. D. Gammon, E. S. Snow, B. V. Shanabrook, D. S. Katzer, and D. Park, Science 273, 87 (1996);
123. Phys. Rev. Lett. 76, 3005 (1996).
124. T. Guillet, V. Voliotis, R. Grousson, R. Ferreira, X.-L. Wang, and M.Ogura, Physica E (Amsterdam) 9, 686 (2001).
125. T. Guillet, J. Berréhar, R. Grousson, J. Kovensky, C. Lapersonne-Meyer,M. School, and V. Voliotis, Phys. Rev. Lett. 87, 087401 (2001).
126. H. F. Hess, E. Betzig, T. D. Harris, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, Science 264, 1740 (1994).
127. S. A. Empedocles, R. Neuhauser, K. Shimizu, and M. G. Bawendi, Adv.Mater. (Weinheim, Ger.) 11, 1243 (1999).
128. T. Guillet, R. Grousson, V. Voliotis, M. Menant, X.-L. Wang, and M.Ogura, Phys. Rev. B 67, 235324 (2003).
129. F. Yang, M. Wilkinson, E. J. Austin, and K. P. O'Donnell, Phys. Rev.Lett. 70, 323 (1993).
130. R. Cingolani et al., Phys. Rev. B 58, 1962 (1998).
131. D. Y. Oberli, M. A. Dupertuis, F. Reinhardt, and E. Kapon, Physica E (Amsterdam) 2, 862 (1998).
132. X. Q. Liu, X.-L. Wang, M. Ogura. T. Guillet, V. Voliotis, and R. Grousson, Appl. Phys. Lett. 80, 1894 (2002).
133. M. Combescot and T. Guiilet, Eur. Phys. J. B 34, 9 (2003).
134. R. Zimmermann and E. Runge, Phys. Status Solidi A 164, 511 (1997).
135. M. Tsetseri, G. P. Triberis, V. Voliotis, and R. Grousson, Superlattices Microstruct. 29, 367 (2001).
136. F. Intonti et al., Phys. Rev. Lett. 87, 076801 (2001).
137. B. Deveaud, T. C. Damen, and J. Shah, Appl. Phys. Lett. 51, 828 (1987).
138. V. Savona and R. Zimmermann, Phys. Rev. B 60, 4928 (1999).
139. A. Feltrin et al., Phys. Rev. B 69, 205321 (2004).
140. H. Benisty, Phys. Rev. B 51, 13281 (1995).
141. H. Benisty, C. M. Sotomayor-Torrès, and C. Weisbuch, Phys. Rev. B 44, 10945 (1991).
142. U. Bockelmann and G. Bastard, Phys. Rev. B 42, 8947 (1990).
143. B. Ohnesorge, M. Albrecht, J. Oshinowo, A. Forchel, and Y. Arakawa, Phys. Rev. B 54, 11532(1996).
144. U. Bockelmann, W. Heller, A. Filoramo, and P. Roussignol, Phys. Rev. B 55, 4456 (1997).
145. S. Raymond, S. Fafard, S. Charbonneau, R. Leon, D. Leonard, P. M. Petroff, and J. L. Merz, Phys. Rev. B 52, 17238 (1995).
146. S. Raymond et al., Superlattices Microstruct. 21, 541 (1997).
147. S. Grosse, J. H. H. Sandmann, G. von Plessen, J. Feldmann, H. Lipsanen, M. Sopanen, J. Tulkki, and J. Ahopelto, Phys. Rev. B 55, 4473 (1997).
148. T. H. Gfroerer et al., Phys. Rev. B 53, 16474 (1996).
149. S. Fafard, R. Leon, D. Leonard, J. L. Merz, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 52, 5752 (1995).
150. U. Bockelmann, P. Roussignol, A. Filorame, W. Heller, G. Abstreiter, K. Brunner, G. Böhm, and G. Wiemann, Phys. Rev. Lett. 76, 3622 (1996).
151. T. Inoshita and H. Sakaki, Phys. Rev. B 46, 7260 (1992).
152. R. Heitz et al., Appl. Phys. Lett. 68, 361 (1996).
153. AI. L. Efros, V. A. Kharchenko, and M. Rosen, Solid State Commun. 93, 281 (1995).
154. U. Bockelmann, Phys. Rev. B 48, 17637 (1993).
155. D. Y. Oberli, M. A. Dupertuis, F. Reinhardt, and E. Kapon, Phys. Rev. B 59, 2910 (1999).
156. K. Komori, F. Sasaki, X.-L. Wang, M. Ogura, and H. Matsuhata, Solid-State Electron. 42, 1211 (1998).
157. E. T. Rashba and G. E. Gurgenishvili, Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 4, 759 (1962)
158. [Sov. Phys. Solid State 4, 759 (1962)].
159. C. H. Henry and K. Nassau, Phys. Rev. B 1, 1628 (1970).
160. T. Takagahara and E. Hanamura, Phys. Rev. Lett. 56, 2533 (1986).
161. D. L. Dexter, in Solid State Physics, edited by F. Seitz and D. Turnbull (Academic, New York, 1958), Vol. 6, p. 353.
162. T. Itoh, M. Nishijima, A. I. Ekimov, C. Gourdon, A. L. Efros, and M. Rosen, Phys. Rev. Lett. 74, 1645 (1995).
163. Y. Kayanuma, Phys. Rev. B 38, 9797 (1988).
164. V. Voliotis, R. Grousson, P. Lavallard, and R. Planel, Phys. Rev. B 52, 10725 (1995).
165. M. Bayer, S. N. Walck, T. L. Reinecke, and A. Forchel, Phys. Rev. B 57, 6584 (1998).
166. L. C. Andreani, in Confined Electrons and Photons: New Physics and Devices, edited by E. Burstein and C. Weisbuch (Plenum, New York, 1995), p. 57.
167. T. Guillet, Ph.D. thesis, Université Pierre et Marie Curie, Paris, 2002; http://tel.cnrs.ccd
168. R. Kumar, A. S. Vengurlekar, A. Venu Gopal, T. Mélin, F. Lamelle, B. Etienne, and J. Sham, Phys. Rev. Lett. 81, 2578 (1998).
169. I. K. Oh and J. Singh, J. Lumin. 85, 233 (2000).
170. R. Heitz, M. Veit, N. N. Ledentsov, A. Hoffmann, D. Bimberg, V. M. Ustinov, P. S. Kop'ev, and Zh. I. Alferov, Phys. Rev. B 56, 10435 (1997).
171. J. Bardeen and W. Shockley, Phys. Rev. 80, 72 (1950).
172. W. Braun, M. Bayer, A. Forchel, H. Zull, J. P. Reithmaier, A. I. Filin, and T. L. Reinecke, Phys. Rev. B 56, 12096 (1997).
173. O.Verzelen, R. Ferreira, and G. Bastard, Phys. Rev. B 62, R4809 (2000);
174. O.Verzelen, R. Ferreira, and G. Bastard, Phys. Rev. B 64, 075315 (2001).
175. S. Hameau et al., Phys. Rev. B 65, 085316 (2002).
176. X. Q. Li, H. Nakayama, and Y. Arakawa, Phys. Rev. B 59, 5069 (1999).
177. L. Besombes, K. Kheng, L. Marsal, and H. Mariette, Phys. Rev. B 63, 155307 (2001).
178. C. Kammerer et al., Phys. Rev. B 66, 041306(R) (2002).
179. M. Z. Maialle, E. A. De Andrada e Silva, and L. J. Sham, Phys. Rev. B 47, 15776 (1993).
180. E. L. Ivchenko, Phys. Status Solidi A 164, 487 (1997).
181. M. A. Dupertuis, E. Martinet, D. Y. Oberli, and E. Kapon, Europhys. Lett. 52, 420 (2000).
182. V. D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand, T. Kümmel, A. Forchel, E. Borovitskaya, K. Leonardi, and D. Hommel, Phys. Rev. Lett. 82, 1780 (1999).
183. L. Besombes, K. Kheng, and D. Martrou, Phys. Rev. Lett. 85, 425 (2000).
184. D. Larousserie and R. Ferreira, Phys. Rev. B 60, 1892 (1999).
185. M. Bayer et al., Phys. Rev. Lett. 82, 1748 (1999).
186. H. Akiyama, L. Pfeiffer, M. Yoshita, A. Pinczuk, P. B. Littlewood, K. W. West, M. J. Matthews, and J. Wynn, Phys. Rev. B 67, 041302(R) (2003).
187. J. Bellessa, V. Voliotis, T. Guillet, D. Roditchev, R. Grousson, X.-L.Wang, and M. Ogura, Eur. Phys. J. B 21, 499 (2001).
188. L. Banyai, I. Galbraith, C. Ell, and H. Haug, Phys. Rev. B 36, 6099 (1987).
189. A. Crottini, J. L. Staehli, B. Deveaud, X.-L. Wang, and M. Ogura, Phys. Status Solidi B 221, 277 (2000).
190. E. Dekel, D. V. Regelman, D. Gershoni, E. Ehrenfreund, W. V. Schoenfeld, and P. M. Petroff, Phys. Rev. B 62, 11038 (2000).
191. U. Bockelmann and T. Egeler, Phys. Rev. B 46, 15575 (1992).
192. A. V. Uskov, J. Mclnerney, F. Adler, H. Schweizer, and M. H. Pilkuhn, Appl. Phys. Lett. 72, 58 (1998).
193. S. Das Sarma and D. W. Wang, Phys. Rev. Lett. 84, 2010 (2000).
194. S. Das Sarma and D. W. Wang, Phys. Rev. B 64, 195313 (2001).
195. C. Piermarocchi and F. Tassone, Phys. Rev. B 63, 245308 (2001).
196. M. Stopa, Phys. Rev. B 63, 195312 (2001).
197. P. B. Littlewod, K. W. West, and B. S. Dennis, Solid State Commun. 120, 423 (2001).
198. M. Combescot and C. Tanguy, Europhys. Lett. 55, 390 (2001).
199. C. Gréus, A. Forchel, R. Spiegel, F. Faller, S. Benner, and H. Haug, Europhys. Lett. 34, 213 (1996).
200. R. Cingolani, R. Rinaldi, M. Ferrara, G. C. La Rocca, H. Lage, D. Heitmann, K. H. Ploog, and H. Kalt, Phys. Rev. B 48, 14331 (1993).
201. R. Ambigapathy, I. Bar-Joseph, D. Y. Oberli, S. Haacke, M. J. Brasil, F. Reinhardt, E. Kapon, and B. Deveaud, Phys. Rev. Lett. 78, 3579 (1997).
202. T. G. Kim, X.-L. Wang, R. Kaji, and M. Ogura, Physica E (Amsterdam) 7, 508 (2000).
203. W. Weigsheider, L. N. Pfeiffer, M. Dignam, A. Pinczuk, K. W. West, S. L. McCall, and R. Hull, Phys. Rev. Lett. 71, 4071 (1993).
204. L. Sirigu, D. Y. Oberli, L. Degiorgi, A. Rudra, and E. Kapon, Phys. Rev. B 61, R10575 (2000).
205. J. Rubio et al., Solid State Commun. 120, 423 (2001).
206. F. Vouilloz, S. Wiesendanger, D. Y. Oberli, B. Dwir, F. Reinhardt, and E. Kapon, Physica E (Amsterdam) 2, 862 (1998).
207. A. Honold, L. Schulteis, J. Kuhl, and C. W. Tu, Phys. Rev. B 40, 6442 (1989).
208. A. Venu Gopal, A. S. Vengurlekar, F. Lamelle, B. Etienne, and J. Sham, Solid State Commun. 115, 517 (2000).
209. D. Kaufman, Y. Berk, B. Dwir, A. Rudra, A. Palevski, and E. Kapon, Phys. Rev. B 59, R10433 (1999).
210. X.-L. Wang, M. Ogura, T. Guillet, V. Voliotis, and R. Grousson, Physica E (Amsterdam) 32, 329 (2006).
211. R. Melet, V. Voliotis, R. Grousson, and X.-L. Wang, presented at Ninth Conference on the Optics of Excitons in Confined Systems, Southampton, UK, 2005 (unpublished).
212. T. G. Kirn, X.-L. Wang, Y. Suzuki, K. Komori, and M. Ogura, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 6, 511 (2000).