Selectivity of growth on patterned GaAs (311)A substrates

Applied Physics Letters

Volumn 68, Issue 8, 1996, Pages 1132-1134

  Nötzel, Richard ^a   Menniger, Johann ^a   Ramsteiner, Manfred ^a   Ruiz, Ana ^a   Schönherr, Hans Peter ^a   Ploog, Klaus H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000476981     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.115736     Document Type: Article

References (14)

1. W. T. Tsang and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 30, 293 (1977).
2. H. P. Meier, R. F. Broom, P. W. Epperlein, E. van Gieson, Ch. Harder, H. Jäckel, W. Walter, and D. J. Webb, J. Vac. Sci. Technol. B 6, 693 (1988).
3. E. Kapon, M. C. Tamargo, and D. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 50, 347 (1987).
4. P. Demeester, P. VanDaele, and R. Baets, J. Appl. Phys. 63, 2284 (1988).
5. E. Colas, E. Kapon, S. Simhony, H. M. Cox, T. Bhat, K. Kash, and P. S. Lin, Appl. Phys. Lett. 55, 867 (1989).
6. K. C. Rajkumar, A. Madhukar, P. Chen, A. Konkar, L. Chen, K. Rammohan, and D. H. Rich, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1071 (1994).
7. R. Nötzel, N. Ledentsov, L. Däweritz, M. Hohenstein, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991).
8. R. Nötzel, J. Temmyo, and T. Tamamura, Nature 369, 131 (1994).
9. E. Kapon, D. Hwang, and R. Bhat, Phys. Rev. Lett. 63, 430 (1989).
10. Y. Nakamura, S. Koshiba, M. Tsuchiya, H. Kano, and H. Sakaki, Appl. Phys. Lett. 59, 700 (1991).
11. M. Lopez, T. Ishikawa, and Y. Nomura, Jpn. J. Appl. Phys. 3, L1051 (1993).
12. M. Walther, T. Röhr, H. Kratzer, G. Böhm, W. Klein, G. Tränkle, and G. Weimann, Inst. Phys. Conf. Ser. 136, 511 (1994).
13. S. Koshiba, H. Noge, H. Akiyama, T. Inoshita, Y. Nakamura, A. Shimizu, Y. Nagamune, M. Tsuchiya, H. Kano, H. Sakaki, and K. Wada, Appl. Phys. Lett. 64, 363 (1994).
14. E. Colas, G. C. Nihous, and D. M. Hwang, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 691 (1992).