Patterned growth on high-index GaAs (n11) substrates: Application to sidewall quantum wires

Journal of Applied Physics

Volumn 80, Issue 7, 1996, Pages 4108-4111

  Nötzel, Richard ^a   Ramsteiner, Manfred ^a   Menniger, Johann ^a   Trampert, Achim ^a   Schönherr, Hans Peter ^a   Däweritz, Lutz ^a   Ploog, Klaus H ^a  

^a PAUL DRUDE INSTITUT FÜR FESTKÖRPERELEKTRONIK   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0342799877     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.363281     Document Type: Article

References (19)

1. For a recent review, see Low Dimensional Structures Prepared by Epitaxial Growth or Regrowth on Patterned Substrates, edited by K. Eberl, P. M. Petroff, and P. Demeester, NATO Advanced Science Institute Series E, Vol. 298 (Kluwer, Dordrecht, 1995).
2. K. Kapon, M. C. Tamargo, and D. M. Hwang, Appl. Phys. Lett. 50, 347 (1917).
3. E. Colas, E. Kapon, S. Simhony, H. M. Cox, T. Bhat, K. Kash, and P. S. D. Lin, Appl. Phys. Lett. 55, 867 (1989).
4. M. Lopez, T. Ishikawa, and Y. Nomura, Jpn. J. Appl. Phys. 3, L1051 (1993).
5. M. Walther, T. Röhr, G. Böhm, G. Tränkle, and G. Weiman, J. Cryst. Growth 127, 1045 (1993).
6. S. Koshiba, H. Noge, H. Akiyama, T. Inoshita, Y. Nakamura, A. Shimizu, Y. Nagamune, M. Tsuchiya, H. Kano, H. Sakaki, and K. Wada, Appl. Phys. Lett. 64, 363 (1994).
7. R. Nötzel, J. Menniger, M. Ramsteiner, A. Ruiz, H. P. Schönherr, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 68, 1132 (1996).
8. R. Nötzel, N. Ledentsov, L. Däweritz, M. Hohenstein, and K. Ploog, Phys. Rev. Lett. 67, 3812 (1991).
9. R. Nötzel, J. Temmyo, and T. Tamamura, Nature 369, 131 (1994).
10. W. T. Tsang and A. Y. Cho, Appl. Phys. Lett. 30, 293 (1977).
11. T. Takebe, M. Fujii, T. Yamamoto, K. Fujita, and K. Kobayashi, J. Cryst. Growth 127, 937 (1993).
12. Y. Nomura, Y. Morishita, S. Goto, Y. Katayama, and T. Isu, Appl. Phys. Lett. 64, 1123 (1994).
13. R. Nötzel, J. Menniger, M. Ramsteiner, H. P. Schönherr, L. Däweritz, and K. H. Ploog, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L297 (1996).
14. E. Kapon, D. Hwang, and R. Bhat, Phys. Rev. Lett. 63, 430 (1989).
15. K. C. Rajkumar, A. Madhukar, P. Chen, A. Konkar, L. Chen, K. Rammohan, and D. H. Rich, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1071 (1994).
16. S. H. Jones, L. K. Seidel, K. M. Lau, and M. Harold, J. Cryst. Growth 108, 73 (1991).
17. Y. Nomura, Y. Morishita, S. Goto, and Y. Katayama, J. Electron. Mater. 23, 97 (1994).
18. K. J. Nash, M. S. Skolnick, P. A. Claxton, and J. S. Roberts, Phys. Rev. B 39, 10 943 (1989).
19. M. Bayer, P. Ils, M. Michel, A. Forchel, T. L. Reinecke, and P. A. Knipp, Phys. Rev. B 53, 4668 (1996).