Oxidation conditions for octadecyl trichlorosilane monolayers on silicon: A detailed atomic force microscopy study of the effects of pulse height and duration on the oxidation of the monolayer and the underlying Si substrate

Advanced Functional Materials

Volumn 15, Issue 6, 2005, Pages 938-944

  Wouters, Daan ^a   Willems, Ron ^a   Hoeppener, Stephanie ^a   Flipse, Cees F J ^a   Schubert, Ulrich S ^a  

^a EINDHOVEN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Netherlands)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ATMOSPHERIC HUMIDITY; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRIC POTENTIAL; HYDROPHOBICITY; NANOTECHNOLOGY; OXIDATION; SILANES; SILICA;

BIAS VOLTAGE; ORGANIC MONOLAYERS; PULSE DURATION; RESIST LAYERS;

SELF ASSEMBLY;

EID: 20544467012     PISSN: 1616301X     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200400534     Document Type: Article

References (40)

1. S. Kramer, R. R. Fuierer, C. B. Gorman, Chem. Rev. 2003, 703, 4367.
2. P. M. Campbell, E. S. Snow, Semicond. Sci. Technol. 1996, 11, 1558.
3. a) D. Wouters, U. S. Schubert, Angew. Chem. Int. Ed. 2004, 43, 2480.
4. b) D. S. Ginger, H. Zhang, C. A. Mirkin, Angew, Chem. Int. Ed. 2004, 43, 30.
5. c) C. F. Quate, Surf. Sci. 1997, 386, 259.
6. a) D. Bullen, S.-W. Chung, X. Wang, J. Zou, C. A. Mirkin, C. Liu, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 789.
7. b) K. Wilder, H. T. Soh, A. Atalar, C. F. Quate, Rev. Sci. Instrum. 1999, 70, 2822.
8. c) M. Cavallini, P. Mei, F. Biscarini, R. Garcia, Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 5286.
9. d) P. Vettiger, M. Despont, U. Drechsler, U. Durig, W. Haberle, M. I. Lutwyche, H. E. Rothuizen, R. Stutz, R. Widmer, G. K. Binnig, IBM J. Res. Dev. 2000, 44, 323.
10. a) F. S.-S. Chien, W.-F. Hsieh, S. Gwo, A. E. Vladar, J. A. Dagata, J. Appl. Phys. 2002, 91, 10044.
11. b) M. Rolandi, C. F. Quate, H. Dai, Adv. Mater. 2002, 14, 191.
12. c) H. Sugimura, T. Hanji, K. Hayashi, O. Takai, Ultramicroscopy 2002, 91, 221.
13. H. Sugimura, O. Takai, N. Nakagiri, J. Electroanal. Chem. 1999, 473, 230.
14. Q. Li, J. Zheng, Z. Liu, Langmuir 2003, 19, 166.
15. H. Sugimura, T. Hanji, K. Hayashi, O. Takai, Ultramicroscopy 2002, 91, 221.
16. a) H. Lee, S. A. Kim, S. J. Ahn, H. Lee, Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 138.
17. b) S. J. Ahn, Y. K. Jang, H. Lee, H. Lee, Appl Phys. Lett. 2002, 80, 2592.
18. R. Maoz, S. R. Cohen, J. Sagiv, Adv. Mater. 1999, 11, 55.
19. R. Maoz, E. Frydman, S. R. Cohen, J. Sagiv, Adv. Mater. 2000, 12, 424.
20. a) R. Maoz, E. Frydman, S. R. Cohen, J. Sagiv, Adv. Mater. 2000, 12, 725.
21. b) S. Hoeppener, R. Maoz, S. R. Cohen, L. Chi, H. Fuchs, J. Sagiv, Adv. Mater. 2002, 14, 1036.
22. c) S. Liu, R. Maoz, J. Sagiv, Nano Lett. 2004, 4, 845.
23. d) D. Wouters, U. S. Schubert, Langmuir 2003, 19, 9033.
24. a) J. A. Dagata, F. Perez-Murano, C. Martin, H. Kuramochi, H. Yokoyama, J. Appl, Phys. 2004, 96, 2386.
25. b) J. A. Dagata, F. Perez-Murano, C. Martin, H. Kuramochi, H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 2004, 96, 2393.
26. E. S. Snow, G. G. Jernigan, P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1782.
27. X. N. Xie, H. J. Chung, C. H. Sow, A. T. S. Wee, Chem. Phys. Lett. 2004, 388, 446.
28. H. Sugimura, N. Nakagiri, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 1995, 34, 3406.
29. a) M. Tello, F. Garciá, R. Garcia, J. Appl. Phys. 2002, 92, 4075.
30. b) M. Tello, R. Garciá, Appl. Phys. Lett. 2001, 79, 424.
31. R. Finer, R. S. Ruoff, Rev. Sci. Instrum. 2002, 73, 3392.
32. a) V. Scherer, M. Reinstaedler, W. Arnold, Applied Scanning Probe Methods (Eds: B. Bhushan, H. Fuchs, S. Hosaka), Springer-Verlag, Berlin, Germany 2004, p. 75.
33. b) T. Kawagishi, A. Kato, H. Atsushi, Y. Hoshi, H. Kawatsu, Ultramicroscopy 2002, 91, 37.
34. c) A. Spychalski-Merle, K. Krischlker, T. Goddenhenrich, C. Heiden, Appl. Phys. Lett. 2000, 77, 501.
35. d) H.-U. Krotil, E. Weilandt, T. Stifter, O. Marti, S. Hild, Surf. Interface Anal. 1999, 27, 341.
36. a) J. W. Hong, S.-I. Park, Z. G. Khim, Rev. Sci. Instrum. 1999, 70, 1735.
37. b) T. P. Gotszalk, P. Grabiec, I. W. Rangelow, Mater. Sci. 2003, 21, 333.
38. a) R. Dianoux, F. Martins, F. Marchi, C. Alandi, F. Comin, J. Chevrier, Phys. Rev. B 2003, 68, 045 403/1.
39. b) C. Gillemot, P. Budau, J. Chevrier, F. Marchi, F. Comin, C. Alandi, F. Bertin, N. Buffet, C. Wyon, P. Mur, Europhys. Lett. 2002, 59, 566.
40. S. Hoeppener, R. Maoz, J. Sagiv, Nano Lett. 2003, 3, 761.