Linewidth determination in local oxidation nanolithography of silicon surfaces

Journal of Applied Physics

Volumn 92, Issue 7, 2002, Pages 4075-4079

  Tello, Marta ^a   Garciá, Fernando ^a   Garciá, Ricardo ^a  

^a ISAAC NEWTON GROUP OF TELESCOPES   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AFM IMAGE; DIFFERENT STRUCTURE; LOCAL OXIDATION; LOCAL OXIDATION LITHOGRAPHY; MINIMUM FEATURE SIZES; OXIDE LINES; OXIDE STRUCTURES; OXIDE THICKNESS; PARALLEL LINE; SEXITHIOPHENES; SILICON SURFACES; SIZE AND SHAPE; TRAPEZOIDAL SHAPE;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; FABRICATION; SILICON OXIDES;

LINEWIDTH;

EID: 1642392660     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1501753     Document Type: Article

References (27)

1. E. S. Snow, P. M. Campbell, F. A. Buot, D. Park, C. R. K. Marrian, and R. Magno, Appl. Phys. Lett. 72, 3071 (1998). apl APPLAB 0003-6951
2. R. Held, T. Vancura, T. Heinzel, K. Ensslin, M. Holland, and W. Wegscheider, Appl. Phys. Lett. 73, 262 (1998). apl APPLAB 0003-6951
3. K. Matsumoto, Y. Gotoh, T. Maeda, J. A. Dagata, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 76, 239 (2000). apl APPLAB 0003-6951
4. R. García, M. Calleja, and H. Rohrer, J. Appl. Phys. 86, 1898 (1999). jap JAPIAU 0021-8979
5. J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, and H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 84, 6891 (1998). jap JAPIAU 0021-8979
6. F. S. Chien, Y.-C. Chou, T. T. Chen, W.-F. Hsieh, T. S. Chao, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 89, 2465 (2001). apl APPLAB 0003-6951
7. Y. Okada, Y. Luchi, M. Kawabe, and J. S. Harris, J. Appl. Phys. 88, 1136 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
8. E. Dubois and J.-L. Bubendorff, J. Appl. Phys. 87, 8148 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
9. J. Shirakashi, K. Matsumoto, N. Miura, and M. Konagai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 36, L1257 (1997). jjc JAPLD8 0021-4922
10. E. Snow, P. M. Cambell, and F. K. Perkins, Proc. IEEE 85, 601 (1997). iee IEEPAD 0018-9219
11. A. Avramescu, A. Ueta, K. Uesugi, and I. Suemune, J. Appl. Phys. 88, 3158 (2000). jap JAPIAU 0021-8979
12. R. Maoz, E. Frydman, S. R. Cohen, and J. Sagiv, Adv. Mater. 12, 725 (2000). amt ADVMEW 0935-9648
13. P. Avouris, T. Hertel, and R. Martel, Appl. Phys. Lett. 71, 285 (1997). apl APPLAB 0003-6951
14. M. Calleja and R. García, Appl. Phys. Lett. 76, 3427 (2000). apl APPLAB 0003-6951
15. M. Tello and R. García, Appl. Phys. Lett. 79, 424 (2001). apl APPLAB 0003-6951
16. J. A. Dagata, F. Pérez-Murano, G. Abadal, K. Morimoto, T. Inoue, J. Itoh, and H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 76, 2710 (2000). apl APPLAB 0003-6951
17. E. B. Cooper, S. R. Manalis, H. Fang, H. Dai, S. C. Minne, T. Hunt, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett. 75, 3566 (1999). apl APPLAB 0003-6951
18. V. Bouchiat, M. Faucher, C. Thirion, W. Wernsdorfer, T. Fournier, and B. Pannetier, Appl. Phys. Lett. 79, 123 (2001). apl APPLAB 0003-6951
19. F. S. Chien, C.-L. Wu, Y.-C. Chou, T. T. Chen, S. Gwo, and W.-F. Hsieh, Appl. Phys. Lett. 75, 2429 (1999). apl APPLAB 0003-6951
20. S. C. Minne, J. D. Adams, G. Yaralioglu, S. R. Manalis, A. Atalar, and C. F. Quate, Appl. Phys. Lett. 73, 1742 (1998). apl APPLAB 0003-6951
21. Y. Gotoh, K. Matsumoto, T. Maeda, E. B. Cooper, S. R. Manalis, H. Fang, S. C. Minne, T. Hunt, H. Dai, J. Harris, and C. F. Quate, J. Vac. Sci. Technol. A 18, 1321 (2000). jva JVTAD6 0734-2101
22. R. García and A. San Paulo, Phys. Rev. B 61, R13381 (2000). prb PRBMDO 0163-1829
23. R. García and A. San Paulo, Phys. Rev. B 60, 4961 (1999). prb PRBMDO 0163-1829
24. F. Biscarini, R. Zamboni, P. Samorí, P. Osotja, and C. Taliani, Phys. Rev. B 52, 14868 (1995). prb PRBMDO 0163-1829
25. D. Keller and F. S. Franke, Surf. Sci. 294, 409 (1993). sus SUSCAS 0039-6028
26. K. Morimoto, K. Araki, K. Yamashita, K. Motira, and M. Niwa, Appl. Surf. Sci. 117, 652 (1997). asu ASUSEE 0169-4332
27. K. Morimoto, F. Pérez-Murano, and J. Dagata, Appl. Surf. Sci. 158, 205 (2000). asu ASUSEE 0169-4332