Microstructural modifications induced by rapid thermal annealing in plasma deposited SiOxNyHz films

Journal of Applied Physics

Volumn 94, Issue 2, 2003, Pages 1019-1029

  Del Prado, A ^a   San Andres E ^a   Martil I ^a   Gonzalez Diaz G ^a   Bravo, D ^b   Lopez F J ^b   Fernandez M ^c   Martinez F L ^d  

^a UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID   (Spain)

^c INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID   (Spain)

^d TECHNICAL UNIVERSITY OF CARTAGENA   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHEMICAL BONDS; COMPOSITION; DIELECTRIC FILMS; ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; MAGNETIC FIELD EFFECTS; PASSIVATION; PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; RAPID THERMAL ANNEALING; RELAXATION PROCESSES;

THERMAL RELAXATION;

SILICON COMPOUNDS;

EID: 0042767764     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1586979     Document Type: Article

References (44)

1. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3017 (1996).
2. M. M. Moslehi, R. A. Chapman, M. Wong, A. Paranjpe, H. N. Najm, J. Kuehne, R. L. Yeakley, and C. J. Davis, IEEE Trans. Electron Devices 39, 4 (1992).
3. W. A. P. Claassen, H. A. J. Th. v. d. Pol, A. H. Goemans, and A. E. T. Kuiper, J. Electrochem. Soc. 133, 1458 (1986).
4. C. M. M. Denisse, K. Z. Troost, J. B. Oude Elferink, F. H. P. M. Habraken, W. F. van der Weg, and M. Hendriks, J. Appl. Phys. 60, 2536 (1986).
5. L.-N. He, T. Inokuma, and S. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1503 (1996).
6. Y. Ma and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2504 (1994).
7. M. Hernández Vélez, O. Sánchez Garrido, F. Fernández Gutiérrez, C. Falcony, and J. M. Martínez-Duart, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1087 (1998).
8. P. V. Bulkin, P. L. Swart, and B. M. Lacquet, J. Non-Cryst. Solids 187, 484 (1995).
9. D. Landheer, Y. Tao, J. E. Hulse, T. Quance, and D.-X. Xu, J. Electrochem. Soc. 143, 1681 (1996).
10. M. J. Hernández, J. Garrido, J. Martímez, and J. Piqueras, Semicond. Sci. Technol. 12, 927 (1997).
11. A. del Prado, I. Mártil, M. Fernández, and G. González-Díaz, Thin Solid Films 343-344, 432 (1999).
12. Z. Lu, P. Santos-Filho, G. Stevens, M. J. Williams, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 607 (1995).
13. J. T. Fitch, S. S. Kim, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1871 (1990).
14. Y. Ma, T. Yasuda, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1533 (1993).
15. W. K. Choi, C. K. Choo, and Y. F. Lu, J. Appl. Phys. 80, 5837 (1996).
16. D. Landheer, J. E. Hulse, and T. Quance, Thin Solid Films 293, 52 (1997).
17. N. Bhat, A. W. Wang, and K. C. Sarawat, IEEE Trans. Electron Devices 46, 63 (1999).
18. F. L. Martínez, A. del Prado, I. Mártil, G. González-Díaz, B. Selle, and I. Sieber, J. Appl. Phys. 86, 2055 (1999).
19. F. L. Martínez, A. del Prado, I. Mártil, D. Bravo, and F. J. López, J. Appl. Phys. 88, 2149 (2000).
20. F. L. Martínez, E. San Andrés, A. del Prado, I. Mártil, D. Bravo, and F. J. López, J. Appl. Phys. 90, 1573 (2001).
21. F. L. Martínez, A. del Prado, I. Mártil, G. González-Díaz, W. Bohne, W. Fuhs, J. Röhrich, B. Selle, and I. Sieber, Phys. Rev. B 63, 245320 (2001).
22. F. L. Martínez, A. del Prado, I. Mártil, G. González-Díaz, K. Kliefoth, and W. Füssel. Semicond. Sci. Technol. 16, 534 (2001).
23. E. San Andrés, A. del Prado, F. L. Martínez, I. Mártil, D. Bravo, and F. J. López, J. Appl. Phys. 87, 1187 (2000).
24. E. San Andrés, A. del Prado, I. Mártil, G. González-Díaz, D. Bravo, and F. J. López, J. Appl. Phys. 92, 1906 (2002).
25. S. García, J. M. Martín, M. Fernández, I. Mártil, and G. González-Díaz, Philos. Mag. A 73, 487 (1996).
26. F. L. Martínez, I. Mártil, G. González-Díaz, B. Selle, and I. Sieber, J. Non-Cryst. Solids 227-230, 523 (1998).
27. A. del Prado, F. L. Martínez, M. Fernández, I. Mártil, and G. González-Díaz, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1263 (1999).
28. A. del Prado et al. J. Appl. Phys. 93, 8930 (2003).
29. W. A. Lanford and M. J. Rand, J. Appl. Phys. 49, 2473 (1978).
30. G. Lucovsky, Solid State Commun. 29, 571 (1979).
31. J.-L. Yeh and S.-C. Lee, J. Appl. Phys. 79, 656 (1996).
32. D. V. Tsu, G. Lucovsky, and M. J. Mantini, Phys. Rev. B 33, 7069 (1986).
33. P. G. Pai, S. S. Chao, Y. Takagi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 689 (1986).
34. D. V. Tsu, G. Lucovsky, M. J. Mantini, and S. S. Chao, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1998 (1987).
35. A. Sassella, A. Borghesi, F. Corni, A. Monelli, G. Ottaviani, R. Tonini, B. Pivac, M. Bacchetta, and L. Zanotti, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 377 (1997).
36. S. Hasegawa, S. Sakamori, M. Futatsudera, T. Inokuma, and Y. Kurata, J. Appl. Phys. 89, 2598 (2001).
37. P. M. Lenahan and J. F. Conley, Jr., J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2134 (1998).
38. J. H. Stathis, J. Chapple-Sokol, E. Tierney, and J. Batey, Appl. Phys. Lett. 56, 2111 (1990).
39. D. Schalch, A. Scharmann, and R. Wolfrat, Thin Solid Films 124, 301 (1985).
40. K. E. Mattsson, J. Appl. Phys. 77, 6616 (1995).
41. A. del Prado, E. San Andrés, F. L. Martínez, I. Mártil, G. González-Díaz, W. Bohne, J. Röhrich, B. Selle, and M. Fernández, Vacuum 67, 507 (2002).
42. W. L. Warren, J. Kanicki, F. C. Rong, and E. H. Poindexter, J. Electrochem. Soc. 139, 880 (1992).
43. C. M. M. Denisse, K. Z. Troost, F. H. P. M. Habraken, W. F. van der Weg, and M. Hendriks, J. Appl. Phys. 60, 2543 (1986).
44. E. San Andrés, A. del Prado, F. L. Martínez, I. Mártil, G. González-Díaz, D. Bravo, F. J. López, and M. Fernández, Vacuum 67, 525 (2002).