Rapid thermal annealing effects on the structural properties and density of defects in SiO2 and SiNx: H films deposited by electron cyclotron resonance

Journal of Applied Physics

Volumn 87, Issue 3, 2000, Pages 1187-1192

  San Andres E ^a   Del Prado, A ^a   Martinez F L ^a   Martil I ^a   Bravo, D ^b   Lopez F J ^b  

^a UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001723447     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.371996     Document Type: Article

References (33)

1. Y. Ma and G. Lukovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2504 (1994).
2. Y. Ma, T. Yasuda, and G. Lukovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1533 (1993).
3. D. Landheer, Y. Tao, J. E. Hulse, T. Quance, and D.-X. Xu, J. Electrochem. Soc. 143, 1681 (1996).
4. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3017 (1996).
5. E. Redondo, N. Blanco, I. Mártil, and G. González-Díaz, Appl. Phys. Lett. 74, 991 (1999).
6. D. G. Park, M. Tao, D. Li, A. E. Botchkarev, Z. Fan, Z. Wang, S. N. Mohammad, A. Rockett, J. R. Abelson, H. Morkoç, A. R. Heyd, and S. A. Alterovitz, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 2674 (1996).
7. P. K. Shufflebotham, D. J. Thomson, and H. C. Card, J. Appl. Phys. 64, 4398 (1988).
8. A. Popov, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 894 (1989).
9. T. T. Chau, S. R. Mejia, and K. C. Kao, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2170 (1992).
10. F. L. Martínez, A. del Prado, D. Bravo, F. López, I. Mártil, and G. González-Díaz, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1280 (1999).
11. G. Lucovsky, H. Niimi, Y. Wu, C. R. Parker, and J. R. Hauser, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1721 (1998).
12. D. Landheer, J. E. Hulse, and T. Quance, Thin Solid Films 293, 52 (1997).
13. N. Bhat, A. W. Wang, and K. C. Saraswat, IEEE Trans. Electron Devices 46, 63 (1999).
14. A. Sassella, A. Borghesi, F. Corni, A. Monelli, G. Ottaviani, R. Tonini, B. Pivac, M. Bacchetta, and L. Zanotti, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 377 (1997).
15. W. L. Warren, J. Kanicki, F. C. Rong, and E. H. Poindexter, J. Electrochem. Soc. 139, 880 (1992).
16. W. L. Warren, E. H. Poindexter, M. Offenberg, W. Müller-Warmuth, J. Electrochem. Soc. 139, 872 (1992).
17. E. H. Poindexter, G. J. Gerardi, M.-E. Rueckel, P. J. Caplan, N. M. Johnson, and D. K. Biegelsen, J. Appl. Phys. 56, 2844 (1984).
18. S. Garcia, J. M. Martín, M. Fernández, I. Mártil, and G. González-Díaz, Philos. Mag. B 73, 487 (1996).
19. F. L. Martínez, I. Mártil, G. González-Díaz, B. Selle, and I. Sieber, J. Non-Cryst. Solids 227-230, 523 (1998).
20. A. del Prado, I. Mártil, M. Fernández, and G. González-Díaz, Thin Solid Films 343-344, 432 (1999).
21. W. A. Lanford and M. J. Rand, J. Appl. Phys. 49, 2473 (1978).
22. P. G. Pai, S. S. Chao, Y. Takagi, and G. Lucovski, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 689 (1986).
23. B.-R. Zhang, Z. Yu, G. J. Collins, T. Hwang, and W. H. Ritchic, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 176 (1989).
24. T. V. Herak, T. T. Chau, D. J. Thomson, S. R. Mejia, D. A. Buchanan, and K. C. Kao, J. Appl. Phys. 65, 2457 (1989).
25. J. T. Fitch, S. S. Kim, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 8, 1871 (1990).
26. W. K. Choi, C. K. Choo, and Y. F. Lu, J. Appl. Phys. 80, 5837 (1996).
27. A. del Prado, F. L. Martínez, M. Fernández, I. Mártil, and G. González-Díaz, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1263 (1999).
28. D. V. Tsu, G. Lucovsky, and M. J. Mantini, Phys. Rev. B 33, 7069 (1986).
29. Z. Lu, P. Santos-Filho, G. Stevens, M. J. Williams, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 607 (1995).
30. R. C. Budhani, R. F. Bunshah, and P. A. Flinn, Appl. Phys. Lett. 52, 284 (1988).
31. S. García, D. Bravo, M. Fernández, I. Mártil, and F. J. López, Appl. Phys. Lett. 67, 3263 (1995).
32. D. Jousse, J. Kanicki, D. T. Krick, and P. M. Lenahan, Appl. Phys. Lett. 52, 445 (1988).
33. J. K. Cramer and S. P. Murarka, J. Appl. Phys. 77, 3048 (1995).