Optical and structural properties of SiOxNyHz films deposited by electron cyclotron resonance and their correlation with composition

Journal of Applied Physics

Volumn 93, Issue 11, 2003, Pages 8930-8938

  Del Prado, A ^a   Andrés, E San ^a   Martil I ^a   Gonzalez Diaz G ^a   Bravo, D ^b   Lopez F J ^b   Bohne, W ^c   Rohrich J ^c   Selle, B ^c   Martinez F L ^d  

^a UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID   (Spain)

^b UNIVERSIDAD AUTÓNOMA DE MADRID   (Spain)

^c HAHN MEITNER INSTITUT   (Germany)

^d TECHNICAL UNIVERSITY OF CARTAGENA   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CRYSTAL DEFECTS; ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE; HEAVY IONS; INFRARED RADIATION; MIXTURES; REFRACTIVE INDEX; SILANES; SILICA;

GAS MIXTURES;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0038341930     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1566476     Document Type: Article

References (47)

1. Y. Ma and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 2504 (1994).
2. L. Manchanda, G. R. Weber, Y. O. Kim, L. C. Feldman, N. Moryia, B. E. Weir, R. C. Kistler, M. L. Green, and D. Brasen, Microelectron. Eng. 22, 69 (1993).
3. E. C. Carr and R. A. Buhrman, Appl. Phys. Lett. 63, 54 (1993).
4. T. Arakawa, R. Matsumoto, and A. Kita, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1491 (1996).
5. W. A. P. Claassen, H. A. J. Th. v. d. Pol, A. H. Goemans, and A. E. T. Kuiper, J. Electrochem. Soc. 133, 1458 (1986).
6. P. V. Bulkin, P. L. Swart, and B. M. Lacquet, J. Non-Cryst. Solids 187, 484 (1995).
7. S. Callard, A. Gagnaire, and J. Joseph, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2088 (1997).
8. F. Gaillard, P. Schiavone, and P. Brault, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 2777 (1997).
9. H. T. Tang, W.N. Lennard, C. S. Zhang, K. Griffiths, B. Li, L. C. Feldman, and M. L. Green, J. Appl. Phys. 80, 1816 (1996).
10. I. J. R. Baumvol, F. C. Stedile, J.-J. Ganem, I. Trimaille, and S. Rigo, Appl. Phys. Lett. 70, 2007 (1997).
11. L.-N. He, T. Inokuma, and S. Hasegawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 35, 1503 (1996).
12. S. V. Hattangady, H. Niimi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 3017 (1996).
13. M. J. Hernández, J. Garrido, J. Martínez, and J. Piqueras, Semicond. Sci. Technol. 12, 927 (1997).
14. A. del Prado, I. Mártil, M. Fernández, and G. González-Díz, Thin Solid Films 343-344, 432 (1999).
15. A. del Prado, F. L. Martínez, M. Fernández, I. Mártil, and G. González-Diaz, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1263 (1999).
16. S. Garcia, J. M. Martin, M. Fernández, I. Mártil, and G. González-Diaz, Philos. Mag. 73, 487 (1996).
17. F. L. Martinez, I. Mártil, G. González-Diaz, B. Selle, and I. Sieber, J. Non-Cryst. Solids 227-230, 523 (1998).
18. W. Bohne, J. Röhrich, and G. Röschert, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 136-138, 633 (1998).
19. W. Bohne, W. Fuhs, J. Röhrich, B. Selle, I. Sieber, A. del Prado, E. San Andrés, I. Mártil, and G. González-Diaz, Surf. Interface Anal. 34, 749 (2002).
20. W. A. Lanford, and M. J. Rand, J. Appl. Phys. 49, 2473 (1978).
21. T. S. Eriksson and C. G. Granqvist, J. Appl. Phys. 60, 2081 (1986).
22. A. del Prado, E. San Andrés, F. L. Martínez, I. Mártil, G. González-Diaz, W. Bohne, J. Röhrich, B. Selle, and M. Fernández, Vacuum 67, 507 (2002).
23. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices (Wiley, New York, 1981).
24. A. Sassella, P. Lucarno, A. Borghesi, F. Corni, S. Rojas, and L. Zanotti, J. Non-Cryst. Solids 187, 395 (1995).
25. G. Lucovsky, Solid State Commun. 29, 571 (1979).
26. J.-L. Yeh and S.-C. Lee, J. Appl. Phys. 79, 656 (1996).
27. Y. Cros and J. C. Rostaing, Proceedings E: Materials Research Society, Strasbourg, June 1986, p. 77.
28. G. Lucovsky, J. Yang, S. S. Chao, J. E. Tyler, and W. Czubatyj, Phys. Rev. B 28, 3234 (1983).
29. A. Sassella, A. Borghesi, F. Corni, A. Monelli, G. Ottaviani, R. Tonini, B. Pivac, M. Bacchetta, and L. Zanotti, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 377 (1997).
30. D. V. Tsu, G. Lucovsky, M. J. Mantini, and S. S. Chao, J. Vac. Sci. Technol. A 5, 1998 (1987).
31. H. R. Philipp, J. Non-Cryst. Solids 8-10, 627 (1972).
32. A. Sassella, Phys. Rev. B 48, 14208 (1993).
33. J. S. Blakemore, Solid State Physics (Cambridge University Press, Cambridge, 1985).
34. W. L. Warren, J. Kanicki, F. C. Rong, and E. H. Poindexter, J. Electrochem. Soc. 139, 880 (1992).
35. W. L. Warren, E. H. Poindexter, M. Offenberg, and W. Müller-Warmuth, J. Electrochem. Soc. 139, 872 (1992).
36. W. L. Warren, P. M. Lenahan, and S. E. Curry, Phys. Rev. Lett. 65, 207 (1990).
37. S. Hasegawa, S. Sakamori, M. Futatsudera, T. Inokuma, and Y. Kurata, J. Appl. Phys. 89, 2598 (2001).
38. J. H. Stathis, J. Chapple-Sokol, E. Tierney, and J. Batey, Appl. Phys. Lett. 56, 2111 (1990).
39. T. E. Tsai, D. L. Griscom, and E. J. Friebele, Phys. Rev. B 38, 2140 (1988).
40. E. San Andrés, A. del Prado, I. Mártil, G. González-Diaz, F. L. Martinez, D. Bravo, F. J. López, and M. Fernández, Vacuum 67, 525 (2002).
41. F. L. Martínez, A. del Prado, I. Mártil, G. González-Diaz, W. Bohne, W. Fuhs, J. Röhrich, and B. Selle, Phys. Rev. B 63, 245320 (2001).
42. E. San Andrés, A. del Prado, I. Mártil, G. González-Diaz, D. Bravo, and F.J. López, J. Appl. Phys. 92, 1906 (2002).
43. D. L. Smith, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1843 (1993).
44. P. G. Pai, S. S. Chao, Y. Takagi, and G. Lucovsky, J. Vac. Sci. Technol. A 4, 689 (1986).
45. C. M. M. Denisse, K. Z. Troost, J. B. Oude Elferink, F. H. P. M. Habraken, W. F. van der Weg, and M. Hendriks, J. Appl. Phys. 60, 2536 (1986).
46. B.-R. Zhang, Z. Yu, G. J. Collins, T. Hwang, and W. H. Ritchie, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 176 (1989).
47. L. Pinard and J. M. Mackowski, Appl. Opt. 36, 5451 (1997).