Ultrahigh sensitive MoTe2 phototransistors driven by carrier tunneling

Applied Physics Letters

Volumn 108, Issue 4, 2016, Pages

  Yin, Lei ^a   Zhan, Xueying ^a   Xu, Kai ^a   Wang, Feng ^a   Wang, Zhenxing ^a   Huang, Yun ^a   Wang, Qisheng ^a   Jiang, Chao ^a   He, Jun ^a  

^a NATIONAL CENTER FOR NANOSCIENCE AND TECHNOLOGY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON TUNNELING; OPTOELECTRONIC DEVICES; PHOTOTRANSISTORS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; TELLURIUM COMPOUNDS; TRANSITION METALS;

CARRIER TUNNELLING; DEVICE PERFORMANCE; DICHALCOGENIDES; ELECTRONICS APPLICATIONS; ELECTRONS INJECTION; METAL CONTACTS; OPTOELECTRONIC APPLICATIONS; PERFORMANCE; TUNNELING MECHANISM; ULTRA-THIN;

ELECTRONS;

EID: 84956976564     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4941001     Document Type: Article

References (44)

1. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, and M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 7, 699 (2012). 10.1038/nnano.2012.193
2. S. Z. Butler, S. M. Hollen, L. Cao, Y. Cui, J. A. Gupta, H. R. Gutierrez, T. F. Heinz, S. S. Hong, J. Huang, A. F. Ismach, E. Johnston-Halperin, M. Kuno, V. V. Plashnitsa, R. D. Robinson, R. S. Ruoff, S. Salahuddin, J. Shan, L. Shi, M. G. Spencer, M. Terrones, W. Windl, and J. E. Goldberger, ACS Nano 7, 2898 (2013). 10.1021/nn400280c
3. D. Jariwala, V. K. Sangwan, L. J. Lauhon, T. J. Marks, and M. C. Hersam, ACS Nano 8, 1102 (2014). 10.1021/nn500064s
4. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, and A. Kis, Nat. Nanotechnol. 6, 147 (2011). 10.1038/nnano.2010.279
5. K. Xu, H. X. Deng, Z. Wang, Y. Huang, F. Wang, S. S. Li, J. W. Luo, and J. He, Nanoscale 7, 15757 (2015). 10.1039/C5NR04625D
6. S. Ghatak, A. N. Pal, and A. Ghosh, ACS Nano 5, 7707 (2011). 10.1021/nn202852j
7. O. Lopez-Sanchez, D. Lembke, M. Kayci, A. Radenovic, and A. Kis, Nat. Nanotechnol. 8, 497 (2013). 10.1038/nnano.2013.100
8. Y. F. Lin, Y. Xu, S. T. Wang, S. L. Li, M. Yamamoto, A. Aparecido-Ferreira, W. Li, H. Sun, S. Nakaharai, W. B. Jian, K. Ueno, and K. Tsukagoshi, Adv. Mater. 26, 3263 (2014). 10.1002/adma.201305845
9. N. R. Pradhan, D. Rhodes, S. M. Feng, Y. Xin, S. Memaran, B. H. Moon, H. Terrones, M. Terrones, and L. Balicas, ACS Nano 8, 5911 (2014). 10.1021/nn501013c
10. S. Fathipour, N. Ma, W. S. Hwang, V. Protasenko, S. Vishwanath, H. G. Xing, H. Xu, D. Jena, J. Appenzeller, and A. Seabaugh, Appl. Phys. Lett. 105, 192101 (2014). 10.1063/1.4901527
11. S. Nakaharai, M. Yamamoto, K. Ueno, Y. F. Lin, S. L. Li, and K. Tsukagoshi, ACS Nano 9, 5976 (2015). 10.1021/acsnano.5b00736
12. H. L. Xu, S. Fathipour, E. W. Kinder, A. C. Seabaugh, and S. K. Fullerton-Shirey, ACS Nano 9, 4900 (2015). 10.1021/nn506521p
13. S. Cho, S. Kim, J. H. Kim, J. Zhao, J. Seok, D. H. Keum, J. Baik, D. H. Choe, K. J. Chang, K. Suenaga, S. W. Kim, Y. H. Lee, and H. Yang, Science 349, 625 (2015). 10.1126/science.aab3175
14. S. Das, H. Y. Chen, A. V. Penumatcha, and J. Appenzeller, Nano Lett. 13, 100 (2013). 10.1021/nl303583v
15. W. Liu, J. Kang, D. Sarkar, Y. Khatami, D. Jena, and K. Banerjee, Nano Lett. 13, 1983 (2013). 10.1021/nl304777e
16. D. J. Perello, S. H. Chae, S. Song, and Y. H. Lee, Nat. Commun. 6, 7809 (2015). 10.1038/ncomms8809
17. W. Wang, Y. Liu, L. Tang, Y. Jin, T. Zhao, and F. Xiu, Sci. Rep. 4, 6928 (2014). 10.1038/srep06928
18. H. M. Li, D. Y. Lee, M. S. Choi, D. Qu, X. Liu, C. H. Ra, and W. J. Yoo, Sci. Rep. 4, 4041 (2014) 10.1038/srep04041.
19. W. Zhang, M. H. Chiu, C. H. Chen, W. Chen, L. J. Li, and A. T. Wee, ACS Nano 8, 8653 (2014). 10.1021/nn503521c
20. S. Das and J. Appenzeller, Appl. Phys. Lett. 103, 103501 (2013). 10.1063/1.4820408
21. Z. Yin, H. Li, H. Li, L. Jiang, Y. Shi, Y. Sun, G. Lu, Q. Zhang, X. Chen, and H. Zhang, ACS Nano 6, 74 (2012). 10.1021/nn2024557
22. N. Perea-Lopez, A. L. Elias, A. Berkdemir, A. Castro-Beltran, H. R. Gutierrez, S. M. Feng, R. T. Lv, T. Hayashi, F. Lopez-Urias, S. Ghosh, B. Muchharla, S. Talapatra, H. Terrones, and M. Terrones, Adv. Funct. Mater. 23, 5511 (2013). 10.1002/adfm.201300760
23. A. Abderrahmane, P. J. Ko, T. V. Thu, S. Ishizawa, T. Takamura, and A. Sandhu, Nanotechnology 25, 365202 (2014). 10.1088/0957-4484/25/36/365202
24. P. A. Hu, L. F. Wang, M. Yoon, J. Zhang, W. Feng, X. N. Wang, Z. Z. Wen, J. C. Idrobo, Y. Miyamoto, D. B. Geohegan, and K. Xiao, Nano Lett. 13, 1649 (2013). 10.1021/nl400107k
25. P. A. Hu, Z. Z. Wen, L. F. Wang, P. H. Tan, and K. Xiao, ACS Nano 6, 5988 (2012). 10.1021/nn300889c
26. Z. Wang, K. Xu, Y. Li, X. Zhan, M. Safdar, Q. Wang, F. Wang, and J. He, ACS Nano 8, 4859 (2014). 10.1021/nn500782n
27. C. Ruppert, O. B. Aslan, and T. F. Heinz, Nano Lett. 14, 6231 (2014). 10.1021/nl502557g
28. H. D. Abruna, G. A. Hope, and A. J. Bard, J. Electrochem. Soc. 129, 2224 (1982). 10.1149/1.2123479
29. A. R. Beal and H. P. Hughes, J. Phys. C: Solid State Phys. 12, 881 (1979). 10.1088/0022-3719/12/5/017
30. J. C. Park, S. J. Yun, H. Kim, J. H. Park, S. H. Chae, S. J. An, J. G. Kim, S. M. Kim, K. K. Kim, and Y. H. Lee, ACS Nano 9, 6548 (2015). 10.1021/acsnano.5b02511
31. D. H. Keum, S. Cho, J. H. Kim, D. H. Choe, H. J. Sung, M. Kan, H. Kang, J. Y. Hwang, S. W. Kim, H. Yang, K. J. Chang, and Y. H. Lee, Nat. Phys. 11, 482 (2015). 10.1038/nphys3314
32. I. G. Lezama, A. Arora, A. Ubaldini, C. Barreteau, E. Giannini, M. Potemski, and A. F. Morpurgo, Nano Lett. 15, 2336 (2015). 10.1021/nl5045007
33. H. Guo, T. Yang, M. Yamamoto, L. Zhou, R. Ishikawa, K. Ueno, K. Tsukagoshi, Z. Zhang, M. S. Dresselhaus, and R. Saito, Phys. Rev. B 91, 205415 (2015). 10.1103/PhysRevB.91.205415
34. M. Yamamoto, S. T. Wang, M. Y. Ni, Y. F. Lin, S. L. Li, S. Aikawa, W. B. Jian, K. Ueno, K. Wakabayashi, and K. Tsukagoshi, ACS Nano 8, 3895 (2014). 10.1021/nn5007607
35. C. Gong, H. Zhang, W. Wang, L. Colombo, R. M. Wallace, and K. Cho, Appl. Phys. Lett. 103, 053513 (2013). 10.1063/1.4817409
36. T. Loher, Y. Tomm, C. Pettenkofer, A. Klein, and W. Jaegermann, Semicond. Sci. Technol. 15, 514 (2000). 10.1088/0268-1242/15/6/305
37. H. C. Kim, H. Kim, J. U. Lee, H. B. Lee, D. H. Choi, J. H. Lee, W. H. Lee, S. H. Jhang, B. H. Park, H. Cheong, S. W. Lee, and H. J. Chung, ACS Nano 9, 6854 (2015). 10.1021/acsnano.5b01727
38. S. Das, M. Demarteau, and A. Roelofs, Appl. Phys. Lett. 106, 173506 (2015). 10.1063/1.4919565
39. S. Kim, A. Konar, W. S. Hwang, J. H. Lee, J. Lee, J. Yang, C. Jung, H. Kim, J. B. Yoo, J. Y. Choi, Y. W. Jin, S. Y. Lee, D. Jena, W. Choi, and K. Kim, Nat. Commun. 3, 1011 (2012). 10.1038/ncomms2018
40. F. Ahmed, M. S. Choi, X. Liu, and W. J. Yoo, Nanoscale 7, 9222 (2015). 10.1039/C5NR01044F
41. F. H. Koppens, T. Mueller, P. Avouris, A. C. Ferrari, M. S. Vitiello, and M. Polini, Nat. Nanotechnol. 9, 780 (2014). 10.1038/nnano.2014.215
42. C. H. Liu, Y. C. Chang, T. B. Norris, and Z. H. Zhong, Nat. Nanotechnol. 9, 273 (2014). 10.1038/nnano.2014.31
43. W. Zhang, J. K. Huang, C. H. Chen, Y. H. Chang, Y. J. Cheng, and L. J. Li, Adv. Mater. 25, 3456 (2013). 10.1002/adma.201301244
44. Q. Yang, X. Guo, W. Wang, Y. Zhang, S. Xu, D. H. Lien, and Z. L. Wang, ACS Nano 4, 6285 (2010). 10.1021/nn1022878