Photosensor device based on few-layered WS2 films

Advanced Functional Materials

Volumn 23, Issue 44, 2013, Pages 5511-5517

  Perea Lõpez, Néstor ^a   Elías, Ana Laura ^a   Berkdemir, Ayse ^a   Castro Beltran, Andres ^a   Gutiérrez, Humberto R ^b   Feng, Simin ^a   Lv, Ruitao ^a   Hayashi, Takuya ^c   Lõpez Urías, Florentino ^a   Ghosh, Sujoy ^d   Muchharla, Baleeswaraiah ^d   Talapatra, Saikat ^d   Terrones, Humberto ^a   Terrones, Mauricio ^a,c,e  

^a PENNSYLVANIA STATE UNIVERSITY   (United States)

^b UNIVERSITY OF LOUISVILLE   (United States)

^c SHINSHU UNIVERSITY   (Japan)

^d SOUTHERN ILLINOIS UNIVERSITY   (United States)

^e The Pennsylvania State University   (United States)

Author keywords

dichalcogenides; low dimensional materials; photocurrent; raman spectroscopy; tungsten

Indexed keywords

ABSORBANCE SPECTRUM; DICHALCOGENIDES; ELECTRICAL RESPONSE; EXCITATION LASERS; LOW-DIMENSIONAL MATERIALS; PHOTOCURRENT MEASUREMENT; PHOTON WAVELENGTH; PHOTORESPONSE MEASUREMENTS;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; OPTOELECTRONIC DEVICES; QUARTZ; RAMAN SPECTROSCOPY; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY; TUNGSTEN;

PHOTOCURRENTS;

EID: 84888638302     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.201300760     Document Type: Article

References (33)

1. K. F. Mak, C. Lee, J. Hone, J. Shan, T. F. Heinz, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 136805.
2. Q. H. Wang, K. Kalantar-Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 2012, 7, 699.
3. H. S. S. R. Matte, A. Gomathi, A. K. Manna, D. J. Late, R. Datta, S. K. Pati, C. N. R. Rao, Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 4059.
4. G. Eda, T. Fujita, H. Yamaguchi, D. Voiry, M. W. Chen, M. Chhowalla, ACS Nano 2012, 6, 7311.
5. T. Korn, G. Plechinger, S. Heydrich, M. Hirmer, F. X. Schrettenbrunner, D. Weiss, J. Eroms, C. Schuller, Proc. SPIE 2012, 8456, 84560H-1.
6. R. J. Smith, P. J. King, M. Lotya, C. Wirtz, U. Khan, S. De, A. O'Neill, G. S. Duesberg, J. C. Grunlan, G. Moriarty, J. Chen, J. Z. Wang, A. I. Minett, V. Nicolosi, J. N. Coleman, Adv. Mater. 2011, 23, 3944.
7. Z. Y. Zeng, Z. Y. Yin, X. Huang, H. Li, Q. Y. He, G. Lu, F. Boey, H. Zhang, Angew. Chem. Int. Ed. 2011, 50, 11093.
8. W. Zhao, Z. Ghorannevis, L. Chu, M. Toh, C. Kloc, P.-H. Tan, G. Eda, ACS Nano 2012, 7, 791.
9. S. X. Wu, Z. Y. Zeng, Q. Y. He, Z. J. Wang, S. J. Wang, Y. P. Du, Z. Y. Yin, X. P. Sun, W. Chen, H. Zhang, Small 2012, 8, 2264.
10. D. J. Xue, J. H. Tan, J. S. Hu, W. P. Hu, Y. G. Guo, L. J. Wan, Adv. Mater. 2012, 24, 4528.
11. Y. J. Zhan, Z. Liu, S. Najmaei, P. M. Ajayan, J. Lou, Small 2012, 8, 966.
12. Y.-H. Lee, X.-Q. Zhang, W. Zhang, M.-T. Chang, C.-T. Lin, K.-D. Chang, Y.-C. Yu, J. T.-W. Wang, C.-S. Chang, L.-J. Li, T.-W. Lin, Adv. Mater. 2012, 24, 2320.
13. M. Shanmugam, C. A. Durcan, B. Yu, Nanoscale 2012, 4, 7399.
14. H. R. Gutiérrez, N. Perea-Lõpez, A. L. Elías, A. Berkdemir, B. Wang, R. Lv, F. Lõpez-Urías, V. H. Crespi, H. Terrones, M. Terrones, Nano Lett. 2012, DOI: 10.1021/nl3026357.
15. A. L. Elias, N. Perea-Lopez, A. Castro-Beltran, A. Berkdemir, R. Lv, S. Feng, L. A. T. Hayashi, Y. A. Kim, M. Endo, N. Pradhan, L. Balicas, T. E. Mallouk, F. Lopez-Urias, H. Terrones, M. Terrones, ACS Nano 2013, DOI: 10.1021/nn400971k.
16. Z. Y. Yin, H. Li, H. Li, L. Jiang, Y. M. Shi, Y. H. Sun, G. Lu, Q. Zhang, X. D. Chen, H. Zhang, ACS Nano 2012, 6, 74.
17. H. S. Lee, S. W. Min, Y. G. Chang, M. K. Park, T. Nam, H. Kim, J. H. Kim, S. Ryu, S. Im, Nano Lett. 2012, 12, 3695.
18. H. S. Lee, S. W. Min, M. K. Park, Y. T. Lee, P. J. Jeon, J. H. Kim, S. Ryu, S. Im, Small 2012, 8, 3111.
19. B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis, Nat. Nanotechnol. 2011, 6, 147.
20. C. Ballif, M. Regula, P. E. Schmid, M. Remskar, R. Sanjines, F. Levy, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 1996, 62, 543.
21. C. Ballif, M. Regula, F. Levy, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1999, 57, 189.
22. C. Y. Zhang, S. Wang, L. J. Yang, Y. Liu, T. T. Xu, Z. Y. Ning, A. Zak, Z. Y. Zhang, R. Tenne, Q. Chen, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 243101.
23. W. S. Hwang, M. Remskar, R. S. Yan, V. Protasenko, K. Tahy, S. D. Chae, P. Zhao, A. Konar, H. L. Xing, A. Seabaugh, D. Jena, Appl. Phys. Lett. 2012, 101, 013107.
24. A. C. Ferrari, J. C. Meyer, V. Scardaci, C. Casiraghi, M. Lazzeri, F. Mauri, S. Piscanec, D. Jiang, K. S. Novoselov, S. Roth, A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 2006, 97, 187401.
25. S. Najmaei, Z. Liu, P. M. Ajayan, J. Lou, Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 013106.
26. A. Berkdemir, H. R. Gutierrez, A. R. Botello-Mendez, N. Perea-Lopez, A. L. Elias, C.-I. Chia, B. Wang, V. H. Crespi, F. Lopez-Urias, J. C. Charlier, H. Terrones, M. Terrones, Sci. Rep. 2013, 4, 1755.
27. G. L. Frey, R. Tenne, M. J. Matthews, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, J. Mater. Res. 1998, 13, 2412.
28. W. Choi, M. Y. Cho, A. Konar, J. H. Lee, G. B. Cha, S. C. Hong, S. Kim, J. Kim, D. Jena, J. Joo, S. Kim, Adv. Mater. 2012, 24, 5832.
29. R. Lv, Q. Li, A. R. Botello-Méndez, T. Hayashi, B. Wang, A. Berkdemir, Q. Hao, A. L. Elías, R. Cruz-Silva, H. R. Gutiérrez, Y. A. Kim, H. Muramatsu, J. Zhu, M. Endo, H. Terrones, J.-C. Charlier, M. Pan, M. Terrones, Sci. Rep. 2012, 2.
30. D. Park, K. Yong, J. Vac. Sci. Technol. B 2008, 26, 1933.
31. W. Y. Weng, S. J. Chang, C. L. Hsu, T. J. Hsueh, ACS Appl. Mater. Inter. 2011, 3, 162.
32. Z. Y. Fan, P. C. Chang, J. G. Lu, E. C. Walter, R. M. Penner, C. H. Lin, H. P. Lee, Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 6128.
33. K. Keem, H. Kim, G. T. Kim, J. S. Lee, B. Min, K. Cho, M. Y. Sung, S. Kim, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 4376.