Effect of electrode materials on AlN-based bipolar and complementary resistive switching

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 5, Issue 5, 2013, Pages 1793-1799

  Chen, Chao ^a   Gao, Shuang ^a   Tang, Guangsheng ^a   Fu, Huadong ^a   Wang, Guangyue ^a   Song, Cheng ^a   Zeng, Fei ^a   Pan, Feng ^a  

^a TSINGHUA UNIVERSITY   (China)

Author keywords

AlN; bipolar resistive switching; complementary resistive switching; filament; memristor; RRAM

Indexed keywords

ALN; ALUMINUM NITRIDE (ALN); ELECTROCHEMICAL METALLIZATION (ECM); ELECTRODE MATERIAL; MATERIAL SYSTEMS; MEMRISTOR; RESISTIVE SWITCHING; RRAM;

ALUMINUM NITRIDE; FILAMENTS (LAMP); RANDOM ACCESS STORAGE;

SWITCHING SYSTEMS;

EID: 84875043917     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am303128h     Document Type: Article

References (41)

1. Terabe, K.; Hasegawa, T.; Nakayama, T.; Aono, M. Nature 2005, 433, 47-50
2. Waser, R.; Aono, M. Nat. Mater. 2007, 6, 833-840
3. Yang, Y. C.; Pan, F.; Liu, Q.; Liu, M.; Zeng, F. Nano Lett. 2009, 9, 1636-1643
4. Pan, F.; Chen, C.; Wang, Z. S.; Yang, Y. C.; Yang, J.; Zeng, F. Prog. Nat. Sci. 2010, 20, 1-15
5. Baek, I. G.; Lee, M. S.; Seo, S.; Lee, M. J.; Seo, D. H.; Suh, D. S.; Park, J. C.; Park, S. O.; Kim, H. S.; Yoo, I. K.; Chung, U. I.; Moon, J. T. In International Electron Devices Meeting 2004 Technical Digest; Dec 13-15, 2004; IEEE: Piscataway, NJ, 2004; pp 587-590.
6. Song, S.; Cho, B.; Kim, T. W.; Ji, Y.; Jo, M.; Wang, G.; Choe, M.; Kahng, Y. H.; Hwang, H.; Lee, T. Adv. Mater. 2010, 22, 5048-5052
7. Lee, W.; Park, J.; Kim, S.; Woo, J.; Shin, J.; Choi, G.; Park, S.; Lee, D.; Cha, E.; Lee, B. H.; Hwang, H. ACS Nano 2012, 6, 8166-8172
8. Lee, M. J.; Ahn, S. E.; Lee, C. B.; Kim, C. J.; Jeon, S.; Chung, U. I.; Yoo, I. K.; Park, G. S.; Han, S.; Hwang, I. R.; Park, B. H. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 4475-4479
9. Kim, G. H.; Lee, J. H.; Jeon, W.; Song, S. J.; Seok, J. Y.; Yoon, J. H.; Yoon, K. J.; Park, T. J.; Hwang, C. S. ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 5338-5345
10. Kim, G. H.; Lee, J. H.; Ahn, Y.; Jeon, W.; Song, S. J.; Seok, J. Y.; Yoon, J. H.; Yoon, K. J.; Park, T. J.; Hwang, C. S. Adv. Funct. Mater. 2012, 10.1002/adfm.201202170
11. Kim, G. H.; Lee, J. H.; Han, J. H.; Song, S. J.; Seok, J. Y.; Yoon, J. H.; Yoon, K. J.; Lee, M. H.; Park, T. J.; Hwang, C. S. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 213508
12. Kim, G. H.; Kim, K. M.; Seok, J. Y.; Lee, H. J.; Cho, D.-Y.; Han, J. H.; Hwang, C. S. Nanotechnology 2010, 21, 385202
13. Linn, E.; Rosezin, R.; Kugeler, C.; Waser, R. Nat. Mater. 2010, 9, 403-406
14. Rosezin, R.; Linn, E.; Nielen, L.; Kugeler, C.; Bruchhaus, R.; Waser, R. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 191-193
15. Lee, M.-J.; Lee, C. B.; Lee, D.; Lee, S. R.; Chang, M.; Hur, J. H.; Kim, Y.-B.; Kim, C.-J.; Seo, D. H.; Seo, S.; Chung, U. I.; Yoo, I.-K.; Kim, K. Nat. Mater. 2011, 10, 625-630
16. Yang, Y.; Sheridan, P.; Lu, W. Appl. Phys. Lett. 2012, 100, 203112
17. Lee, D.; Park, J.; Jung, S.; Choi, G.; Lee, J.; Kim, S.; Woo, J.; Siddik, M.; Cha, E.; Huang, H. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 600-602
18. Chai, Y.; Wu, Y.; Takei, K.; Chen, H. Y.; Yu, S. M.; Chan, P. C. H.; Javey, A.; Wong, H. S. P. IEEE Trans. Electron Devices 2011, 58, 3933-3939
19. Yu, S.; Liang, J.; Wu, Y.; Wong, H. S. P. Nanotechnology 2010, 21, 465202
20. Kavehei, O.; Al-Sarawi, S.; Cho, K.-R.; Eshraghian, K.; Abbott, D. IEEE Trans. Nanotechnol. 2012, 11, 374-385
21. Bae, Y. C.; Lee, A. R.; Lee, J. B.; Koo, J. H.; Kwon, K. C.; Park, J. G.; Im, H. S.; Hong, J. P. Adv. Funct. Mater. 2012, 22, 709-716
22. Chen, C.; Yang, Y. C.; Zeng, F.; Pan, F. Appl. Phys. Lett. 2010, 97, 083502
23. Kim, H.-D.; An, H.-M.; Seo, Y.; Kim, T. G. IEEE Electron Device Lett. 2011, 32, 1125-1127
24. Choi, B. J.; Yang, J. J.; Zhang, M. X.; Norris, K. J.; Ohlberg, D. A. A.; Kobayashi, N. P.; Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R. S. Appl. Phys. A-Mater. Sci. Process. 2012, 109, 1-4
25. Chen, C.; Gao, S.; Tang, G.; Song, C.; Zeng, F.; Pan, F. IEEE Electron Device Lett. 2012, 33, 1711-1713
26. Chen, C.; Pan, F.; Wang, Z. S.; Zeng, F. J. Nanosci. Lett. 2011, 1, 102-108
27. Kim, H. D.; An, H. M.; Kim, T. G. IEEE Trans. Electron Devices 2012, 59, 2302-2307
28. Rosenberger, L.; Baird, R.; McCullen, E.; Auner, G.; Shreve, G. Surf. Interface Anal. 2008, 40, 1254-1261
29. Barshiha, H. C.; Deepthi, B.; Rajam, K. S. Thin Solid Films 2008, 516, 4168-4174
30. Yang, Y. C.; Gao, P.; Gaba, S.; Chang, T.; Pan, X. Q.; Lu, W. Nat. Commun. 2012, 3, 732
31. Liu, Q.; Long, S. B.; Lv, H. B.; Wang, W.; Niu, J. B.; Huo, Z. L.; Chen, J. N.; Liu, M. ACS Nano 2010, 4, 6162-6168
32. Wang, Z. S.; Zeng, F.; Yang, J.; Chen, C.; Pan, F. ACS Appl. Mater. Interfaces 2012, 4, 447-453
33. Waser, R.; Dittmann, R.; Staikov, G.; Szot, K. Adv. Mater. 2009, 21, 2632-2663
34. Chang, S. H.; Lee, J. S.; Chae, S. C.; Lee, S. B.; Liu, C.; Kahng, B.; Kim, D. W.; Noh, T. W. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 026801
35. Miao, F.; Strachan, J. P.; Yang, J. J.; Zhang, M.-X.; Goldfarb, I.; Torrezan, A. C.; Eschbach, P.; Kelley, R. D.; Medeiros-Ribeiro, G.; Williams, R. S. Adv. Mater. 2011, 23, 5633-5640
36. Chen, M. C.; Chang, T. C.; Tsai, C. T.; Huang, S. Y.; Chen, S. C.; Hu, C. W.; Sze, S. M.; Tsai, M. J. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 262110
37. Guo, X.; Schindler, C. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 133513
38. Chen, G.; Song, C.; Chen, C.; Gao, S.; Zeng, F.; Pan, F. Adv. Mater. 2012, 24, 3515-3520
39. Tseng, H.-C.; Chang, T.-C.; Huang, J.-J.; Yang, P.-C.; Chen, Y.-T.; Jian, F.-Y.; Sze, S. M.; Tsai, M.-J. Appl. Phys. Lett. 2011, 99, 132104
40. Wu, W. T.; Wu, J. J.; Chen, J. S. ACS Appl. Mater. Interfaces 2011, 3, 2616-2621
41. Hassine, N. B.; Mercier, D.; Renaux, P.; Parat, G.; Basrour, S.; Waltz, P.; Chappaz, C.; Ancey, P.; Blonkowski, S. J. Appl. Phys. 2009, 105, 044111