A simple device unit consisting of all NiO storage and switch elements for multilevel terabit nonvolatile random access memory

ACS Applied Materials and Interfaces

Volumn 3, Issue 11, 2011, Pages 4475-4479

  Lee, Myoung Jae ^a   Ahn, Seung Eon ^a,b   Lee, Chang Bum ^a   Kim, Chang Jung ^a   Jeon, Sanghun ^a   Chung, U In ^a   Yoo, In Kyeong ^a   Park, Gyeong Su ^a   Han, Seungwu ^c   Hwang, In Rok ^d   Park, Bae Ho ^d  

^a Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^b Korea University   (South Korea)

^c Seoul National University   (South Korea)

^d Konkuk University   (South Korea)

Author keywords

3D stacking structure; memory element; multilevel terabit memory; resistance random access memory (ReRAM); switch element

Indexed keywords

MEMORY ELEMENT; RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY (RERAM); STACKING STRUCTURES; SWITCH ELEMENT; TERABIT;

GRAIN BOUNDARIES; INTERCONNECTION NETWORKS; NONVOLATILE STORAGE; THREE DIMENSIONAL;

RANDOM ACCESS STORAGE;

EID: 84875031665     PISSN: 19448244     EISSN: 19448252     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/am201163n     Document Type: Article

References (29)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS), ITRS 2009, edition.
2. Liu, S. Q.; Wu, N. J.; Ignatiev, A. Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2749-2751
3. Lee, M.-J.; Han, S. W.; Jeon, S. H.; Park, B. H.; Kang, B. S.; Ahn, S. E.; Kim, K. H.; Lee, C. B.; Kim, C. J.; Yoo, I.-K.; Seo, D. H.; Li, X.-S.; Park, J.-B.; Lee, J.-H.; Park, Y. S. Nano Lett. 2009, 9, 1476-1481
4. Shima, H.; Takano, F.; Akinaga, H.; Tamai, Y.; Inoue, I. H.; Takagi, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 012901
5. Allwood, D. A.; Xiong, G.; Faulkner, C. C.; Atkinson, D.; Petit, D.; Cowburn, R. P. Science 2005, 309, 1688-1692
6. Herner, S. B.; Bandyopadhyay, A.; Dunton, S. V.; Eckert, V.; Gu, J.; Hsia, K. J.; Hu, S.; Jahn, C.; Kidwell, D.; Konevecki, M.; Mahajani, M.; Park, K.; Petti, C.; Radigan, S. R.; Raghuram, U.; Vienna, J.; Vyvoda, M. A.; Rotenberg, E.; Bostwick, A.; Ohta, T.; McChesney, J. L.; Seyller, T.; Horn, K. IEEE Electron Device Lett. 2004, 25, 271-273
7. Kang, B. S.; Ahn, S. E.; Lee, M.-J.; Stefanovich, G.; Kim, K. H.; Xianyu, W. X.; Lee, C. B.; Park, Y. S.; Baek, I. G.; Park, B. H. Adv. Mater. 2008, 20, 3066-3069
8. Strukov, D. B.; Snider, G. S.; Stewart, D. R.; Williams, R. S. Nature 2008, 453, 80
9. Lee, M.-J.; Kim, S. I.; Lee., C. B.; Yin, H.; Ahn, S. E.; Kang, B. S.; Kim, K. H.; Park, J. C.; Kim, C. J.; Song, I. H.; Kim, S. W.; Stefanovich, G.; Lee, J. H.; Chung, S. J.; Kim, Y. H.; Park, Y. S. Adv. Mater. 2009, 19, 1587-1593
10. Adler, D.; Shur, M. S.; Silver, M.; Ovshinsky, S. R. J. Appl. Phys. 1980, 51, 3289-3309
11. Bosnell, J. R.; Thomas, C. B. Solid-State Electron. 1972, 15, 1261-1264
12. Seo, S.; Lee., M. J.; Seo, D. H.; Jeoung, E. J.; Suh, D.-S.; Joung, Y. S.; Yoo, I. K.; Hwang, I. R.; Kim, S. H.; Byun, I. S.; Kim, J.-S.; Choi, J. S.; Park, B. H. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 5655
13. Rozenberg, M. J.; Inoue, I. H.; Sanchez, M. J. Phys. Rev. Lett. 2004, 92, 178302
14. Waser, R.; Aono, M. Nat. Mater. 2007, 6, 833-840
15. Lee, M. J.; Park, Y.; Ahn, S. E.; Kang, B. S.; Lee, C. B.; Kim, K. H.; Xianyu, W. X.; Yoo, I. K.; Lee, J. H.; Chung, S. J.; Kim, Y. H.; Lee, C. S.; Choi, K. N.; Chung, K. S. J. Appl. Phys. 2008, 103, 013706
16. Aziza, M. S.; Abdel-Wahabb, F.; Mostafac, A. G.; El-Agwany, E. M. Mater. Chem. Physt. 2005, 91, 532-537
17. Street, R. A.; Mott, N. F. Phys. Rev. Lett. 1975, 35, 1293-1296
18. Lee, M.-J; Park, Y.; Suh, D.-S.; Lee, E.-H.; Seo, S.; Kim, D.-C.; Jung, R.; Kang, B.-S.; Ahn, S.-E.; Lee, C. B.; Seo, D. H.; Cha, Y.-K.; Yoo, I.-K.; Kim, J.-S.; Park, B. H. Adv. Mater. 2007, 19, 3919-3923
19. Chang, S. H.; Lee, J. S.; Chae, S. C.; Lee, S. B.; Liu, C.; Kahng, B.; Kim, D.-W.; Noh, T. W. Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 026801
20. Ielmini, D. Phys. Rev. B 2008, 78, 035308
21. Baek, I. G.; Lee, M. S.; Seo, S.; Lee, M. J.; Seo, D. H.; Suh, D.-S.; Park, J. C.; Park, S. O.; Kim, H. S.; Yoo, I. K.; Chung, U.-I.; Moon, J. T. Tech. Dig. -Int. Electron Devices Meet. 2004, 587
22. Pershin, Y. V.; Ventra, M. Di Advanced in Phys. 2011, 60, 145-227
23. Ielmini, D.; Nardi, F.; Cagli, C. Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 053503
24. Son, M.; Lee, J.; Park, J.; Shin, J.; Choi, G.; Jung, S.; Lee, W.; Kim, S.; Park, S.; Hwang, H. IEEE Electron Device Lett. 2011, DOI: 10.1109/LED.2011.2163697.
25. Park, G.-S.; Li, X.-S.; Kim, D.-C.; Jung, R.-J.; Lee, M.-J.; Seo, S. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 222103
26. Sahana, B.; Subbanna, G. N.; Shivashankar, S. A. J. Appl. Phys. 2002, 92, 6495-6504
27. Cho, C.-R.; Cho, S.; Vadim, S.; Jung, R.; Yoo, I. K. Thin Solid Films 2006, 495, 375-379
28. Emin, D. Phys. Rev. B 2006, 74, 035206
29. Haberland, D. R.; Stiegler, H. J. Non-Cryst. Solids 1972, 8-10, 408-414