Schottky diode with excellent performance for large integration density of crossbar resistive memory

Applied Physics Letters

Volumn 100, Issue 21, 2012, Pages

  Hwan Kim, Gun ^a   Ho Lee, Jong ^a   Hwan Han, Jeong ^a   Ji Song, Seul ^a   Yeong Seok, Jun ^a   Ho Yoon, Jung ^a   Jean Yoon, Kyung ^a   Hwan Lee, Min ^a   Joo Park, Tae ^b   Seong Hwang, Cheol ^a  

^a Seoul National University   (South Korea)

^b Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EXCELLENT PERFORMANCE; FORWARD CURRENTS; HIGHLY INTEGRATED; INTEGRATION DENSITY; INTERCONNECTION LINES; RECTIFICATION RATIO; RESISTIVE MEMORIES; RESISTIVE SWITCHING; SCALED DEVICES; SCHOTTKY DIODES; STABLE OPERATION; STACKED STRUCTURE;

PHYSICAL PROPERTIES; PHYSICS;

SCHOTTKY BARRIER DIODES;

EID: 84861813697     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4722784     Document Type: Article

References (15)

1. G. H. Kim, K. M. Kim, J. Y. Seok, M. H. Lee, S. J. Song, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc. 157 (10), G211-G215 (2010). 10.1149/1.3478143
2. G. H. Kim, K. M. Kim, J. Y. Seok, H. J. Lee, D. Y. Cho, J. H. Han, and C. S. Hwang, Nanotechnology 21, 385202 (2010). 10.1088/0957-4484/21/38/385202
3. B. S. Kang, S. E. Ahn, M. J. Lee, G. Stefanovich, K. H. Kim, W. X. Xianyu, C. B. Lee, Y. S. Park, I. G. Beak, and B. H. Park, Adv. Mater. 20, 3066-3069 (2008). 10.1002/adma.200702932
4. M. J. Lee, S. I. Kim, C. B. Lee, H. Yin, S. E. Ahn, B. S. Kang, K. H. Kim, J. C. Park, C. J. Kim, I. Song, S. W. Kim, G. Stefanovich, J. H. Lee, S. J. Chung, Y. H. Kim, and Y. S. Park, Adv. Func. Mater. 19, 1587-1593 (2009). 10.1002/adfm.200801032
5. W. Y. Park, G. H. Kim, J. Y. Seok, K. M. Kim, S. J. Song, M. H. Lee, and C. S. Hwang, Nanotechnology 21, 195201 (2010). 10.1088/0957-4484/21/19/195201
6. Y. C. Shin, J. W. Song, K. M. Kim, B. J. Choi, S. Choi, H. J. Lee, G. H. Kim, T. Y. Eom, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 92, 162904 (2008). 10.1063/1.2912531
7. N. Huby, G. Tallarida, M. Kutrzeba, S. Ferrari, E. Guziewicz, Ł. Wachnicki, and M. Godlewski, Microelectron. Eng. 85, 2442-2444 (2008). 10.1016/j.mee.2008.07.016
8. S. H. Chang, S. B. Lee, D. Y. Jeon, S. J. Park, G. T. Kim, S. M. Yang, S. C. Chae, H. K. Yoo, B. S. Kang, M. J. Lee, and T. W. Noh, Adv. Mater. 23, 4063-4067 (2011). 10.1002/adma.201102395
9. Q. Zuo, S. Long, Q. Liu, S. Zhang, Q. Wang, Y. Li, Y. Wang, and M. Liu, in 3rd International Nanoelectronics Conference (INEC), 3-8 January 2010 (IEEE, 2010), pp. 228-229.
10. G. J. Choi, S. K. Kim, S. Y. Lee, W. Y. Park, M. H. Seo, B. J. Choi, and C. S. Hwang, J. Electrochem. Soc. 156 (7), G71-G77 (2009). 10.1149/1.3125713
11. D. H. Kwon, K. M. Kim, J. H. Jang, J. M. Jeon, M. H. Lee, G. H. Kim, X. S. Li, G. S. Park, B. R. Lee, S. W. Han, M. Y. Kim, and C. S. Hwang, Nat. Nanotechnol. 5, 148-153 (2010). 10.1038/nnano.2009.456
12. J. J. Yang, M. D. Pickett, X. Li, D. A. A. Ohlberg, D. R. Stewart, and R. S. Williams, Nat. Nanotechnol. 3, 429-433 (2008). 10.1038/nnano.2008.160
13. S. K. Cheung and N. W. Cheung, Appl. Phys. Lett. 49, 85 (1986). 10.1063/1.97359
14. A. Ferhat-Hamida, Z. Ouennoughi, A. Hoffmann, and R. Weiss, Solid-State Electron. 46, 615-619 (2002). 10.1016/S0038-1101(01)00337-9
15. T. C. Lee, S. Fung, C. D. Beling, and H. L. Au, J. Appl. Phys. 72, 4739 (1992). 10.1063/1.352082