In situ atomic layer deposition half cycle study of Al2O 3 growth on AlGaN

Applied Physics Letters

Volumn 101, Issue 21, 2012, Pages

  Brennan, Barry ^a   Qin, Xiaoye ^a   Dong, Hong ^a   Kim, Jiyoung ^a   Wallace, Robert M ^a  

^a The University of Texas at Dallas   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALGAN; DEPOSITION PROCESS; DETECTION LIMITS; HALF CYCLE; NATIVE OXIDES; SITU X-RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ALUMINUM; GALLIUM; HYDROFLUORIC ACID; PHOTOELECTRONS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ATOMIC LAYER DEPOSITION;

EID: 84870021563     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.4767520     Document Type: Article

References (34)

1. S. J. Pearton and F. Ren, Adv. Mater. 12, 1571 (2000). 10.1002/1521-4095(200011)12:21<1571::AID-ADMA1571>3.0.CO;2-T
2. S. Strite and H. Morkoc, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1237 (1992). 10.1116/1.585897
3. J. W. Chung, J. C. Roberts, E. L. Piner, and T. Palacios, IEEE Electron Device Lett. 29, 1196 (2008). 10.1109/LED.2008.2005257
4. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. M. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000). 10.1109/55.843146
5. A. L. Corrion, K. Shinohara, D. Regan, I. Milosavljevic, P. Hashimoto, P. J. Willadsen, A. Schmitz, S. J. Kim, C. M. Butler, D. Brown, S. D. Burnham, and M. Micovic, IEEE Electron Device Lett. 32, 1062 (2011). 10.1109/LED.2011. 2155616
6. T. Huang, X. Zhu, K. M. Wong, and K. M. Lau, IEEE Electron Device Lett. 33, 212 (2012). 10.1109/LED.2011.2176909
7. T. Mizutani, Y. Ohno, M. Akita, S. Kishimoto, and K. Maezawa, IEEE Trans. Electron Devices 50, 2015 (2003). 10.1109/TED.2003.816549
8. Y. Ohno, T. Nakao, S. Kishimoto, K. Maezawa, and T. Mizutani, Appl. Phys. Lett. 84, 2184 (2004). 10.1063/1.1687983
9. M. Dialea, F. D. Aureta, N. G. van der Berga, R. Q. Odendaala, and W. D. Roos, Appl. Surf. Sci. 246, 279 (2005). 10.1016/j.apsusc.2004.11.024
10. H. Ishikawa, S. Kobayashi, Y. Koide, S. Yamasaki, S. Nagai, J. Umezaki, M. Koike, and M. Murakami, J. Appl. Phys. 81, 1315 (1997). 10.1063/1.363912
11. S. W. King, J. P. Barnak, M. D. Bremser, K. M. Tracy, C. Ronning, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 84, 5248 (1998). 10.1063/1.368814
12. R. Sohal, P. Dudekb, and O. Hilt, Appl. Surf. Sci. 256, 2210 (2010). 10.1016/j.apsusc.2009.09.075
13. M. Miczek, C. Mizue, T. Hashizume, and B. Adamowicz, J. Appl. Phys. 103, 104510 (2008). 10.1063/1.2924334
14. C. Y. Tsai, T. L. Wu, and A. Chin, IEEE Electron Device Lett. 33, 35 (2012). 10.1109/LED.2011.2172911
15. Y. Hori, C. Mizue, and T. Hashizume, Phys. Status Solidi C 9, 1356 (2012). 10.1002/pssc.201100656
16. P. Sivasubramani, T. J. Park, B. E. Coss, A. Lucero, J. Huang, B. Brennan, Y. Cao, D. Jena, H. Xing, R. M. Wallace, and J. Kim, Phys. Status Solidi (RRL) 6, 22 (2012). 10.1002/pssr.201105417
17. M. Milojevic, C. L. Hinkle, F. S. Aguirre-Tostado, H. C. Kim, E. M. Vogel, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 93, 252905 (2008). 10.1063/1.3054348
18. R. M. Wallace, ECS Trans. 16, 255 (2008). 10.1149/1.2981608
19. A. Herrera-Gomez, P. Pianetta, D. Marshall, E. Nelson, and W. E. Spicer, Phys. Rev. B 61, 12988 (2000). 10.1103/PhysRevB.61.12988
20. B. Brennan and G. Hughes, J. Appl. Phys. 108, 053516 (2010). 10.1063/1.3475499
21. I. Horcas, R. Fernández, J. M. Gómez-Rodríguez, J. Colchero, J. Gómez-Herrero, and A. M. Baro, Rev. Sci. Instrum. 78, 013705 (2007). 10.1063/1.2432410
22. C. L. Hinkle, M. Milojevic, B. Brennan, A. M. Sonnet, F. S. Aguirre-Tostado, G. J. Hughes, E. M. Vogel, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 94, 162101 (2009). 10.1063/1.3120546
23. C. L. Hinkle, A. M. Sonnet, E. M. Vogel, S. McDonnell, G. J. Hughes, M. Milojevic, B. Lee, F. S. Aguirre-Tostado, K. J. Choi, H. C. Kim, J. Kim, and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 92, 071901 (2008). 10.1063/1.2883956
24. C. L. Hinkle, E. M. Vogel, P. D. Ye, and R. M. Wallace, Curr. Opin. Solid State Mater. Sci. 15, 188 (2011). 10.1016/j.cossms.2011.04.005
25. F. González-Posada, J. A. Bardwell, S. Moisa, S. Haffouz, H. Tang, A. F. Braña, and E. Muñoz, Appl. Surf. Sci. 253, 6185 (2007). 10.1016/j.apsusc.2007.01.016
26. J. F. Moulder, W. F. Stickle, P. E. Sobol, and K. D. Bomben, Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy (Physical Electronics Division, Perkin-Elmer Corporation, 1992).
27. E. Antonides, E. C. Janse, and G. A. Sawatzky, Phys. Rev. B 15, 1669 (1977). 10.1103/PhysRevB.15.1669
28. P. D. Ye, G. D. Wilk, B. Yang, J. Kwo, S. N. G. Chu, S. Nakahara, H. -J. L. Gossmann, J. P. Mannaerts, M. Hong, K. K. Ng, and J. Bude, Appl. Phys. Lett. 83, 180 (2003). 10.1063/1.1590743
29. M. Higashiwaki, S. Chowdhury, B. L. Swenson, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 97, 222104 (2010). 10.1063/1.3522649
30. R. R. Pelá, C. Caetano, M. Marques, L. G. Ferreira, J. Furthmüller, and L. K. Teles, Appl. Phys. Lett. 98, 151907 (2011). 10.1063/1.3576570
31. K. M. Tracy, W. J. Mecouch, R. F. Davis, and R. J. Nemanich, J. Appl. Phys. 94, 3163 (2003). 10.1063/1.1596369
32. R. L. Puurunen, J. Appl. Phys. 97, 121301 (2005). 10.1063/1.1940727
33. T. Hashizume, S. Ootomo, S. Oyama, M. Konishi, and H. Hasegawa, J. Vac. Sci. Technol. B 19, 1675 (2001). 10.1116/1.1383078
34. B. Liu, Y. W. Lu, G. R. Jin, Y. Zhao, X. L. Wang, Q. S. Zhu, and Z. G. Wang, Appl. Phys. Lett. 97, 262111 (2010). 10.1063/1.3532967