Chemistry and electrical properties of surfaces of GaN and GaN/AlGaN heterostructures

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 19, Issue 4, 2001, Pages 1675-1681

  Hashizume, Tamotsu ^a   Ootomo, Shinya ^a   Oyama, Susumu ^a   Konishi, Masanobu ^a   Hasegawa, Hideki ^a  

^a HOKKAIDO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC PROPERTIES; ELECTRIC VARIABLES MEASUREMENT; FERMI LEVEL; GALLIUM NITRIDE; LEAKAGE CURRENTS; MAGNETIZATION; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PASSIVATION; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SURFACE CHEMISTRY; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; CAPACITANCE-VOLTAGE MEASUREMENT; DRAIN CURRENT; FERMI LEVEL PINING; GATE CONTROLLABILITY; INTERFACE STATE DENSITY; RADIO FREQUENCY MOLECULAR BEAM EPITAXY; SCHOTTKY GATE CONTACT;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 0035535377     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1383078     Document Type: Conference Paper

References (31)

1. U. Mishra, presented at the International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2000), 24-27 September 2000, Nagoya.
2. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. M. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 21, 268 (2000).
3. S. L. Rumyantsev et al., J. Appl. Phys. 88, 6726 (2000).
4. V. M. Bermudez, J. Appl. Phys. 80, 1190 (1996).
5. C. I. Wu and A. Kahn, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2218 (1998).
6. V. M. Bermudez, D. D. Koleske, and A. E. Wickenden, Appl. Surf. Sci. 126, 69 (1998).
7. H. C. Casey, Jr., G. G. Fountain, R. G. Alley, B. P. Keller, and S. P. DenBaars, Appl. Phys. Lett. 68, (1996).
8. M. Sawada, T. Sawada, Y. Yamagata, K. Imai, H. Kimura, M. Yoshino, K. Iizuka, and H. Tomozawa, J. Cryst. Growth 189/190, 706 (1998).
9. R. Therrien, G. Lucovsky, and R. Davis, Appl. Surf. Sci. 166, 513 (2000).
10. M. Hong et al., J. Vac. Sci. Technol. B 18, 1453 (2000).
11. M. A. Kahn, X. Hu, G. Simin, A. Lunev, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, IEEE Electron Device Lett. 21, 63 (2000).
12. M. A. Kahn, X. Hu, A. Takakji, G. Simin, J. Yang, R. Gaska, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 77, 1339 (2000).
13. P. Hacke, G. Feuillet, H. Okumura, and S. Yoshida, J. Cryst. Growth 175/176, 94 (1997).
14. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, M.-S. Shin, M. Skowronski, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Appl. Phys. Lett. 72, 2114 (1998).
15. I. Waki, H. Fujioka, K. Ono, M. Oshima, H. Miki, and A. Fukizawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 39, 4451 (2000).
16. Y.-J. Lin and C.-T. Lee, Appl. Phys. Lett. 77, 3986 (2000).
17. G. Hollinger, S. Skheyta-Kabbani, and M. Gendry, Phys. Rev. B 49, 11159 (1994).
18. N. J. Watkins, G. W. Wicks, and Y. Gao, Appl. Phys. Lett. 75, 2602 (1999).
19. J. R. Waldrop and R. W. Grant, Appl. Phys. Lett. 68, 2879 (1996).
20. C. I. Wu and A. Kahn, J. Appl. Phys. 86, 3209 (1999).
21. M. A. Kahn, J. N. Kuznia, D. T. Olson, and R. Kaplan, J. Appl. Phys. 73, 3108 (1993).
22. S. S. Dhesi, C. B. Stagarescu, K. E. Smith, D. Doppalapudi, R. Singh, and D. Moustakas, Phys. Rev. B 56, 10271 (1997).
23. K. Rapcewicz, M. B. Nardelli, and J. Bernholc, Phys. Rev. B 56, R12725 (1997).
24. A. R. Smith, R. M. Feenstra, D. W. Greve, J. Neugebauer, and J. E. Northrup, Phys. Rev. Lett. 79, 3934 (1997).
25. S. D. Wolter, J. M. DeLucca, S. E. Mohny, R. S. Kern, and C. P. Kuo, Thin Solid Films 371, 153 (2000).
26. T. Hashizume, S. Ootomo, R. Nakasaki, S. Oyama, and M. Kihara, Appl. Phys. Lett. 76, 2880 (2000).
27. M. K. Das, J. A. Cooper, Jr., and M. R. Melloch, J. Electron. Mater. 27, 353 (1997).
28. C.-M. Zetterling, M. Östling, K. Wongchotigul, M. G. Spencer, X. Tang, C. I. Harris, N. Nordell, and S. S. Wong, J. Appl. Phys. 82, 2990 (1997).
29. O. Ambacher et al., J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
30. E. T. Yu. G. J. Sullivan, P. M. Asbeck, S. D. Wang, D. Qiao, and S. S. Lau, Appl. Phys. Lett. 71, 2794 (1997).
31. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. W. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2888 (2000).