ZnO homojunction white light-emitting diodes

Journal of Applied Physics

Volumn 110, Issue 5, 2011, Pages

  Baltakesmez, Ali ^a   Tekmen, Süleyman ^a   Tüzemen, Sebahattin ^a  

^a Department of Physics   (Turkey)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPED ZNO; ELECTROCHEMICAL DEPOSITION; HALL SYSTEMS; HIGH MOBILITY; HOMO-JUNCTIONS; HOMOJUNCTION; LOW RESISTIVITY; LUMINESCENCE BAND; ROOM TEMPERATURE; WHITE LIGHT EMITTING DIODES; ZNO; ZNO FILMS;

CARRIER CONCENTRATION; CARRIER MOBILITY; ELECTRIC PROPERTIES; LIGHT; LIGHT EMITTING DIODES; METALLIC FILMS; REDUCTION;

ZINC OXIDE;

EID: 80052951289     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3627247     Document Type: Conference Paper

References (59)

1. J. Y. Lee, J. H. Lee, H. S. Kim, C. H. Lee, H. S. Ahn, H. K. Cho, Y. Y. Kim, B. H. Kong, and H. S. Lee, Thin Solid Films 517, 5157 (2009) 10.1016/j.tsf.2009.03.028
2. K. Liu, M. Sakurai, M. Liao, and M. Aono, J. Phys. Chem. C 114, 19835 (2010). 10.1021/jp108320j
3. L. F. Dong, Z. L. Cui, Z. K. Zhang, Nanostruct. Mater. 8, 815 (1997). 10.1016/S0965-9773(98)00005-1
4. C. T. Pan, Z. H. Liu, Y. C. Chen, and C. F. Liu, Sensor Actuators, A 159, 96 (2010). 10.1016/j.sna.2010.02.023
5. D. J. Kwak, J. H. Kim, B. W. Park, Y. M. Sung, M. W. Park, and Y. B. Choo, Curr. Appl. Phys. 10, S282 (2010). 10.1016/j.cap.2009.11.063
6. M. A. Alim, S. Li, F. Liu, and P. Cheng, Phys. Status Solidi A 203, 410 (2006). 10.1002/pssa.200521084
7. J. C. Sun, H. W. Liang, J. Z. Zhao, J. M. Bian, Q. J, Feng, L. Z. Hu, H. Q. Zhang, X. P. Liang, Y. M. Luo, and G. T. Du, Chem. Phys. Lett. 460, 548 (2008). 10.1016/j.cplett.2008.06.039
8. H. J. Ko, Y. Chen, S. K. Hong, and T. Yao, J. Cryst. Growth 209, 816 (2000). 10.1016/S0022-0248(99)00726-5
9. J. F. Chang, H. L. Whang, and M. H. Hon, J. Cryst. Growth 211, 93 (2000). 10.1016/S0022-0248(99)00779-4
10. J. L. Zhao, X. M. Li, J. M. Bian, W. D. Yu, and X. D. Gao, J. Cryst. Growth 276, 507 (2005). 10.1016/j.jcrysgro.2004.11.407
11. A. E. J. Gonzales, J. A. S. Urueta, and R. S. Parra, J. Cryst. Growth 192, 430 (1998). 10.1016/S0022-0248(98)00422-9
12. S. Tekmen, E. Gr, H. Asl, K. Cnar, C. Cokun, and S. Tüzemen, Phys. Status Solidi A 207, 1464 (2010). 10.1002/pssa.200925488
13. C. B. Tay, S. J. Chua, and K. P. Loh, J. Phys. Chem. C. 114, 9981 (2010). 10.1021/jp101039s
14. J. Gao, X. Zhang, Y. Sun, Q. Zhao, and D. Yu, Nanotechnology 21, 245703 (2010). 10.1088/0957-4484/21/24/245703
15. Y. Y. Kim, W. S. Han, and H. K. Cho, Appl. Surf. Sci. 256, 4438 (2010). 10.1016/j.apsusc.2010.01.035
16. M. K. Gupta, N. Sinha, B. K. Singh, and B. Kumar, Mater. Lett. 64, 1825 (2010). 10.1016/j.matlet.2010.05.044
17. S. Majumdar, P. Banerji, Appl. Phys. A 100, 487 (2010). 10.1007/s00339-010-5788-8
18. B. Wang, L. Tang, J. Qi, H. Du, and Z. Zhang, J. Alloy. Compd. 503, 436 (2010). 10.1016/j.jallcom.2010.05.028
19. A. Kumar, M. Kumar, and B. P. Singh, Appl. Surf. Sci. 256, 7200 (2010). 10.1016/j.apsusc.2010.05.050
20. E. Gr, S. Tüzemen, and S. Doan, Phys. Scr. 79, 035701 (2009). 10.1088/0031-8949/79/03/035701
21. X. H. Wang, B. Yao, C. X. Cong, Z. P. Wei, D. Z. Shen, Z. Z. Zhang, B. H. Li, Y. M. Lu, D. X. Zhao, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, Thin Solid Films 518, 3428 (2010). 10.1016/j.tsf.2009.12.007
22. S. Shet, K. S. Ahn, H. Wang, R. Nuggehalli, Y. Yan, J. Turner, and M. A. Jassim, J. Mater. Sci. 45, 5218 (2010). 10.1007/s10853-010-4561-x
23. J. Su, C. Zang, C. Cheng, Q. Niu, Y. Zhang, and, K. Yu, Appl. Surf. Sci. 257, 160 (2010). 10.1016/j.apsusc.2010.06.056
24. E. S. Kumar, S. Venkatesh, and M. S. R. Rao, Appl. Phys. Lett. 96, 232504 (2010). 10.1063/1.3449122
25. Z. C. Ying, W. Jing, and B. Y. Lei, Chin. Phys. B 19, 047101 (2010). 10.1088/1674-1056/19/4/047101
26. S. Tüzemen, S. Doan, A. Ate, M. Yldrm, G. Xiong, J. Wilkinson, and R. T. Williams, Phys. Status Solidi A 195, 165 (2003). 10.1002/pssa.v195:1
27. Y. Yan and M. M. A. Jassim, Phys. Rev. B 69, 085204 (2004). 10.1103/PhysRevB.69.085204
28. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000). 10.1103/PhysRevLett.85.1012
29. G. Xiong, J. Wilkinson B. Mischuck, S. Tüzemen, K. B. Ucer, and R. T. Williams, Appl. Phys. Lett. 80, 1195 (2001). 10.1063/1.1449528
30. S. T. Tan, B. J. Chen, X. W. Sun, M. B. Yu, X. H. Zhang, and S. J. Chua, J. Electron. Mater. 34, 1172 (2005). 10.1007/s11664-005-0247-6
31. L. P. Dai, H. Deng, J. J. Chen, and M. Wei, Solid State Commun. 143, 378 (2007). 10.1016/j.ssc.2007.06.021
32. Y. C. Huang, Z. Y. Li, L. W. Weng, Wu, Y. Uen, S. M. Lan, S. M. Liao, T. Y. Lin, Y. H. Huang, J. W. Chen, and T. N. Yang, J. Vac. Sci. Technol. A, 28, 1308 (2010).
33. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, Y. F. Lu, J. G. Lu, W. Z. Xu, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, J Phys. D: Appl. Phys. 40, 1807 (2009). 10.1088/0022-3727/40/6/031
34. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, J. G. Lu, H. P. He, L. P. Zhu, B. H. Zhao, Y. Che, and S. B. Zhang, Appl. Phys. Lett. 88, 262103 (2006). 10.1063/1.2217165
35. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001). 10.1103/PhysRevB.63.075205
36. A. E. Rakhshani, J. Appl. Phys. 108, 094502 (2010). 10.1063/1.3490622
37. Z. Guo, H. Zhang, D. Zhao, Y. Liu, B. Yao, B. Li, Z. Zhang, and D. Shen. Appl. Phys. Lett. 97, 173508 (2010). 10.1063/1.3505929
38. A. Ashrafi, Surf. Sci. 604, L63 (2010). 10.1016/j.susc.2010.08.002
39. C. Y. Lee, J. S. Huang, S. H. Hsu, W. F. Su, and C. F. Lin, Thin Solid Films 518, 6066 (2010). 10.1016/j.tsf.2010.06.005
40. Y. M. Lee, W. M. Nung, and C. H. Lai, Physica E 42, 2289 (2010). 10.1016/j.physe.2010.05.004
41. R. C. Wang and H. Y. Lin, Sensors Actuators, B 149, 94 (2010). 10.1016/j.snb.2010.06.025
42. A. Zainelabdin, S. Zaman, G. Amin, O. Nur, and M. Willander, Nanoscale Res. Lett. 5, 1442 (2010). 10.1007/s11671-010-9659-1
43. B. K. Meyer, J. Sann, and A. Zeuner, Superlatt. Microstruct. 38, 344 (2005). 10.1016/j.spmi.2005.08.006
44. G. Y. Huang, C. Y. Wang, and J. T. Wang, Physica B 405, 158 (2010). 10.1016/j.physb.2009.08.045
45. W. Liu, F. Xiu, K. Sun, Y. H. Xie, K. L. Wang, Y. Wang, J. Zou, Z. Yang, and J. Liu, J. Am. Chem. Soc 132, 2498 (2010). 10.1021/ja908521s
46. S. S. Lin, Z. Z. Ye, J. G. Lu, H. P. He, L. X. Chen, X. Q. Gu, J. Y. Huang, L. P. Zhu and B. H. Zhao, J. Phys. D 41, 155114 (2008). 10.1088/0022-3727/41/15/155114
47. J. Li, S. H. Wei, S. S. Li, and J. B. Xia, Phys. Rev. B 74, 081201(R) (2006). 10.1103/PhysRevB.74.081201
48. V. Avrutin, D. J. Silversmith, and H. Morko, Proc. IEEE 98 (7), (2010).
49. J. Liu, W. Weng, W. Ding, K. Cheng, P. Du, G. Shen, and G. Han, Surf. Coat. Tech. 198, 274 (2005). 10.1016/j.surfcoat.2004.10.081
50. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 92, 155504 (2004). 10.1103/PhysRevLett.92.155504
51. D. P. Norton, Y. W. Heo, M. P. Ivill, K. Ip, S. J. Pearton, M. F. Chisholm, and T. Steiner, Mater. Today 7 (6), 34 (2004). 10.1016/S1369-7021(04) 00287-1
52. Y. S. Choi, J. W. Kang, D. K. Hwang, and S. J. Park, IEEE Trans. Electron Devices 57 (1), (2010).
53. S. H. Jeong, B. S. Kim, and B. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2625 (2003). 10.1063/1.1568543
54. C. H. Ahn, Y. Y. Kim, D. C. Kim, S. K. Mohanta, and H. K. Cho, J. Appl, Phys. 105, 013502 (2009).
55. M. Willander, O. Nur, Q. X. Zhao, L. L. Yang, M. Lorenz, B. Q. Cao, J. Z. Perez, C. Czekalla, G. Zimmermann, M. Grundmann, A. Bakin, A. Behrends, M. Al-Suleiman, A. El-Shaer, A. Che Mofor, B. Postels, A. Waag, N. Boukos, A. Travlos, H. S. Kwack, J. Guinard, and D. L. S. Dang, Nanotechnology 20, 332001 (2009). 10.1088/0957-4484/20/33/332001
56. Y. R. Ryu, J. A. Lubguban, T. S. Lee, H. W. White, T. S. Jeong, C. J. Youn, and B. J. Kim, Appl. Phys. Lett. 90, 131115 (2007). 10.1063/1.2718516
57. N. Bano, S. Zaman, A. Zainelabdin, S. Hussain, I. Hussain, O. Nur, and M. Willander J. Appl. Phys. 108, 043103 (2010). 10.1063/1.3475473
58. T. M. Brseth, B. G. Svensson, A. Y. Kuznetsov, P. Klason, Q. X. Zhao, and M. Willander, Appl. Phys. Lett. 89, 262112 (2006). 10.1063/1.2424641
59. Jasprit Singh, Semiconductor Optoelectronics Physics and Technology (McGraw-Hill), Chap., p. 226.