Electrical barriers in the ZnO varistor grain boundaries

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 203, Issue 2, 2006, Pages 410-427

  Alim, Mohammad A ^a   Li, Shengtao ^b   Liu, Fuyi ^b   Cheng, Pengfei ^b  

^a ALABAMA A AND M UNIVERSITY   (United States)

^b XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL BARRIERS; GRAIN CARRIER DENSITY;

ACTIVATION ENERGY; CURRENT VOLTAGE CHARACTERISTICS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC FIELDS; GRAIN BOUNDARIES; MICROSTRUCTURE; TEMPERATURE DISTRIBUTION; VARISTORS;

ZINC OXIDE;

EID: 32144448505     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200521084     Document Type: Article

References (69)

1. M. Matsuoka, Jpn. J. Appl. Phys. 10, 736-746 (1971).
2. L. C. Sletson, M. E. Potter, and M. A. Alim, J. Am. Ceram. Soc. 71(11), 909-913 (1988).
3. M. A. Alim, M. A. Scitz, and R. W. Hirthe, J. Appl. Phys. 63(7), 2337-2345 (1988).
4. Zinc Oxide Rediscovered (Zinc Corporation of America, 1957).
5. L. M. Levinson and H. R. Philipp, Am. Ceram. Soc. Bull. 65(4), 639-646 (1986).
6. T. K. Gupta, J. Am. Ceram. Soc. 73(7), 1817-1840 (1990).
7. K. Eda, J. Appl. Phys. 49(5), 2964-2972 (1978).
8. L. K. J. Vanadamme and J. C. Brugman, J. Appl. Phys. 51(8), 4240-4244 (1980).
9. A. Kusy and T. G. M. Kleinpennig, J. Appl. Phys. 54(6), 2900-2906 (1983).
10. M. Prudenziati, A. Masoero, and A. M. Rietto, J. Appl. Phys. 58(1), 345-350 (1985).
11. J. D. Levine, CRC Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 5, 597-608 (1975).
12. G. D. Mahan, L. M. Levinson, and H. R. Philipp, J. Appl. Phys. 50(4), 2799-2812 (1979).
13. G. D. Mahan, L. M. Levinson, and H. R. Philipp, Appl. Phys. Lett. 33(9), 830-832 (1978).
14. M. A. Alim, J. Appl. Phys. 78(7), 5850-5853 (1995).
15. K. Mukae, K. Tsuda, and I. Nagasawa, J. Appl. Phys. 50(6), 4475-4476 (1979).
16. W. G. Morris, J. Vac. Sci. Technol. 13(4), 926-931 (1976).
17. S. Bai and T. Y. Tseng, J. Appl. Phys. 74(1), 695-703 (1992).
18. S.-W. Han, J.-L. He, and H.-G. Cho, Proceedings of the 6th International Conference on Properties and Applications of Dielectric Materials (Xi'an, China, June 21-26, 2000), pp. 957-960.
19. J. K. Tsai and T. B. Wu, J. Appl. Phys. 76(8), 4817-4822 (1994).
20. E. D. Kim, C. H. Kim, and M. H. Oh, J. Appl. Phys. 58(8), 3231-3235 (1985).
21. E. H. Rhoderick, Metal-Semiconductor Contacts (Clarendron Press, Oxford, U.K., 1978).
22. S. M. Sze, The Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (John Wiley & Sons, New York, 1981).
23. M. A. Alim, J. Appl. Phys. 74(9), 5850-5853 (1993).
24. K. Sato and Y. Takada, J. Appl. Phys. 53(12), 8819-8826 (1982).
25. M. Hayashi, M. Haba, and S. Hirano, J. Appl. Phys. 53(8), 5754-5762 (1982).
26. K. Eda, A. Iga, and M. Matsuoka, J. Appl. Phys. 51(5), 2678-2684 (1980).
27. E. R. Leite, J. A. Varela, and E. Longo, J. Appl. Phys. 72(1), 147-150 (1992).
28. W.-X. Wang, J.-F. Wang, and H.-C. Chen, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 1040-1043 (2003).
29. G. D. Mahan, J. Appl. Phys. 54(7), 3825-3832 (1983).
30. K. Lott, S. Shinkarenko, T. Kirsanova, A. Grebennik, and A. Vishnjakov, phys. stat. sol. (c) 2(3), 1200-1205 (2005).
31. C.-C. Lin, C.-S. Hsiao, S.-Y. Chen, and S.-Y. Cheng, J. Electrochem. Soc. 151, G285-G288 (2004).
32. P. H. Miller, Phys. Rev. 60, 890-895 (1941).
33. D. G. Thomas, J. Phys. Chem. Solids 3, 229-237 (1957).
34. A. R. Hutson, J. Phys. Chem. Solids 8, 467-472 (1959).
35. A. R. Hutson, Phys. Rev. 108, 222-230 (1957).
36. F. Greuter and G. Blatter, Semicond. Sci. Technol. 5, 111 -137 (1990).
37. M. Tao, B. Ai, O. Dorlanne, and A. Loubiere, J. Appl. Phys. 61(4), 1562-1567 (1987).
38. E. Olsson and G. L. Dunlop, J. Appl. Phys. 66(8), 3666-3675 (1989).
39. M. A. Alim and M. A. Scitz, J. Am. Ceram. Soc. 71, C246-C249 (1988).
40. M. Bartkowiak, G. D. Mahan, F. A. Modine, M. A. Alim, R. Lauf, and A. McMillan, J. Appl. Phys. 80, 6516-6522 (1996).
41. M. Bartkowiak, G. D. Mahan, F. A. Modine, and M. A. Alim, J. Appl. Phys. 79(1), 273-281 (1996).
42. M. Bartkowiak, G. D. Mahan, F. A. Modine, and M. A. Alim, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L414-L417 (1996).
43. L. F. Lou, Appl. Phys. Lett. 36(7), 570-572 (1980).
44. M. Bartkowiak and G. D. Mahan, Phys. Rev. B 51, 10825-10832 (1995).
45. L. M. Levinson and H. R. Philipp, J. Appl. Phys. 47(3), 1117-1122 (1976).
46. K. S. Cole and R. H. Cole, J. Chem. Phys. 9, 341-351 (1941).
47. G. E. Pike and C. H. Seager, J. Appl. Phys. 50(5), 3414-3422 (1979).
48. G. E. Pike, Phys. Rev. B 30(2), 795-802 (1984).
49. B. Bhushan, S. C. Kashyap, and K. L. Chopra, J. Appl. Phys. 52(4), 2932-2936 (1981).
50. A. M. R. Senos, P. Q. Mantas, and J. L. Baptista, Silicates Industriels 11/12,161-163 (1985).
51. M. A. Scitz, R. W. Hirthe, and M. E. Potter, in: Materials Research Society Symposia Proceedings: Grain Boundaries in Semiconductors, edited by H. J. Leamy, G. E. Pike, and C. H. Seager, Vol. 5 (1982), p. 405-410.
52. R. Einzinger, in: Materials Research Society Symposia Proceedings: Grain Boundaries in Semiconductors, edited by H. J. Leamy, G. E. Pike, and C. H. Seager, Vol. 5 (1982), p. 343-353.
53. P. R. Emtage, J. Appl. Phys. 48(10), 4372-4384 (1977).
54. J. T. C. van Kemenade and R. K. Eijnthoven, J. Appl. Phys. 50(2), 938-941 (1979).
55. U. Schwing and B. Hoffman, J. Appl. Phys. 57(12), 5372-5379 (1985).
56. M. A. Alim, Act. Passive Electron. Compon. 17(2), 99-118 (1994).
57. M. A. Alim, Act. Passive Electron. Compon. 17(1), 57-65 (1994).
58. M. A. Alim, J. Am. Ceram. Soc. 72(1), 28-32 (1989).
59. K. A. Abdullah, A. Bui, and A. Loubiere, J. Appl. Phys. 69(7), 4046-4052 (1991).
60. T. K. Gupta and W. D. Straub, U.S. Patent 4,094,061 (June 13, 1978).
61. J. Chen and Z. Liu, Physics of Dielectrics (Mechanical Industry Press, Beijing, P.R. China, 2000), p. 225.
62. L. M. Levinson and H. R. Philipp, J. Appl. Phys. 46(3), 1332-1341 (1975).
63. T. K. Gupta and W. D. Straub, J. Appl. Phys. 68(2), 845-850 (1990).
64. T. K. Gupta and W. D. Straub, J. Appl. Phys. 68(2), 851-855 (1990).
65. T. K. Gupta and W. G. Carlson, J. Appl. Phys. 53(11), 7401-7409 (1982).
66. T. R. N. Kutty and S. Ezhilvalavan, J. Phys. D: Appl. Phys. 29, 809-819 (1996).
67. Z. Chen and H. Xie, in: Hydraulic and Electric Power Press (Beijing, P.R. China, April 1992), p. 123.
68. H. R. Philipp and L. M. Levinson, J. Appl. Phys. 47(7), 3177-3181 (1976).
69. D. Fernandez-Hevia, J. de Frutus, A. C. Caballero, and J. F. Fernandez, J. Appl. Phys. 92(5), 2890-2898 (2002).