P-type behavior in nominally undoped ZnO thin films by oxygen plasma growth

Applied Physics Letters

Volumn 88, Issue 26, 2006, Pages

  Zeng, Y J ^a   Ye, Z Z ^a   Xu, W Z ^a   Lu, J G ^a   He, H P ^a   Zhu, L P ^a   Zhao, B H ^a   Che, Y ^b   Zhang, S B ^c  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

^b IMRA AMERICA INC   (United States)

^c NATIONAL RENEWABLE ENERGY LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HALL MOBILITY; OXYGEN PLASMA GROWTH; P-TYPE ZNO THIN FILMS; ZINC VACANCY;

DOPING (ADDITIVES); ELECTRIC CONDUCTIVITY; METALLORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; PHOTOLUMINESCENCE; PLASMA APPLICATIONS; ZINC OXIDE;

THIN FILMS;

EID: 33745599156     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2217165     Document Type: Article

References (23)

1. D. C. Look, Mater. Sci. Eng., B 80, 383 (2001).
2. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 85, 1012 (2000).
3. S. F. J. Cox, E. A. Davis, S. P. Cottrell, P. J. C. King, J. S. Lord, J. M. Gil, H. V. Alberto, R. C. Vilao, J. Piroto Duarte, N. Ayres de Campos, A. Weidinger, R. L. Lichti, and S. J. C. Irvine, Phys. Rev. Lett. 86, 2601 (2000).
4. A. F. Kohan, G. Ceder, D. Morgan, and C. G. Van de Walle, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
5. S. B. Zhang, S.-H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 63, 075205 (2001).
6. D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason, and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).
7. J. F. Rommeluere, L. Svob, F. Jomard, J. Mimila-Arroyo, A. Lusson, V. Sallet, and Y. Marfaing, Appl. Phys. Lett. 83, 287 (2003).
8. W. Z. Xu, Z. Z. Ye, T. Zhou, B. H. Zhao, L. P. Zhu, and J. Y. Huang, J. Cryst. Growth 265, 133 (2004).
9. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 83, 63 (2003).
10. D. C. Look, G. M. Renlund, R. H. Burgener, and J. R. Sizelove, Appl. Phys. Lett. 85, 5269 (2004).
11. Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, D. Y. Li, J. G. Lu, L. P. Zhu, and B. H. Zhao, Appl. Phys. Lett. 88, 062107 (2006).
12. G. Xiong, J. Wilkinson, B. Mischuck, S. Tuzemen, K. B. Ucer, and R. T. Williams, Appl. Phys. Lett. 80, 1195 (2002).
13. Y. Ma, G. T. Du, S. R. Yang, Z. T. Li, B. J. Zhao, X. T. Yang, T. P. Yang, Y. T. Zhang, and D. L. Liu, J. Appl. Phys. 95, 6268 (2004).
14. M.-S. Oh, S.-H. Kim, and T.-Y. Seong, Appl. Phys. Lett. 87, 122103 (2005).
15. Z. Q. Chen, S. Yamamoto, M. Maekawa, A. Kawasuso, X. L. Yuan, and T. Sekiguchi, J. Appl. Phys. 94, 4807 (2003).
16. L. J. Wang and N. C. Gilesa, J. Appl. Phys. 94, 973 (2003).
17. C. L. Wu, J. C. Wang, M. H. Chan, T. T. Chen, and S. Gwoa, Appl. Phys. Lett. 83, 4530 (2003).
18. A. F. Kohan, G. Ceder, and D. Morgan, Phys. Rev. B 61, 15019 (2000).
19. F. Tuomisto, V. Ranki, K. Saarinen, and D. C. Look, Phys. Rev. Lett. 91, 205502 (2003).
20. T. V. Butkhuzi, A. V. Bureyev, A. N. Georgobiani, N. P. Kekelidze, and T. G. Khulordava, J. Cryst. Growth 117, 366 (1992).
21. S. H. Jeong, B. S. Kim, and B. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 82, 2625 (2003).
22. W.-J. Lee, J. Kang, and K. J. Chang, Phys. Rev. B 73, 024117 (2006).
23. J. Gutowski, N. Presser, and I. Broser, Phys. Rev. B 38, 9746 (1988).