Recent advances and challenges for successful p-type control of InN films with Mg acceptor doping by molecular beam epitaxy

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science

Volumn 207, Issue 5, 2010, Pages 1011-1023

  Yoshikawa, Akihiko ^a   Wang, Xinqiang ^b   Ishitani, Yoshihiro ^a   Uedono, Akira ^c  

^a CHIBA UNIVERSITY   (Japan)

^b PEKING UNIVERSITY   (China)

^c UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

Author keywords

Electrical properties; InN films; MBE; P type doping

Indexed keywords

ACCEPTOR DOPING; DEVICE APPLICATION; ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES; ELECTRICAL PROPERTY; EPILAYERS GROWN; GAN TEMPLATE; HIGH-PURITY; III-NITRIDES; INN FILMS; MATERIAL CONTROL; MATERIAL PROPERTY; P-TYPE; P-TYPE CONDUCTION; P-TYPE DOPING; THREADING DISLOCATION;

CRYSTAL GROWTH; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MOLECULAR BEAMS; OPTICAL PROPERTIES;

ELECTRIC PROPERTIES;

EID: 77952694774     PISSN: 18626300     EISSN: 18626319     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/pssa.200983118     Document Type: Conference Paper

References (58)

1. V. Yu. Davydov, A. A. Klochikhin, R. P. Seisyan, V. V. Emtsev, S. V. Ivanov, F. Bechstedt, J. Furthmüller, H. Harima, A. V. Mudryi, J. Aderhold, O. Semchinova, and J. Graul, Phys. Status Solidi B 229, R1 (2001).
2. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
3. Y. Ishitani, W. Terashima, S. B. Che, and A. Yoshikawa, Phys. Status Solidi C 3, 1850 (2006).
4. W. Walukiewicz, J. W. Ager, III, K. M. Yu, Z. L. Weber, J. Wu, S. X. Li, R. E. Jones, and J. D. Denlinger, J. Phys. D, Appl. Phys. 39, R83-R99 (2006).
5. J. Wu, J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009).
6. X. Wang and A. Yoshikawa, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 48/49, 42 (2004).
7. Y. Nanishi, Y. Saito, and T. Yamaguchi, Jpn. J. Appl. Phys. Part 1(42), 2549 (2003).
8. K. Xu and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 83, 251 (2003).
9. I. Mahboob, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 92, 036804 (2004).
10. R. E. Jones, K. M. Yu, S. X. Li, W. Walukiewicz, J. W. Ager, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. Lett. 96, 125505 (2006).
11. P. A. Anderson, C. H. Swartz, D. Carder, R. J. Reeves, S. M. Durbin, S. Chandril, and T. H. Myers, Appl. Phys. Lett. 89, 184104 (2006).
12. W. L. Yim, R. E. Hones, K. M. Yu, J. W. Ager, III, W. Walukiewicz, W. J. Schaff, and J. Wu, Phys. Rev. B 76, 041303 (R. (2007).
13. L. H. Dmowski, M. Bai, T. Suski, J. Przybytek, R. Czenecki, X. Wang, A. Yoshikawa, H. Lu, W. J. Schaff, D. Muto, and Y. Nanishi, J. Appl. Phys. 105, 123713 (2009).
14. X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 92, 132108 (2008).
15. Y. Takei and T. Nakayama, J. Cryst. Growth 311, 2767 (2009).
16. K. Takahashi, A. Yoshikawa, and A. Sandhu (eds.), Wide Bandgap Semiconductors, Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices (Springer, Berlin/ Heidelberg/New York, 2007).
17. M. Yoshitani, K. Akasaka, X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, J. Appl. Phys. 99, 044913 (2006).
18. E. J. Tarsa, B. Heying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. Denbarrs, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997).
19. C. S. Gallinat, G. Koblmüller, J. S. Brown, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 102, 064907 (2007).
20. T. C. P. Chen, C. Thomidis, J. Abell, W. Li, and T. D. Moustakas, J. Cryst. Growth 288, 254 (2006).
21. A. Yoshikawa, N. Hashimoto, N. Kikukawa, S. B. Che, and Y. Ishitani, Appl. Phys. Lett. 86, 153115 (2005).
22. X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, J. Appl. Phys. 99, 073582 (2006).
23. X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Lett. 45, L730 (2006).
24. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 85, 6470 (1999).
25. T. Ide, M. Shimizu, J. Kuo, K. Jeganathan, X. Q. Shen, and H. Okumura, Phys. Status Solidi C 0, 2549 (2003).
26. T. Yamaguchi and Y. Nanishi, Appl. Phys. Express 2, 051001 (2009).
27. W. Walukiewicz, Physica B 302-303, 123 (2001)
28. X. M. Duan and C. Sampfl, Phys. Rev. B 77, 115207 (2008).
29. A. Laakso, J. Oila, A. Kemppinen, K. Saarien, W. Egger, L. Liszkay, P. Sperr, H. Lu, and W. J. Schaff, J. Cryst. Growth 269, 41 (2004)
30. C. Stampfl, C. G. van der Walle, D. Vogel, P. Krueger, and J. Pollmann, Phys. Rev. B 61, R7846 (2000).
31. M. Yoshimoto, H. Yamamoto, W. Huang, H. Harima, J. Saraie, A. Chayahara, and Y. Horino, Appl. Phys. Lett. 83, 3480 (2003).
32. X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 90, 151903 (2007).
33. L. K. Li, M. J. Jurkovic, W. I. Wang, J. M. Van Hove, and P. P. Chow, Appl. Phys. Lett. 76, 1740 (2000).
34. X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 91, 242111 (2007).
35. X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa, H. Sasaki, T. Shinagawa, and S. Yoshida, Appl. Phys. Lett. 91, 081912 (2007).
36. V. Ramachandran, R. M. Feenstra, W. L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J. E. Northrup, L. T. Romano, and D. W. Greve, Appl. Phys. Lett. 75, 808 (1999).
37. D. S. Green, E. Haus, F. Wu, L. Chen, U. K. Mishra, and J. S. Speck, J. Vac. Sci. Technol. B 21, 1804 (2003).
38. S. Pezzagna, P. Vennéguès, N. Grandjean, and J. Massies, J. Cryst. Growth 269, 249 (2004).
39. J. Jasinski, Z. L. Weber, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 85, 233 (2004).
40. M. H. Wong, F. Wu, T. E. Mates, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 104, 093710 (2008).
41. A. A. Klochikhin, V. Y. Davydov, V. V. Emtsev, a. V. Sakharov, V. A. Kapitonov, B. A. Andreev, H. Liu, and W. J. Schaff, Phys. Rev. B 71, 195207 (2005).
42. N. Khan, N. Nepal, A. Sedhain, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 91, 012101 (2007).
43. B. Arnaudov, T. Paskova, P. P. Paskov, B. Magnusson, E. Valcheva, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, H. Amano, and I. Akasaki, Phys. Rev. B 69, 115216 (2004).
44. R. E. Jones, H. C. M. van Genuchten, S. X. Li, L. Hsu, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, and W. J. Schaff, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 892, 0892-FF06-06 (2006).
45. D. A. Neamen, An Introduction to Semiconductor Devices (McGraw-Hill, New York, 2005).
46. F. Chen, A. N. Cartwright, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 87, 212104 (2005).
47. M. Fujiwara, Y. Ishitani, X. Wang, S. B. Che, and A. Yoshikawa, Appl. Phys. Lett. 93, 231903 (2008).
48. Y. Ishitani, T. Ohira, X. Wang, S. B. Che, and A. Yoshikawa, Phys. Rev. B 76, 045206 (2007).
49. P. E. Blöchl, Phys. Rev. B 50, 17953 (1994).
50. N. A. W. Holzwarth, G. E. Matthews, R. B. Dunning, A. R. Tackeet, and Y. Zeng, Phys. Rev. B 55, 2005 (1997).
51. G. Kresse and D. Joubert, Phys. Rev. B 59, 1758 (1999).
52. A. Uedono, C. Shaoqiang, S. Jongwon, K. Ito, H. Nakamori, N. Honda, S. Tomita, K. Akimoto, H. Kudo, and S. Ishibashi, J. Appl. Phys. 103, 104505 (2008).
53. A. Uedono, K. Ito, H. Nakamori, K. Mori, Y. Nakano, T. Kachi, S. Ishibashi, T. Ohdaira, and R. Suzuki, J. Appl. Phys. 102, 054511 (2007).
54. L. F. J. Piper, T. D. Veal, C. F. McConville, H. Lu, and W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 88, 252109 (2006).
55. X. M. Duan and C. Stampfl, Phys. Rev. B 77, 115207 (2008).
56. A. Uedono, H. Nakamori, K. Narita, J. Suzuki, X. Wang, S. B. Che, Y. Ishitani, A. Yoshikawa, and S. Ishibashi, J. Appl. Phys. 105, 054507 (2009).
57. A. Janotti, C. G. Van der Walle, Phys. Status Solidi B 228, 303 (2001).
58. T. D. Veal, P. H. Jefferson, L. F. J. Piper, C. F. McConville, T. B. Joyce, P. R. Chalker, L. Considine, H. Lu, and W. J. Shaff, Appl. Phys. Lett. 89, 202110 (2006).