Sb-surfactant-mediated growth of Si and Ge nanostructures

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 69, Issue 15, 2004, Pages

  Portavoce, A ^a,b   Berbezier, I ^a   Ronda, A ^a  

^a CAMPUS DE LUMINY   (France)

^b AIX MARSEILLE UNIVERSITÉ   (France)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANTIMONY; GERMANIUM; SILICON; SURFACTANT;

ARTICLE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DIFFUSION; ELECTRON DIFFRACTION; ELECTRON MICROSCOPY; ENERGY; KINETICS; STRUCTURE ANALYSIS; SURFACE PROPERTY; TEMPERATURE; THERMODYNAMICS;

EID: 42749106738     PISSN: 01631829     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.69.155416     Document Type: Article

References (49)

1. K. Sakamoto, K. Miki, T. Sakamoto, H. Matsuhata, and K. Kyoya, J. Cryst. Growth 127, 392 (1993).
2. B. Voigtländer and A. Zinner, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1932 (1993).
3. M. Horn-von Hoegen, B. H. Müller, and A. Al-Falou, Phys. Rev. B 50, 11 640 (1994).
4. M. Katayama, T. Nakayama, M. Aono, and C. F. McConville, Phys. Rev. B 54, 8600 (1996).
5. S. Nilsson, H. P. Zeindl, D. Krüger, J. Klatt, and R. Kurps, in Evolution of Epitaxial Structure and Morphology, edited by A. Zangwill et al., Mater. Res. Soc. Symp. Proc. No. 399 (Materials Research Society, Warrendale, 1996), p. 197.
6. I. Davoli, R. Gunnella, R. Bernardini, and M. De Crescenzi, J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 83, 137 (1997).
7. S. Dreiner, C. Westphal, F. Sökeland, and H. Zacharias, Appl. Surf. Sci. 123/124, 610 (1998).
8. P. Zahl, P. Kury, and M. Horn von Hoegen, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 69, 481 (1999).
9. P. Castrucci, R. Gunnella, N. Pinto, R. Bernardini, M. De Crescenzi, and M. Sacchi, Surf. Rev. Lett. 7, 307 (2000).
10. R. Gunnella, P. Castrucci, N. Pinto, I. Davoli, D. Sébilleau, and M. De Crescenzi, Phys. Rev. B 54, 8882 (1996).
11. H. Zhu, Z. Jiang, A. Xu, M. Mao, D. Hu, X. Zhang, X. Liu, D. Huang, X. Wang, J. Sun, M. Li, and X. Jiang, J. Cryst. Growth 179, 115 (1997).
12. J. R. Power, K. Hinrichs, S. Peters, K. Haberland, N. Esser, and W. Richter, Phys. Rev. B 62, 7378 (2000).
13. H. P. Zeindl, S. Nilsson, J. Klatt, D. Krüger, and R. Kurps, J. Cryst. Growth 157, 31 (1995).
14. G. G. Jernigan, C. L. Silvestre, M. Fatemi, M. E. Twigg, and P. E. Thompson, J. Cryst. Growth 213, 299 (2000).
15. Z. Jiang, A. Xu, D. Hu, H. Zhu, X. Liu, X. Wang, M. Mao, X. Zhang, J. Hu, D. Huang, and X. Wang, Thin Solid Films 321, 116 (1998).
16. M. E. Gonzàlez-Méndez and N. Takeuchi, Surf. Sci. 441, L897 (1999).
17. S. Kanakaraju, A. K. Sood, and S. Mohan, Phys. Rev. B 61, 8334 (2000).
18. P. Castrucci, R. Gunnella, N. Pinto, R. Bernardini, M. De Crescenzi, and M. Sacchi, Surf. Rev. Lett. 7, 307 (2000).
19. D. Reinking, M. Kammler, M. Horn-von Hoegen, and K. R. Hofmann, Appl. Phys. Lett. 71, 924 (1997).
20. M. Kammler, D. Reinking, K. R. Hofmann, and M. Horn-von Hoegen, Thin Solid Films 336, 29 (1998).
21. J. L. Liu, C. D. Moore, G. D. U'Ren, Y. H. Luo, Y. Lu, G. Jin, S. G. Thomas, M. S. Goorsky, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 1586 (1999).
22. J. L. Liu, S. Tong, Y. H. Luo, J. Wan, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 3431 (2001).
23. B. Voigtländer and N. Theuerkauf, Surf. Sci. 461, L575 (2000).
24. M. Horn-von Hoegen, B. H. Müller, A. Al-Falou, and M. Henzler, Phys. Rev. Lett. 71, 3170 (1993).
25. B. Voigtländer and A. Zinner, Surf. Sci. 351, L233 (1996).
26. C. S. Peng, Q. Huang, W. Q. Cheng, J. M. Zhou, Y. H. Zhang, T. T. Sheng, and C. H. Tung, Appl. Phys. Lett. 72, 2541 (1998).
27. B. Voigtländer, A. Zinner, T. Weber, and H. P. Bonzel, Phys. Rev. B 51, 7583 (1995).
28. B. D. Yu and A. Oshiyama, Phys. Rev. Lett. 72, 3190 (1994).
29. T. Ohno, Phys. Rev. Lett. 73, 460 (1994).
30. M. A. Boshart, A. A. Bailes III, and L. E. Seiberling, Phys. Rev. Lett. 77, 1087 (1996).
31. B. D. Yu, T. Ide, and A. Oshiyama, Phys. Rev. B 50, 14 631 (1994).
32. A. A. Bailes III, M. A. Boshart, and L. E. Seiberling, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 136-138, 804 (1998).
33. C. W. Oh, E. Kim, and Y. H. Lee, Phys. Rev. Lett. 76, 776 (1996).
34. D. Kandel and E. Kaxiras, Phys. Rev. Lett. 75, 2742 (1995).
35. J. Falta, M. Copel, F. K. LeGoues, and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 62, 2962 (1993).
36. J. Falta, T. Schmidt, A. Hille, and G. Materlik, Phys. Rev. B 54, R17 288 (1996).
37. S. J. Jenkins and G. P. Srivastava, Surf. Sci. 398, L308 (1998).
38. D. A. Grützmacher, K. Eberl, A. R. Powell, B. A. Ek, T. O. Sedgwick, and S. S. Iyer, Thin Solid Films 225, 163 (1993).
39. B. Gallas, I. Berbezier, and J. Derrien, Thin Solid Films 294, 69 (1997).
40. A. Portavoce, F. Bassani, A. Ronda, and I. Berbezier, Surf. Sci. 519, 185 (2002).
41. R. M. Tromp and M. C. Reuter, Phys. Rev. Lett. 68, 954 (1992).
42. I. Berbezier, A. Ronda, and A. Portavoce, J. Phys.: Condens. Matter 14, 8283 (2002).
43. I. Berbezier, A. Ronda, F. Volpi, and A. Portavoce, Surf. Sci. 531, 231 (2003).
44. A. Ronda, I. Berbezier, A. Pascale, A. Portavoce, and F. Volpi, Mater. Sci. Eng., B 101, 95 (2003).
45. F. Volpi, A. Portavoce, A. Ronda, Y. Shi, J. M. Gay, and I. Berbezier, Thin Solid Films 380, 46 (2000).
46. M. Goryll, L. Vescan, K. Schmidt, S. Mesters, H. Lüth, and K. Szot, Appl. Phys. Lett. 71, 410 (1997).
47. G. Medeiros-Ribeiro, A. M. Bratkovski, T. I. Kamins, D. A. Ohlberg, and R. S. Williams, Science 279, 353 (1998).
48. M. Richter, J. C. Woicik, J. Nogami, P. Pianetta, K. E. Miyano, A. A. Baski, T. Kendelewicz, C. E. Bouldin, W. E. Spicer, C. F. Quate, and I. Lindau, Phys. Rev. Lett. 65, 3417 (1990).
49. A. Portavoce, F. Volpi, A. Ronda, P. Gas, and I. Berbezier, Thin Solid Films 380, 164 (2000).