Interplay of surface morphology, strain relief, and surface stress during surfactant mediated epitaxy of Ge on Si

Applied Physics A: Materials Science and Processing

Volumn 69, Issue 5, 1999, Pages 481-488

  Zahl, P ^a   Kury, P ^a   Horn Von Hoegen, M ^a  

^a LEIBNIZ UNIVERSITY HANNOVER   (Germany)

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CHEMICAL RELAXATION; COMPRESSIVE STRESS; LATTICE CONSTANTS; LOW ENERGY ELECTRON DIFFRACTION; MORPHOLOGY; SEMICONDUCTING GERMANIUM; SEMICONDUCTING SILICON; STRAIN; STRESS ANALYSIS;

STRAIN RELIEF;

SEMICONDUCTING FILMS;

EID: 0033359880     PISSN: 09478396     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s003390051445     Document Type: Article

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