Enhanced Sb segregation in surfactant-mediated-heteroepitaxy: High-mobility, low-doped Ge on Si

Applied Physics Letters

Volumn 71, Issue 7, 1997, Pages 924-926

  Reinking, D ^a   Kammler, M ^a   Horn Von Hoegen, M ^a   Hofmann, K R ^a  

^a LEIBNIZ UNIVERSITY HANNOVER   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0001124484     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.119690     Document Type: Article

References (22)

1. K. Ismail, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 64, 3124 (1994).
2. K. Ismail, S. F. Nelson, J. O. Chu, and B. S. Meyerson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 63, 660 (1993).
3. J. Welser, J. L. Hoyt, and J. F. Gibbons, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ EDL-15, 100 (1994).
4. M. Arafa, P. Fay, K. Ismail, J. O. Chu, B. S. Meyerson, and I. Adesida, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ EDL-17, 124 (1996).
5. U. König and F. Schäffler, IEEE Electron Device Lett. EDLEDZ EDL-14, 205 (1993).
6. D. J. Eaglesham and M. Cerullo, Appl. Phys. Lett. APPLAB 58, 2276 (1991).
7. F. K. LeGoues, M. Horn-von Hoegen, M. Copel, and R. M. Tromp, Phys. Rev. B PRBMDO 44, 12 894 (1991).
8. Y. H. Xie, E. A. Fitzgerald, D. Monroe, P. J. Silverman, and G. P. Watson, J. Appl. Phys. JAPIAU 73, 8364 (1993).
9. Y. H. Xie, D. Monroe, E. A. Fitzgerald, P. J. Silverman, F. A. Thiel, and G. P. Watson, Appl. Phys. Lett. APPLAB 63, 2262 (1993).
10. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, and J. F. Morar, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 66, 2903 (1991).
11. E. A. Fitzgerald, Y. H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Korten, J. Michel, Y. Mii, and B. Weir, Appl. Phys. Lett. APPLAB 59, 811 (1991).
12. M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 63, 632 (1989).
13. M. Horn-von Hoegen, F. K. LeGoues, M. Copel, M. C. Reuter, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. PRLTAO 67, 1130 (1991).
14. M. Horn-von Hoegen, M. Pook, A. Al-Falou, B. H. Müller, and M. Henzler, Surf. Sci. SUSCAS 284, 53 (1993)
15. M. Horn-von Hoegen, A. Al-Falou, H. Pietsch, B. H. Müller, and M. Henzler, Surf. Sci. SUSCAS 298, 29 (1993)
16. M. Horn-von Hoegen and M. Henzler, Phys. Status Solidi A PSSABA 146, 337 (1994).
17. M. Horn-von Hoegen, Appl. Phys. A APSFDB 59, 503 (1994).
18. M. Horn-von Hoegen, M. Copel, J. Tsang, M. C. Reuter, and R. M. Tromp, Phys. Rev. B PRBMDO 50, 10 811 (1994).
19. B. Voigtländer and A. Zinner, J. Vac. Sci. Technol. A JVTAD6 12, 1932 (1994).
20. P. P. Debye and E. M. Conwell, Phys. Rev. PHRVAO 93, 693 (1954).
21. M. Horn-von Hoegen, J. Falta, M. Copel, and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. APPLAB 66, 487 (1995).
22. A. G. Milnes, Deep Impurities in Semiconductors (Wiley, New York, 1981).