High-quality Ge films on Si substrates using Sb surfactant-mediated graded SiGe buffers

Applied Physics Letters

Volumn 79, Issue 21, 2001, Pages 3431-3433

  Liu, J L ^a   Tong, S ^a   Luo, Y H ^a   Wan, J ^a   Wang, K L ^a  

^a UNIVERSITY OF CALIFORNIA   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035914697     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1421092     Document Type: Article

References (13)

1. S. Luryi, A. Katalsky, and J. C. Bean, IEEE Trans. Electron Devices ED-31, 1135 (1984).
2. S. B. Samavedam, M. T. Currie, T. A. Langdo, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 73, 2125 (1998).
3. P. Sutter, U. Kafader, and H. Von Kanel, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 31, 541 (1994).
4. L. Colace, G. Masini, F. Galluzzi, G. Assanto, G. Capellini, L Di Gaspare, E. Palange, and F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett. 72, 3175 (1998).
5. L. Colace, G. Masini, G. Assanto, H.-C. Luan, K. Wada, and L. C. Kirmerling, Appl. Phys. Lett. 76, 1231 (2001).
6. J. L. Liu, C. D. Moore, G. D. U'ren, Y. H. Luo, Y. Lu, G. Jin, S. G. Thomas, M. S. Goorsky, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 75, 1586 (1999).
7. M. Bauer, K. Lyutovich, M. Oehme, E. Kasper, H.-J. Herzog, and F. Ernst, Thin Solid Films 369, 152 (2000).
8. D. Schimmel, J. Electrochem. Soc. 126, 479 (1979).
9. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, D. Monroe, P J. Silverman, J. M. Kuo, A. R. Kortan, F. A. Thiel, and B. E. Weir, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
10. Y. H. Luo, J. Wan, R L. Forrest, J. L. Liu, G. Jin, M. S. Goorsky, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 78, 454 (2001).
11. H.-C. Luan, D. R. Lim, K. K. Lee, K. M. Chen, J. G. Sandland, K. Wada, and L. C. Kirmerling, Appl. Phys. Lett. 75, 2909 (1999).
12. S. B. Samavedam and E. A. Fitzgerald, J. Appl. Phys. 81, 3108 (1997).
13. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald. Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).