Deep UV AlGaN light emitting diodes grown by gas source molecular beam epitaxy on sapphire and AlGaN/sapphire substrates

Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering

Volumn 6121, Issue , 2006, Pages

  Nikishin, S ^a   Borisov, B ^a   Kuryatkov, V ^a   Usikov, A ^b   Dmitriev, V ^b   Holtz, M ^a  

^a TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^b TDI Inc   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EPITAXIAL GROWTH; HETEROJUNCTIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; SAPPHIRE; SEMICONDUCTING ALUMINUM COMPOUNDS; ULTRAVIOLET DEVICES;

DOUBLE HETEROSTRUCTURE (DHS); HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY (HVPE); LUMINESCENCE EFFICIENCY;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 33646710171     PISSN: 0277786X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1117/12.657921     Document Type: Conference Paper

References (74)

1. H.-K. Chung, H. S. Bellamy and P. K. Dasgupta, Talanta, 39, 593 (1992).
2. J. L. Darby, D. P. Y. Chang, P. S. Coggin, H. K. Chung and P. K. Dasgupta, Process Control and Quality, 6, 229 (1995).
3. P. K. Dasgupta, Q. Li, H. Temkin, M. H. Crawford, A. J. Fischer, A. A. Allerman, K. H. A. Bogart, and S. R. Lee, Proc. SPIE, 5530, 174 (2004).
4. Q. Li, P. K. Dasgupta, H. Temkin, M. H. Crawford, A. J. Fischer, A. A. Allerman, K. H. A. Bogart, and S. R. Lee, Appl. Spectroscopy, 58, 1360 (2004).
5. G. A. Shaw, A. M. Siegel, J. Model, and D. Greisokh, Proc. SPIE, 5796, 214 (2005).
6. V. Adivarahan, J. P. Zhang, A. Chitnis, S. Wu, J. Sun, R. Pachipulusu, M. Shatalov, and M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys., 41, L435 (2002).
7. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayers, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 81, 801 (2002).
8. V. Adivarahan, S. Wu, A. Chitnis, R. Pachipulusu, V. Mandavilli, M. Shatalov, J. P. Zhang, M. A. Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 81, 3666 (2002).
9. J. P. Zhang, S. Wu, A. Rai, V. Mandavilli, V. Adivarahan, A. Chitnis, M. Shatalov, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 83, 3456 (2003).
10. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, D. Shiell, L. Gautero, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 83, 4701 (2003).
11. A. Hanlon, P.M. Pattison, J. F. Kaeding, R. Sharma, P. Fini, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., 42, L628 (2003).
12. K. Mayes, A. Yasan, R. McClintock, D. Shiell, S. R. Darvish, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 84, 1046 (2004).
13. A. J. Fischer, A. A. Allerman, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, R. J. Kaplar, W. W. Chow, S. R. Kurtz, K. W. Fullmer, and J. J. Figiel, Appl. Phys. Lett., 84, 3394 (2004).
14. V. Adivarahan, S. Wu, J. P. Zhang, A. Chitnis, M. Shatalov, V. Mandavilli, R. Gaska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 84, 4762 (2004).
15. J. Shakya, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 85, 142 (2004).
16. W. H. Sun, J. P. Zhang, V. Adivarahan, A Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, V. Mandavilli, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 85, 531 (2004).
17. V. Adivarahan, W. H. Sun, A. Chitnis, M. Shatalov, S. Wu, H. P. Maruska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 85, 2175 (2004).
18. K. H. Kim, Z. Y. Fan, M. Khizar, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 85, 4777 (2004).
19. A. A. Allerman, M. H. Crawford, A. J. Fischer, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, D. M. Follstaedt, P. P. Provencio, and D. D. Koleske, J. Cryst. Growth, 272, 227 (2004).
20. A. J. Fischer, A. A. Allerman, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, S. R. Lee, R. J. Kaplar, and W. W. Chow, Proc. SPIE, 5530, 38 (2004).
21. J. Man, S.-R. Jeon, M. Gherasimova, J. Su, G. Cui, H. Peng, E. Makarona, Y. He, Y.-K. Song, A. V. Nurmikko, L. Zhou, W. K. Goetz, and M. R. Krames, Proc. SPIE, 5530, 61 (2004).
22. Yu. Bilenko, A. Lunel, X. Hu, J. Deng, T. M. Katona, J. Zhang, R. Gaska, M. S. Shur, W. Sun, V. Adivarahan, M. Shatalov, and A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys., 44, L98 (2005).
23. C. G. Moe, H. Masui, M. C. Schmidt, L. Shen, B. Moran, S. Newman, K. Vampola, T. Metes, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, C. Hussel, and D. Emerson, Jpn. J. Appl. Phys., 44, L 502 (2005).
24. Y. Xi, J.-Q. Xi, Th. Gessmann, J. M. Shah, J. K. Kim, E. F. Schubert, A. J. Fischer, M. H. Crawford, K. H. A. Bogart, and A. A. Allerman, Appl. Phys. Lett., 86, 031907 (2005).
25. M. Khizar, Z. Y. Fan, K. H. Kim, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 86, 173504 (2005).
26. M. Shatalov, A. Chitnis, P. Yadav, Md. F. Hasan, J. Khan, V. Adivarahan, H. P. Maruska, W. H. Sun, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett., 86, 201109 (2005).
27. J. Zhang, X. Hu, A. Lunev, J. Deng, Yu. Bilenko, T. M. Katona, M. S. Shur, R. Gaska, and M. A. Khan, Jpn. J. Appl. Phys., 44, 7250 (2005).
28. A. Yasan, R. McClintock, K. Mayes, P. Kung, and M. Razeghi, Proc. SPIE, 5732, 197 (2005).
29. H. Hirayama, J. Appl. Phys., 97, 091101 (2005), and references therein.
30. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, B. Borisov, M. Holtz, S. Nikishin, and H. Temkin, Appl. Phys., 80, 3682 (2002).
31. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, B. Borisov, S. Nikishin, M. Holtz, S. N. G. Chu, and H. Temkin, physica status solidi a 192, 286 (2002).
32. K. Zhu, V. Kuryatkov, B. Borisov, G. Kipshidze, S. A. Nikishin, H. Temkin, and M. Holtz, Appl. Phys. Lett., 81, 4688 (2002).
33. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, K. Zhu, B. Borisov, M. Holtz, S. Nikishin, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 93, 1363 (2003).
34. S. A. Nikishin, V. V. Kuryatkov, A. Chandolu, B. A. Borisov, G. D. Kipshidze, I. Ahmad, M. Holtz, and H. Temkin, Jpn. J. Appl. Phys., 42, L1362 (2003).
35. M. Holtz, I. Ahmad, V. V. Kuryatkov, B. A. Borisov, G. D. Kipshidze, A. Chandolu, S. A. Nikishin, and H. Temkin, Proc. MRS, 798, Y1.9.1 (2004).
36. S. A. Nikishin, M. Holtz, and H. Temkin, Jpn. J. Appl. Phys., 44, 7221 (2005).
37. M. Kauer, S. E. Hooper, V. Bousquet, K. Johnson, C. Zellweger, J. M. Barnes, J. Windle, T. M.Smeeton, J. Heffernan, Electron. Lett., 41, 23 (2005).
38. C. Skierbiszewskia, Z. R. Wasilewski, M. Siekacz, A. Feduniewicz, P. Perlin, P. Wisniewski, J. Borysiuk, I. Grzegory, M. Leszczynski, T. Suski, and S. Porowski, Appl. Phys. Lett., 86, 011114(2005).
39. Yu. V. Melnik, A. E. Nikolaev, S. I. Stepanov, A. S. Zubrilov, I. P. Nikitina, K. V. Vassilevski, D. V. Tsvetkov, A. I. Babanin, Yu. G. Musihin, V. V. Tretyakov and V. A. Dmitriev, Proc. MRS, 482, 245 (1998).
40. S. A. Nikishin, B. A. Borisov, A. Chandolu, V. V. Kuryatkov, H. Temkin, M. Holtz, E. N. Mokhov, Yu. Makarov, and H. Helava, Appl. Phys. Lett., 85, 4355 (2004).
41. H. Hirayama, A. Kinoshita, M. Ainoya, A. Hirata, and Y. Aoyagi, phys. stat. solidi a, 188, 83 (2001).
42. Z. Sitar, M. J. Paisley, B. Yan, J. Ruan, W. J. Choyke, and R. F. Davis, J. Vac. Sci. & Technol. B 8, 316 (1990).
43. M. A. Khan, J. N. Kuznia, D. T. Olson, T. George, and W. T. Pike, Appl. Phys. Lett. 63, 3470 (1993).
44. M. Holtz, T. Prokofyeva, M. Seon, K. Copeland, J. Vanbuskirk, S. Williams, S. Nikishin, V. Tretyakov, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 89, 7977 (2001).
45. A. Chandolu, S. A. Nikishin, and H. Temkin, unpublished.
46. S. Yamaguchi, Y. Iwamura, Y. Watanabe, M. Kosaki, Y. Yukawa, S. Nitta, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 80, 802 (2002).
47. MS: K. Mathur, "Low resistive Ohmic contacts for wide bandgap n-type AlGaN/AlN superlattices", Texas Tech University, Lubbock (2005).
48. E. L. Waldron, Y.-L. Li, E. F. Schubert, J. W. Graff, and J. K. Sheu, Appl. Phys. Lett., 83, 4975 (2003).
49. J. Yun, K. Choi, K. Mathur, V. Kuryatkov, B. Borisov, G. Kipshidze, S. Nikishin, and H. Temkin, IEEE Electron. Devices Lett., 27, 22 (2006).
50. T. Tanaka, A. Watanabe, H. Amano, Y. Kobayashi, I. Akasaki, S. Yamazaki, and M. Koike, Appl. Phys. Lett. 65, 593 (1994).
51. M. Suzuki, J. Nishio, M. Onomura, and C. Kongo, J. Cryst. Growth, 189-190, 511 (1998).
52. J. Li, T. N. Oder, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett., 80, 1210 (2002).
53. S. A. Nikishin, V. Kuryatkov, B. Borisov, G. Kipshidze, A. Chandolu, K. Zhu, M. Holtz, S. N. G. Chu, Yu. Kudryavtsev, R. Asomoza, and H. Temkin, Int. Workshop on Nitride Semicond., 22-25 July, 2002, Aachen, Germany, Book of Abstracts, p. 76.
54. E. F. Schubert, W. Grieshaber, and I. D. Goepfert, Appl. Phys. Lett., 69, 3737 (1996).
55. H. Hirayama, A. Kinoshita, and Y. Ayoagi, RIKEN Review, 33, 28 (2001).
56. A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, Y. Aoyagi, A. Hirata, Appl. Phys. Lett. 77, 175 (2000).
57. T. Nishida, H. Saito, and N. Kobayashi, Appl. Phys. Lett., 78, 399 (2001).
58. P. Kozodoy, M. Hansen, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett., 74, 3681 (1999)
59. K. Kumakura and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., 38, L1012 (1999).
60. K. Kumakura, T. Makimoto, and N. Kobayashi, Jpn. J. Appl. Phys., 39, 2428 (2000).
61. L. Chernyak, A. Osinsky, V. Fuflyigin, and E. F. Schubert, Appl. Phys. Lett., 77, 875 (2000).
62. A. Yasan, R. McClintock, S. R. Darvish, Z. Lin, K. Mi, P. Kung, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett., 80, 2108 (2002).
63. J. K. Kim, E. L. Waldron, Y.-L. Li, Th. Gessmann, E. F. Schubert, H. W. Jang and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett., 84, 3310 (2004).
64. M. Shatalov, G. Simin, J. Zhang, V. Adivarahan, A. Koudymov, R. Pachipulusu, and M. A. Khan, IEEE Electron. Devices Lett., 23, 452 (2002).
65. M. Iwaya, A. Miyazaki, Y. Watanabe, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, Jpn. J. Appl. Phys., 42, 400 (2003).
66. K. Zhu, V. Kuryatkov, B. Borisov, G. Kipshidze, S. A. Nikishin, H. Temkin, and M. Holtz, Appl. Phys. Lett., 81, 4688 (2002).
67. K. Zhu, V. Kuryatkov, B. Borisov, J. Yun, G. Kipshidze, S. A. Nikishin, H. Temkin, D. Aurongzeb, and M. Holtz, J. Appl. Phys., 95, 4635 (2004).
68. M. Shatalov, A. Chitnis, V. Mandavilli, R. Pachipulusu, J. P. Zhang, V. Adivarahan, S. Wu, G. Simin, M. A. Khan, G. Tamulaitis, A. Sereika, I. Yilmaz, M. S. Shur, and R. Gaska, Appl. Phys. Lett., 82, 167 (2003).
69. S. Yu. Karpov, and Yu. N. Makarov, Appl. Phys. Lett., 81, 4721 (2002).
70. S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997).
71. H. Hirayama, Y. Aoyagi, and S. Tanaka, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G9.4 (1999).
72. B. Borisov, V. Kuryatkov, S. Nikishin, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 87, 191902 (2005).
73. G. A. Smith, T. N. Dang, T. R. Nelson, J. L. Brown, D. Tsvetkov, A. Usikov, and V. Dmitriev, J. Appl. Phys. 95, 8247 (2004).
74. A. S. Usikov, E. V. Shapvalova, Yu. V. Melnik, V. A. Ivantsov, V. A. Dmitriev, C. J. Collins, A. V. Sampath, G. A. Garrett, P. H. Shen, and M. Wraback. Proc. SPIE, 5617, 424 (2004).