Composition dependence of the optical phonon energies in hexagonal AlxGa1-xN

Journal of Applied Physics

Volumn 89, Issue 12, 2001, Pages 7977-7982

  Holtz, M ^a   Prokofyeva, T ^a   Seon, M ^a,c   Copeland, K ^a,d   Vanbuskirk, J ^a,d   Williams, S ^a   Nikishin, S A ^b   Tretyakov, V ^b,e   Temkin, H ^b  

^a TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

^b Department of Electrical and Computer Engineering   (United States)

^c Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

^d TEXAS INSTRUMENTS   (United States)

^e IOFFE INSTITUTE   (Russian Federation)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035875423     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1372661     Document Type: Article

References (30)

1. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
2. E. A. Albanesi, W. R. L. Lambrecht, and B. Segall, Phys. Rev. B 48, 17841 (1993).
3. C. Kisielowski et al., Phys. Rev. B 54, 17745 (1996).
4. T. Prokofyeva, M. Seon, J. Vanbuskirk, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev, H. Teinkin, and S. Zollner, Phys. Rev. B 63, 125313 (2001).
5. K. Hayashi, K. Itoh, N. Sawaki, and I. Akasaki, Solid State Commun. 77, 115 (1991).
6. A. Cros, H. Angerer, O. Ambacher, M. Stutzmann, R. Höpler, and T. Metzger, Solid State Commun. 104, 35 (1997).
7. F. Demangeot, J. Groenen, J. Frandon, M. A. Renucci, O. Briot, S. Clur, and R. L. Aulombard, Appl. Phys. Lett. 72, 2674 (2001).
8. P. Wisniewski, W. Knap, J. P. Malzac, J. Camassel, M. D. Bremser, R. F. Davis, and T. Suski, Appl. Phys. Lett. 73, 1760 (2001).
9. A. A. Klochikhin et al. Phys. Rev. B 62, 2522 (2001).
10. H. Grille, Ch. Schnittler, and F. Bechstedt, Phys. Rev. B 61, 6091 (2000).
11. C. A. Arguello, D. L. Rousseau, and S. P. S. Porto, Phys. Rev. 181, 1351 (2001).
12. S. A. Nikishin et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
13. S. A. Nikishin et al., Appl. Phys. Lett. 75, 484 (1999).
14. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, A. S. Zubrilov, V. G. Antipov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 3028 (2000).
15. R. G. Alonso, Y. R. Lee, E. Oh, A. K. Ramdas, H. Luo, N. Samarth, J. K. Furdyna, and H. Pascher, Phys. Rev. B 43, 9610 (2001).
16. D. Brunner, H. Angerer, E. Bustarret, F. Freudenberg, R. Dimitrov, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 82, 5090 (1997).
17. M. Holtz, M. Seon, T. Prokofyeva, H. Temkin, R. Singh, F. P. Dabkowski, and T. D. Moustakas, Appl. Phys. Lett. 75, 1757 (1999).
18. C. Wetzel, E. E. Haller, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 68, 2547 (2001).
19. R. M. A. Azzam and N. M. Bashara, Ellipsometry and Polarized Light (North-Holland, New York, 1977).
20. A. T. Collins, E. C. Lightowlers, and P. J. Dean, Phys. Rev. 158, 833 (1967).
21. A. S. Barker and M. Ilegems, Phys. Rev. B 7, 743 (1973).
22. R. Y. Krupitskaya and G. W. Auner, J. Appl. Phys. 84, 2861 (1998).
23. M. Schubert, M. A. Kasic, T. E. Tiwald, J. Off, B. Kuhn, and F. Scholz, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4, 1 (1999).
24. N. E. Christensen and P. Perlin, in Gallium Nitride I, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, San Diego, 1998), p. 409.
25. H. Siegle et al., Appl. Phys. Lett. 68, 1265 (1996).
26. M. Seon, T. Prokofyeva, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 1842 (2000).
27. M. S. Liu, L. A. Bursill, S. Prawer, K. W. Nugent, Y. Z. Tong, and G. Y. Zhang, Appl. Phys. Lett. 74, 3125 (1999).
28. I. H. Lee, I. H. Choi, C. R. Lee, E. J. Shin, D. Kim, S. K. Noh, S. J. Son, K. Y. Lim and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 83, 5787 (1998).
29. M. Kuball, J. M. Hayes, A. D. Prins, N. W. A. van Uden, D. J. Dunstan, Y. Shi, and J. H. Edgar, Appl. Phys. Lett. 78, 724 (2001).
30. B. Gil, in Gallium Nitride II, edited by J. I. Pankove and T. D. Moustakas (Academic, San Diego, 1999), p. 209.