Evolution of surface roughness of AlN and GaN induced by inductively coupled Cl 2/Ar plasma etching

Journal of Applied Physics

Volumn 95, Issue 9, 2004, Pages 4635-4641

  Zhu, K ^a   Kuryatkov, V ^a   Borisov, B ^a   Yun, J ^a   Kipshidze, Q ^a   Nikishin, S A ^a   Temkin, H ^a   Aurongzeb, D ^b   Holtz, M ^b  

^a Texas Tech University   (United States)

^b TEXAS TECH UNIVERSITY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DESORPTION FLUX; HIGH-DENSITY PLASMA; KINETIC ROUGHENING; SURFACE DEPRESSIONS;

ADSORPTION; ALUMINUM COMPOUNDS; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; DECOMPOSITION; DESORPTION; OPTOELECTRONIC DEVICES; PLASMA ETCHING; PLASMAS; SURFACE ROUGHNESS; TERNARY SYSTEMS;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 2442630497     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1688993     Document Type: Article

References (51)

1. R. J. Shul, G. B. McClellan, S. A. Casalnuovo, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. Constantine, C. Barratt, R. F. Karlicek, Jr., C. Tran, and M. Schurman, Appl. Phys. Lett. 69, 1119 (1996).
2. S. A. Smith, C. A. Wolden, M. D. Bremser, A. D. Hanser, R. F. Davis, and W. V. Lampert, Appl. Phys. Lett. 71, 3631 (1997).
3. Y. H. Lee, H. S. Kim, J. Y. Yeom, J. W. Lee, M. C. Yoo, and T. I. Kim, J. Vac. Sci. Teehnol. A 16, 1478 (1998).
4. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, J. W. Lee, J. Hong, J. D. Mackenzie, C. R. Abernathy, and R. J. Shul, Appl. Phys. Lett. 69, 1426 (1996).
5. K. Zhu, V. Kuryatkov, B. Borisov, G. Kipshidze, S. A. Nikishin, H. Temkin, and M. Holtz, Appl. Phys. Lett. 81, 4688 (2002).
6. D. A. Francis, C. J. Chang-Hasnain, and K. Eason, Appl. Phys. Lett. 68, 1598 (1996).
7. M. V. Bazylenko, M. Gross, and M. Faith, Appl. Phys. Lett. 69, 2178 (1996).
8. B. Rong, E. V. D. Drift, R. J. Reeves, W. G. Sloof, and R. Cheung, J. Vac. Sci. Teehnol. B 19, 2917 (2001).
9. J. W. Lee, J. Hong, C. R. Abernathy, E. S. Lambers, S. J. Pearton, W. S. Hobson, and F. Ren, J. Vac. Sci. Teehnol. B 14, 2567 (1996).
10. Y. B. Hahn, R. J. Choi, J. H. Hong, H. J. Park, C. S. Choi, and H. J. Lee, J. Appl. Phys. 92, 1189 (2002).
11. S. Tripathy, A. Ramam, S. J. Chua, J. S. Pan, and Alred Huan, J. Vac. Sci. Teehnol. A 19, 2522 (2001).
12. M. E. Lin, Z. F. Fan, A. Ma, L. H. Allen, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 64, 887 (1994).
13. I. Adesida, A. Mahajan, E. Andideh, M. Asif Khan, D. T. Olasen, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 63, 2777 (1993).
14. H. Lee, D. B. Oberman, and J. S. Harris, Appl. Phys. Lett. 67, 1754 (1995).
15. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 64, 2294 (1994).
16. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, F. Ren, J. R. Lothian, P. W. Wisk, A. Katz, and C. Constantine, Semicond. Sci. Teehnol. 8, 310 (1993).
17. M. W. Geis, G. A. Lincoln, N. Efremow, and W. J. Piacentini, J. Vac. Sci. Teehnol. 19, 1390 (1981).
18. I. Adesida, A. T. Ping, C. Youtsey, T. Dow, M. Asif Khan, D. T. Olson, and J. N. Kuznia, Appl. Phys. Lett. 65, 889 (1994).
19. A. T. Ping, I. Adesida, and M. Asif Khan, Appl. Phys. Lett. 67, 1250 (1995).
20. G. F. McLane, M. Meyyappan, H. S. Lee, M. W. Cole, D. W. Eckart, R. T. Lareau, M. Namaroff, and J. Sasserath, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 333 (1993).
21. G. F. Mclane, L. Casas, S. J. Pearton, and C. R. Abernathy, Appl. Phys. Lett. 66, 3328 (1995).
22. R. J. Shul, R. D. Briggs, J. Han, S. J. Pearton, J. W. Lee, C. B. Vartuli, K. P. Kulleen, and M. J. Ludowise, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 486, 355 (1997).
23. R. J. Shul, G. B. McClellan, R. D. Briggs, D. J. Rieger, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. W. Lee, C. Constantine, and C. Barratt, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 633 (1997).
24. D. Basak, K. Yamashita, T. Sugahara, Q. Fareed, D. Nakagawa, K. Nishino, and S. Sakai, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 2646 (1999).
25. S. W. Robey, Phys. Rev. B 65, 115306 (2002).
26. J. H. Schmid, A. Ballestad, B. J. Ruck, M. Adamcyk, and T. Tiedje, Phys. Rev. B 65, 155315 (2002).
27. Y.-P. Zhao, J. Drotar, G.-C. Wang, and T.-M. Lu, Phys. Rev. Lett. 82, 4882 (1999).
28. A. Iwamoto, T. Yoshinobu, and H. Iwasaki, Phys. Rev. E 59, 5133 (1999).
29. M. Kardar, G. Parisi, and Y.-C. Zhang, Phys. Rev. Lett. 56, 889 (1986).
30. J. Drotar, Y.-P. Zhao, T.-M. Lu, and G.-C. Wang, Phys. Rev. B 61, 3012 (2000).
31. S. G. Edwards and D. R. Wilkinson, Proc. R. Soc. London, Ser. A 381, 17 (1982).
32. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
33. S. A. Nikishin, V. G. Antipov, S. Francoeur, N. N. Faleev, G. A. Seryogin, V. A. Elyukhin, H. Temkin, T. I. Prokofyeva, M. Holtz, A. Konkar, and S. Zollner, Appl. Phys. Lett. 75, 484 (1999).
34. S. Nikishin, N. N. Faleev, A. S. Zubrilov, V. G. Antipov, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 2910 (2000).
35. M. Seon, T. Prokofyeva, M. Holtz, S. A. Nikishin, N. N. Faleev, and H. Temkin, Appl. Phys. Lett. 76, 1842 (2000).
36. M. Holtz, T. Prokofyeva, M. Seon, K. Copeland, J. Vanbuskirk, S. Williams, S. Nikishin, V. Tretyakov, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 89, 7977 (2001).
37. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 86, 1 (1999).
38. V. Bousquet, J. Heffernan, J. Barnes, and S. Hooper, Appl. Phys. Lett. 78, 754 (2001).
39. D. J. Smith, D. Chandrasekhar, B. Sverdlov, A. Botchkarev, A. Salvador, and H. Morkoc, Appl. Phys. Lett. 67, 1830 (1995).
40. I. Berishev, A. Bensaoula, I. Rusakova, A. Karabutov, M. Ugarov, and V. P. Ageev, Appl. Phys. Lett. 73, 1808 (1998).
41. S. A. Nikishin, N. N. Faleev, V. G. Antipov, S. Francoeur, L. Grave de Peralta, G. A. Seryogin, H. Temkin, T. Prokofyeva, M. Holtz, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 79, 2073 (1999).
42. G. Kipshidze, V. Kuryatkov, B. Borisov, S. A. Nikishin, M. Holtz, S. N. G. Chu, and H. Temkin, Phys. Status Solidi A 192, 286 (2002).
43. Hyun Cho, C. B. Vartuli, S. M. Donovan, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, R. J. Shul, and C. Constantine, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1631 (1998).
44. C. B. Vartuli, J. D. Mackenzie, J. W. Lee, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and R. J. Shul, J. Appl. Phys. 80, 3705 (1996).
45. R. J. Shul, C. G. Willison, J. Han, J. W. Lee, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, S. M. Donovan, L. Zhang, and L. F. Lester, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 1621 (1998).
46. C. R. Eddy, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, (1999).
47. C. N. Luse and A. Zangwill, Phys. Rev. B 48, 1970 (1993).
48. J. Krug, Adv. Phys. 46, 139 (1997).
49. A. E. Lita and J. E. Sanchez, Phys. Rev. B 61, 7692 (2000).
50. G. Chan and A. T. A. Wood, Statistical Sinica 10, 343 (2000).
51. J. Krim and J. O. Indekeu, Phys. Rev. E 48, 1576 (1993).