Blue-violet InGaN laser diodes grown on bulk GaN substrates by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 1, 2005, Pages

  Skierbiszewski, C ^a,c   Wasilewski, Z R ^b   Siekacz, M ^a,c   Feduniewicz, A ^a,c   Perlin, P ^a,c   Wisniewski, P ^a,c   Borysiuk, J ^a   Grzegory, I ^a,c   Leszczynski, M ^a,c   Suski, T ^a   Porowski, S ^a,c  

^a INSTITUTE OF HIGH PRESSURE PHYSICS   (Poland)

^b NATIONAL RESEARCH COUNCIL CANADA   (Canada)

^c TOPGAN LTD   (Poland)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AMMONIA; CURRENT DENSITY; GROWTH KINETICS; LASER PULSES; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM EFFICIENCY; SEMICONDUCTING GALLIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTING INDIUM COMPOUNDS;

ADLAYER ENHANCED LATERAL DIFFUSION (AELD); LASER FACETS; LASER OPERATIONS; OPTICAL QUALITY;

SEMICONDUCTOR LASERS;

EID: 19744383492     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1846143     Document Type: Article

References (19)

1. S. Nakamura, M. Senoh, S.-i. Nagahama, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Chocho, Appl. Phys. Lett. 73, 832 (1998).
2. M. Kneissl, D. P. Bour, C. G. V. d. Walle, L. T. Romano, J. E. Northrup, R. M. Wood, M. Teepe, and N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 75, 581 (1999).
3. N. Grandjean, B. Damilano, and J. Massies, J. Phys.: Condens. Matter 13, 6945 (2001).
4. H. Morkoc, J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 12, 677 (2001).
5. T. D. Moustakas, E. Iliopoulos, A. V. Sampath, H. M. Ng, D. Doppalapudi, M. Misra, D. Korakakis, and R. Singh, J. Cryst. Growth 227, 13 (2001).
6. S. E. Hooper, M. Kauer, V. Bousquet, J. M. Barnes, and J. Heffernan, Electron. Lett. 40, 33 (2004).
7. J. A. Bardwell, Y. Liu, H. Tang, J. B. Webb, S. J. Rolfe, and J. Lapointe, Electron. Lett. 39, 564 (2003).
8. C. T. Foxon, T. S. Cheng, D. Korakakis, S. V. Novikov, R. P. Campion, I. Grzegory, S. Porowski, M. Albrecht, and H. P. Strunk, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1, G4.11 (1999).
9. H. Riechert, R. Averbeck, A. Graber, M. Schienle, U. Strauss, and H. Tews, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 449, 149 (1997).
10. J. Neugebauer, T. K. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen, and R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 90, 056101 (2003).
11. J. E. Northrup, J. Neugebauer, R. M. Feenstra, and A. R. Smith, Phys. Rev. B 61, 9932 (2000).
12. C. Adelmann, J. Brault, D. Jalabert, P. Gentile, H. Mariette, G. Mula, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 91, 9638 (2002).
13. B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 88, 1855 (2000).
14. C. R. Elsass, I. P. Smorchkova, B. Heying, E. Haus, P. Fini, K. Maranowski, J. P. Ibbetson, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, U. K. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 74, 3528 (1999).
15. M. J. Manfra, N. G. Weimann, J. W. P. Hsu, L. N. Pfeiffer, K. W. West, S. Syed, H. L. Stormer, W. Pan, D. V. Lang, S. N. G. Chu, G. Kowach, A. M. Sergent, J. Caissie, K. M. Molvar, L. J. Mahoney, and R. J. Molnar, J. Appl. Phys. 92, 338 (2002).
16. C. Skierbiszewski, Z. Wasilewski, M. Siekacz, A. Feduniewicz, B. Pastuszka, I. Grzegory, M. Leszczynski, and S. Porowski, Phys. Status Solidi A 201, 320 (2004).
17. P. Waltereit, H. Sato, C. Poblenz, D. S. Green, J. S. Brown, M. McLaurin, T. Katona, S. P. DenBaars, J. S. Speck, J. H. Liang, M. Kato, H. Tamura, S. Omori, and C. Funaoka, Appl. Phys. Lett. 84, 2748 (2004).
18. I. Grzegory and S. Porowski, Thin Solid Films 367, 281 (2000).
19. P. Perlin, M. Leszczynski, P. Prystawko, P. Wisniewski, R. Czernetzki, C. Skierbiszewski, G. Nowak, W. Purgal, J. L. Weyher, G. Kamler, J. Borysiuk, M. Krysko, M. Sarzynski, T. Suski, E. Litwin-Staszewska, L. Dmowski, G. Franssen, S. Grzanka, T. Swietlik, I. Grzegory, M. Bockowski, B. Lucznik, S. Porowski, L. Gorczyca, A. Bering, W. Krupczynski, I. Makarowa, R. Wisniewski, and A. Libura, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 9, 3 (2004).