Vertical transport in group III-nitride heterostructures and application in AlN/GaN resonant tunneling diodes

Physica Status Solidi C: Conferences

Volumn 1, Issue 8, 2004, Pages 2210-2227

  Hermann, M ^a   Monroy, E ^b   Helman, A ^c   Baur, B ^a   Albrecht, M ^d   Daudin, B ^b   Ambacher, O ^e   Stutzmann, M ^a   Eickhoff, M ^a  

^a WALTER SCHOTTKY INSTITUT   (Germany)

^b CEA GRENOBLE   (France)

^c UNIVERSITÉ PARIS SACLAY   (France)

^d UNIVERSITY OF ERLANGEN NUREMBERG   (Germany)

^e ILMENAU UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONCENTRATION (PROCESS); ELECTRON GAS; NITRIDES; OPTOELECTRONIC DEVICES; PYROELECTRICITY; RESONANT TUNNELING; SYNTHESIS (CHEMICAL); TRANSISTORS; X RAY PHOTOELECTRON SPECTROSCOPY;

CHEMICAL INERTNESS; MOBILITY TRANSISTORS; POLARIZATION FIELDS; RESONANT TUNNELING DIODES;

SEMICONDUCTOR DIODES;

EID: 3242717694     PISSN: 16101634     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1002/pssc.200404771     Document Type: Article

References (53)

1. J. Pankove, E. A. Miller, and J. E. Berkeyheiser, RCA Rev. 32, 383 (1971).
2. th Spring Meeting of the Electrochemical Society, SOA, 673 (1989).
3. S. Nakamura, T. Mukai, and M Senoh, Appl. Phys. Lett. 64, 1687 (1994).
4. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Isawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, and Y. Sugimoto, Jpn. J. Appl. Phys. 35, L74 (1996).
5. I. Askasaki, S. Sota, H. Sakai, T. Tanaka, M. Koike, and H. Amano, Electron. Lett. 32, 1105 (1996).
6. nd Conf. on Nitride Semiconductors, 444 (October 27-31, 1997, Tokushima, Japan).
7. S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahama, N. Isawa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano, and K. Choko, Jpn. J. Appl. Phys. 36, L1568 (1997).
8. Y. A. Goldberg, Semicond. Sci. Technol. 14, R41 (1999).
9. M. Razeghi and A. Rogalski, J. Appl. Phys. 79, 7433 (1996).
10. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. Ambacher, N. Weizmann, T. Prunty, M. Murohy, W. J. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices 48, 479 (2001).
11. M. A. Khan, Q. Chen, M. S. Shur, B. T. M. Dermott, J. A. Higgins, J. Burm, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 17, 584 (1996).
12. HF Y. F. Wu, S. Keller, P. Kozodoy, B. P. Keller, P. Parikh, D. Kapolnek, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 18, 290 (1997).
13. J. Schalwig, G. Müller, M. Eickhoff, O. Ambacher, and M. Stutzmann, Sensors and Actuators B 87, 425 (2002).
14. G. Steinhoff, M. Hermann, W. Schaff, L. F. Eastman, M. Stutzmann, and M. Eickhoff, Appl. Phys. Lett. 83, 177 (2003).
15. M. Eickhoff, J. Schalwig, G. Steinhoff, O. Weidemann, L. Görgens, R. Neuberger, M. Hermann, B. Baur, G. Müller, O. Ambacher, and M. Stutzmann, phys. stat sol. (c) 0, No. 6, 1908 (2003).
16. O. Ambacher, J. Majewski, C. Miskys, A. Link, M. Hermann, M. Eickhoff, M. Stutzmann, F. Bernadini, V. Fiorentini, V. Tilak, W. J. Schaff, and L. F. Eastman, J. Phys.: Condens. Matter 14, 3399 (2002).
17. A. Rizzi, Appl. Surf. Sci. 190, 311 (2002).
18. A. Rizzi and H. Lüth, Appl. Phys. A 75, 69 (2002).
19. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 85, 3222 (1999).
20. J. P. Ibbetson, P. T. Finni, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 77, 250 (2000).
21. B. K. Ridley, Appl. Phys. Lett. 77, 990 (2000).
22. S. Karmalkar, D. M. Sathaiya, and M. S. Shur, Appl. Phys. Lett. 82, 3976 (2003).
23. A. J. Sierakowski and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 86, 3398 (1999).
24. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000).
25. M. Singh, J. Singh, and U. Mishra, J. Appl. Phys. 91, 2989 (2002).
26. S. N. Grinyaev and A. N. Razzhuvalov, Phys. Solid State 43, 549 (2001).
27. K. Kishino and A. Kikuchi, phys. stat. sol. (a) 190, 23 (2002).
28. K. M. Indlekofer, E. Donà, J. Malindretos, M. Bertelli, M. Kocan, A. Rizzi, and H. Lüth, phys. stat. sol. (b) 234, 769 (2002).
29. WinGreen, http://www.fz-juelich.de/isg/mbe/software.html.
30. F. Sacconi, A. Di Carlo, and P. Lugli, phys. stat. sol. (a) 190, 295 (2002).
31. A. Kikuchi, R. Banai, K. Kishino, C.-M. Lee, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 81, 1729 (2002).
32. C. T. Foxon, S. V. Novikov, A. E. Belyaev, L. X. Zhao, O. Makarovsky, D. J. Walker, L. Eaves, R. I. Dykeman, S. V. Danylyuk, S. A. Vitusevich, M. J. Kappers, J. S. Barnard, and C. J. Humphreys, phys. stat. sol. (c) 0, No. 7, 2389 (2003).
33. A. E. Belyaev, C. T. Foxon, S. V. Novikov, O. Makarovsky, L. Eaves, M. J. Kappers, and C. J. Humphreys, Appl. Phys. Lett. 83, 3626 (2003).
34. A. Kikuchi, R. Banai, K. Kishino,C.-M-Lee, and J.-I. Chyl, Appl. Phys. Lett. 83, 3628 (2003).
35. www.nextnano.de.
36. S. Birner, S. Hackenbuchner, J. A. Majewski, D. Mamaluy, M. Sabathil, and G. Zandler, Annual Report 2001, Walter Schottky Institute, TU Munich, 2002.
37. I. P. Smorchkova, S. Keller, S. Heikman, C. R. Elsass, B. Heying, P. Fini, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett., 77, 3998 (2000)
38. M. Singh, J. Singh, and U. Mishra, J. Appl. Phys. 91, 2989 (2002).
39. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, S. Richter, S. N. G. Chu, A. M. Sergent, R. N. Kleiman, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 78, 1685 (2001).
40. E. J. Miller, E. T. Yu, P. Waltereit, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 84, 535 (2004).
41. Y. Huang, X. D. Chen, S. Fung, C. D. Beling, and C. C. Ling, J. Appl. Phys. 94, 5771 (2003).
42. W. Thang and B. K. Meyer, phys. stat. sol. (c) 0, No. 6, 1571 (2003).
43. M. J. Manfra, N. G. Weimann, J. W. P. Hsu, L. N. Pfeiffer, K. W. West, and S. N. G. Chu, Appl. Phys. Lett. 81, 1456 (2002).
44. Kulandaivel Jeganathan, Xu-Qiang Shen, Toshihide Ide, Mitsuaki Shimizu, and Hajime Okumura, Jpn. J. Appl. Phys. 41, 4454 (2002).
45. H. M. Wang, J. P. Zhang, C. Q. Chen, Q. Fareed, J. W. Yang, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 81, 604 (2002).
46. J. R. Gong, C. W. Huang, S. F. Tseng, T. Y. Lin, K. M. Lin, W. T. Liao, Y. L. Tsai, B. H. Shi, and C. L. Wang, J. Cryst. Growth 260, 73 (2004).
47. Specifications provided by LUMILOG S.A.
48. N. Gogneau, G. Jalabert, E. Monroy, E. Sarigiannidou, J.-L. Rouvière, T. Shibata, M. Tanaka, J.-M. Gérard, and B. Daudin, J. Appl. Phys. 2004, in press.
49. B. Heying, I. Smorchkova, C. Poblenz, C. Elsass, P. Fini, S. Den Baars, U. Mishra, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 77, 2885 (2000).
50. C. Adelmann, J. Brault, G. Mula, B. Daudin, L. Lymperakis, and J. Neugebauer, Phys. Rev. B 67, 165419 (2003).
51. J. Neugebauer, T. K. Zywietz, M. Scheffler, J. E. Northrup, H. Chen, and R. M. Feenstra, Phys. Rev. Lett. 90, 056101 (2003).
52. T. Nakamura, S. Mochizuki, S. Terao, T. Sano, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, and I. Akasaki, J. Cryst. Growth 237-239, 1129 (2002).
53. E. Sarigiannidou, E. Monroy, G. Radtke, P. Bayle-Guillemaud, N. Gogneu, B. Daudin, and J. L. Rouvière, unpublished.