Inhomogeneous spatial distribution of reverse bias leakage in GaN Schottky diodes

Applied Physics Letters

Volumn 78, Issue 12, 2001, Pages 1685-1687

  Hsu, J W P ^a   Manfra, M J ^a   Lang, D V ^a   Richter, S ^a   Chu, S N G ^a   Sergent, A M ^a   Kleiman, R N ^a   Pfeiffer, L N ^a   Molnar, R J ^b  

^a LUCENT TECHNOLOGIES   (United States)

^b MIT LINCOLN LABORATORY   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035911397     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1356450     Document Type: Article

References (20)

1. E. J. Miller, X. Z. Dang, and E. T. Yu, J. Appl. Phys. 88, 5951 (2000).
2. F. Zhang, D. C. Reynolds, and D. C. Look. J. Electron. Mater. 29, 448 (2000); D. V. Kuksenkov, H. Temkin, A. Osinsky, R. Gaska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1365 (1998); J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 83, 6148 (1998).
3. F. Zhang, D. C. Reynolds, and D. C. Look. J. Electron. Mater. 29, 448 (2000); D. V. Kuksenkov, H. Temkin, A. Osinsky, R. Gaska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1365 (1998); J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 83, 6148 (1998).
4. F. Zhang, D. C. Reynolds, and D. C. Look. J. Electron. Mater. 29, 448 (2000); D. V. Kuksenkov, H. Temkin, A. Osinsky, R. Gaska, and M. A. Khan, Appl. Phys. Lett. 72, 1365 (1998); J. C. Carrano, T. Li, P. A. Grudowski, C. J. Eiting, R. D. Dupuis, and J. C. Campbell, J. Appl. Phys. 83, 6148 (1998).
5. P. Kozodoy, J. P. Ibbetson, H. Marchand, P. T. Fini, S. Keller, J. S. Speck, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 73, 975 (1998).
6. M. J. Manfra, L. N. Pfeiffer, K. West, H. L. Stormer, K. W. Baldwin, J. W. P. Hsu, D. V. Lang, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2888 (2000).
7. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), Chap. 5.
8. U. Karrer, O. Ambacher, and M. Stulzmann, Appl. Phys. Lett. 77, 2012 (2000); H. C. Casey, J. Muth, S. Krishnankutty, and J. M. Zavada, ibid. 68, 2867 (1996).
9. U. Karrer, O. Ambacher, and M. Stulzmann, Appl. Phys. Lett. 77, 2012 (2000); H. C. Casey, J. Muth, S. Krishnankutty, and J. M. Zavada, ibid. 68, 2867 (1996).
10. C. Shafai, D. J. Thomson, M. Simard-Normandin, G. Mattiussi, and P. J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. 64, 342 (1994); S. Richter, M. Geva, J. P. Garno, and R. N. Kleiman, ibid. 77, 456 (2000).
11. C. Shafai, D. J. Thomson, M. Simard-Normandin, G. Mattiussi, and P. J. Scanlon, Appl. Phys. Lett. 64, 342 (1994); S. Richter, M. Geva, J. P. Garno, and R. N. Kleiman, ibid. 77, 456 (2000).
12. J. W. P. Hsu, D. V. Lang, S. Richter, R. N. Kleinman, A. M. Sergent, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 77, 2873 (2000).
13. Conducting diamond tips, NANOSENSOR GmbH.
14. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, D. V. Lang, K. W. Balwin, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, J. Electron. Mater. (in press).
15. B. Heying, E. J. Tarsa, C. R. Elsass, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 85, 6470 (1999).
16. J. W. P. Hsu, D. V. Lang, M. J. Manfra, A. M. Sergent, S. Richter, S. N. G. Chu, and L. N. Pfeiffer (unpublished).
17. T. Hino, S. Tomiya, T. Miyajima, K. Yanashima, S. Hashimoto, and M. Ikeda, Appl. Phys. Lett. 76, 3421 (2000).
18. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett. 74, 2367 (1999).
19. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998); K. Leung, A. F. Wright, and E. B. Stechel, ibid. 74, 2495 (1999).
20. A. F. Wright and U. Grossner, Appl. Phys. Lett. 73, 2751 (1998); K. Leung, A. F. Wright, and E. B. Stechel, ibid. 74, 2495 (1999).