Effects of atomic hydrogen on the selective area growth of Si and Si 1-xGe x thin films on Si and SiO 2 surfaces: Inhibition, nucleation, and growth

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 22, Issue 3, 2004, Pages 578-593

  Schroeder, T W ^a   Lam, A M ^a   Ma, P F ^a   Engstrom, J R ^a  

^a Department of Obstetrics Gynecology   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ADATOMS; INCUBATION TIME; SELECTIVE EPITAXIAL GROWTH (SEG);

CMOS INTEGRATED CIRCUITS; COALESCENCE; DEPOSITION; EPITAXIAL GROWTH; ETCHING; FILM GROWTH; HYDROGEN; KINETIC ENERGY; MOLECULAR BEAMS; MORPHOLOGY; NUCLEATION; POLYCRYSTALLINE MATERIALS; SILICA; SINGLE CRYSTALS;

THIN FILMS;

EID: 3142630283     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1699336     Document Type: Article

References (58)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2001 Ed., Semiconductor Industry Association, 2001.
2. H. J. Huang, K. M. Chen, C. Y. Chang, L. P. Chen, G. W. Huang, and T. Y. Huang, IEEE Electron Device Lett. 21, 448 (2000).
3. O. W. Neudeck, S. W. Pae, J. P. Denton, and T. Su, J. Vac. Sci. Technol. B 17, 994 (1999).
4. E. S. Kim, N. Usami, and Y. Shiraki, Semicond. Sci. Technol. 14, 257 (1999).
5. R. Soman, A. Reisman, D. Temple, and R. Alberti, J. Electrochem. Soc. 147, 1847 (2000).
6. P. A. O'Neil, M. C. Ozturk, A. D. Batchelor, M. M. Xu, and D. M. Mäher, J. Electrochem. Soc. 146, 2337 (1999).
7. K. E. Violette, P. A. Oneil, M. C. Ozturk, K. Christensen, and D. M. Maher, Appl. Phys. Lett. 68, 66 (1996).
8. Q. S. Wang, A. Reisman, and D. Temple, J. Electrochem. Soc. 141, 593 (1994).
9. Q. S. Wang, A. Reisman, D, Temple, and R. Alberti, J. Electrochem. Soc. 142, 2438 (1995).
10. W. A. P. Claassen and J. Bloem, J. Electrochem. Soc. 128, 1353 (1981).
11. O. N. Parsons, Appl. Phys. Lett. 59, 2546 (1991).
12. Y. J. Zheng, J. R. Engstrom, J. Zhang, A. Schellinger, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 470, 131 (2000).
13. J. Abrefah and D. R. Olander, Surf. Sci. 209, 291 (1989).
14. S. M. Gates, R. R. Kunz, and C. M. Greenlief, Surf. Sci. 207, 364 (1989).
15. Y. J. Zheng, P. F. Ma, and J. R. Engstrom, J. Appl. Phys. 90, 3614 (2001).
16. H. N. Wanka and M. B. Schubert, J. Phys. D 30, L28 (1997).
17. W. A. P. Claassen and J. Bloem, J. Electrochem. Soc. 127, 1836 (1980).
18. W. A. P. Claassen and J, Bloem, J. Electrochem. Soc. 127, 194 (1980).
19. F. Hottier and R. Cadoret, J. Cryst. Growth 56, 304 (1982).
20. Y. Z. Hu, D. J. Diehl, Q. Liu, C. Y. Zhao, and E. A. Irene, Appl. Phys. Lett. 66, 700 (1995).
21. K. E. Violette, M. K. Sanganeria, M. C. Ozturk, G, Harris, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc. 141, 3269 (1994).
22. J. Bloem, J. Cryst. Growth 50, 581 (1980).
23. Y. Z. Hu, C. Y. Zhao, C. Basa, W. X. Gao, and E. A. Irene, Appl. Phys. Lett. 69, 485 (1996).
24. D. W. Foster, A. J. Learn, and T. I. Kamins, J. Vac. Sci. Technol. B 4, 1182 (1986).
25. D. J. Robbins and I. M. Young, Appl. Phys. Lett, 50, 1575 (1987).
26. W. L. M. Weerts, M. H. J. M. de Croon, and G. B. Marin, J. Electrochem. Soc. 145, 1318 (1998).
27. F. Hottier and R. Cadoret, J. Cryst. Growth 52, 199 (1981).
28. J. Holleman and J. F. Verweij, J, Electrochem. Soc. 140, 2089 (1993).
29. T. Tatsumi, K, Aketagawa, M. Hiroi, and J. Sakai, J. Cryst. Growth 120, 275 (1992).
30. C. Basa, Y. Z. Hu, and E. A. Irene, Thin Solid Films 313, 424 (1998).
31. M. Karo, T. Sato, J. Murota, and N. Mikoshiba, J. Cryst, Growth 99, 240 (1990).
32. C. Basa, M. Tinani, and E. A. Irene, J. Vac. Sci. Technol, A 16, 2466 (1998).
33. K. E. Violette, M. C. Ozturk, K. N. Christensen, and D. M. Maher, J. Electrochem. Soc. 143, 649 (1996).
34. P. A. Oneil, M. C. Ozturk; K. E. Violette, D. Batchelor, K. Christensen, and D. M. Maher, J. Electrochem, Soc. 144, 3309 (1997).
35. K. Sasaki and T. Takada, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 37, 402 (1998).
36. H. C. Lin, C. Y. Chang, W. H. Chen, W. C. Tsai, T. C. Chang, T. G. Jung, and H. Y. Lin, J. Electrochem. Soc. 141, 2559 (1994).
37. V. Z. Q. Li, M. R. Mirabedini, R. T. Kuehn, J. J. Wortman, M. C. Ozturk, D. Batchelor, K. Christensen, and D. M. Maher, Appl. Phys, Lett. 71, 3388 (1997).
38. J. W. Kim, M. K. Ryu, K. B. Kim, and S. J. Kim, J. Electrochem. Soc. 143, 363 (1996).
39. V. Z. Q, Li et al. J. Appl. Phys. 83, 5469 (1998).
40. S. E. Roadman, N, Maity, J. N. Carter, and J. R. Engstrom, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3423 (1998).
41. L. Q. Xia, M. E. Jones, N. Maity, and J. R. Engstrom, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2651 (1995).
42. M. Ohring, The Materials Science of Thin Films (Academic, Boston, 1992).
43. M. E. Jones, S. E. Roadman, A. M. Lam, G. Eres, and J. R. Engstrom, J. Chem. Phys. 105, 7140 (1996).
44. H. Kim, G. Glass, S. Y. Park, T. Spila, N. Taylor, J. R. Abelson, and J. E. Greene, Appl. Phys. Lett. 69, 3869 (1996).
45. S. K. Jo, B. Gong, G. Hess, J. M. White, and J. G. Ekerdt, Surf. Sci. 394, L162 (1997).
46. G. S. Oehrlein, G. M. W. Kroesen, E. Defresart, Y. Zhang, and T. D. Bestwick, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 768 (1991).
47. A. M. Lam, Y. J. Zheng, and J. R. Engstrom, Chem. Phys. Lett. 292, 229 (1998).
48. X. R. Qin and P. R. Norton, Phys. Rev. B 53, 11100 (1996).
49. T. W. Schroeder, P. F. Ma, A. M. Lam, Y. J. Zheng, and J. R. Engstrom, Appl. Phys. Lett. 79, 2181 (2001).
50. A. M. Lam, Y. J. Zheng, and J. R. Engstrom, Appl. Phys. Lett. 73, 2027 (1998).
51. G. G. Jernigan, P. E. Thompson, and C. L. Silvestre, Surf. Sci. 380, 417 (1997).
52. A. M. Lam, Y. J. Zheng, and J. R. Engstrom, Surf. Sci. 393, 205 (1997).
53. F. M. Ross, R. M. Tromp, and M. C. Reuter, Science 286, 1931 (1999).
54. J. R. Engstrom, D. J. Bonser, M. M. Nelson, and T. Engel, Surf. Sci. 256, 317 (1991).
55. J. A. Venables, G. D. T. Spiller, and M. Hanbucken, Rep. Prog. Phys. 47, 399 (1984).
56. P. F. Ma, T. W. Schroeder, and J. R. Engstrom, Appl. Phys. Lett. 80, 2604 (2002).
57. T. W. Schroeder and J. R. Engstrom (unpublished).
58. L. Q. Xia and J. R. Engstrom, J. Chem. Phys. 101, 5329 (1994).