Etching by atomic hydrogen of Ge overlayers on Si(100)

Journal of Applied Physics

Volumn 90, Issue 7, 2001, Pages 3614-3622

  Zheng, Y J ^a   Ma, P F ^a   Engstrom, J R ^a  

^a School of Operations Research and Industrial Engineering   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0035477638     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1394898     Document Type: Article

References (28)

1. M. R. Goulding, Mater. Sci. Eng., B 17, 47 (1993).
2. G. N. Parsons, IEEE Electron Device Lett. 13, 80 (1992).
3. J. Abrefah and D. R. Olander, Surf. Sci. 209, 291 (1989).
4. A. M. Lam, Y. J. Zheng, and J. R. Engstrom, Surf. Sci. 393, 205 (1997).
5. A. M. Lam, Y.-J. Zheng, and J. R. Engstrom, Chem. Phys. Lett. 292, 229 (1998).
6. A. M. Lam, Y.-J. Zheng, and J. R. Engstrom, Appl. Phys. Lett. 73, 2027 (1998).
7. Y. Kobayashi, K. Sumitomo, K. Shiraishi, T. Urisu, and T. Ogino, Surf. Sci. 436, 9 (1999).
8. J. J. Harris, D. E. Ashenford, C. T. Foxon, P. J. Dobson, and B. A. Joyce, Appl. Phys. A: Solids Surf. 33, 87 (1984).
9. S. Fukatsu, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 59, 2103 (1991).
10. E. Rudkevich, F. Liu, D. E. Savage, T. F. Kuech, L. McCaughan, and M. G. Lagally, Phys. Rev. Lett. 81, 3467 (1998).
11. L.-Q. Xia, M. E. Jones, N. Maity, and J. R. Engstrom, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2651 (1995).
12. A. M. Lam, Ph.D. thesis, Cornell University, 2000.
13. Y.-J. Zheng, A. M. Lam, and J. R. Engstrom, Appl. Phys. Lett. 75, 817 (1999).
14. C. M. Chiang, S. M. Gates, S. S. Lee, M. Kong, and S. F. Bent. J. Phys. Chem. B 101, 9537 (1997).
15. J. A. Glass, Jr., E. A. Wovchko, and J. T. Yates, Jr., Surf. Sci. 348, 325 (1996).
16. Y.-J. Zheng, J. R. Engstrom, J. Zhang, A. Schellinger, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 470, 131 (2000).
17. J. W. Sharp and G. Eres, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2463 (1993).
18. M. C. Flowers, N. B. H. Jonathan, Y. Liu, and A. Morris, J. Chem. Phys. 99, 7038 (1993).
19. M. L. Wise, B. G. Koehler, P. Gupta, P. A. Coon, and S. M. George, Surf. Sci. 258, 166 (1991).
20. M. C. Flowers, N. B. H. Jonathan, A. Morris, and S. Wright, Surf. Sci. 396, 227 (1998).
21. S. M. Cohen, Y. L. Yang, E. Rouchouze, T. Jin, and M. P. D'Evelyn, J. Vac. Sci. Technol. A 10, 2166 (1992).
22. S. M. Cohen, T. I. Hukka, Y. L. Yang, and M. P. D'Evelyn, Thin Solid Films 225, 155 (1993).
23. L. Papagno, X. Y. Shen, J. Anderson, G. S. Spagnolo, and G. J. Lapeyre, Phys. Rev. B 34, 7188 (1986).
24. P. Gupta, V. L. Colvin, and S. M. George, Phys. Rev. B 37, 8234 (1988).
25. R. Walsh, Acc. Chem. Res. 14, 246 (1981).
26. P. N. Noble and R. Walsh, Int. J. Chem. Kinet. 15, 547 (1983).
27. K. D. Dobbs and D. J. Doren, J. Am. Chem. Soc. 115, 3731 (1993).
28. S. M. Gates, R. R. Kuntz, and C. M. Greenlief, Surf. Sci. 207, 364 (1989).