Direct in situ characterization of Ge surface segregation in strained Si1-xGex epitaxial thin films

Applied Physics Letters

Volumn 73, Issue 14, 1998, Pages 2027-2029

  Lam, A M ^a   Zheng, Y J ^a   Engstrom, J R ^a  

^a Cornell University   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000680718     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.122357     Document Type: Article

References (17)

1. B. S. Meyerson, Proc. IEEE 80, 1592 (1992).
2. S. S. Iyer, J. C. Tsang, M. W. Copel, P. R. Pukite, and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 54, 219 (1989).
3. D. E. Jesson and S. J. Pennycook, Phys. Rev. Lett. 66, 750 (1991).
4. P. C. Kelires and J. Tersoff, Phys. Rev. Lett. 63, 1164 (1989).
5. D. J. Godbey and M. G. Ancona, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1392 (1993).
6. S. Fukatsu, K. Fujita, H. Yaguchi, Y. Shiraki, and R. Ito, Appl. Phys. Lett. 59, 2103 (1991).
7. J. J. Harris, D. E. Ashenford, C. T. Foxon, P. J. Dobson, and B. A. Joyce, Appl. Phys. A: Solids Surf. 33, 87 (1984).
8. Z. H. Lu, J.-M. Baribeau, and D. J. Lockwood, J. Appl. Phys. 76, 3911 (1994).
9. G. G. Jernigan, P. E. Thompson, and C. L. Silvestre, Surf. Sci. 380, 417 (1997).
10. A. M. Lam, Y.-J. Zheng, and J. R. Engstrom, Chem. Phys. Lett. 292, 229 (1998).
11. L.-Q. Xia, M. E. Jones, N. Maity, and J. R. Engstrom, J. Vac. Sci. Technol. A 13, 2651 (1995).
12. D. A. King and M. G. Wells, Surf. Sci. 29, 454 (1971).
13. R. People and J. C. Bean, Appl. Phys. Lett. 47, 322 (1985).
14. A. M. Lam, Y.-J. Zheng, and J. R. Engstrom, Surf. Sci. 393, 205 (1997).
15. M. Copel and R. M. Tromp, Appl. Phys. Lett. 58, 2648 (1991).
16. N. Ohtani, S. M. Mokler, M. H. Xie, J. Zhang, and B. A. Joyce, Surf. Sci. 284, 305 (1993).
17. H. Kim, N. Taylor, J. R. Abelson, and J. E. Greene, J. Appl. Phys. 82, 6062 (1997).