Electrical characteristics of GaN implanted with Si + at elevated temperatures

Applied Physics Letters

Volumn 86, Issue 11, 2005, Pages 1-3

  Irokawa, Y ^a   Fujishima, O ^a   Kachi, T ^a   Pearton, S J ^b   Ren, F ^b  

^a Rd Management Section   (Japan)

^b University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DOPANTS; ELECTRICAL CHARACTERISTICS; ELEVATED TEMPERATURES; ION ENERGIES;

ANNEALING; APPROXIMATION THEORY; CARRIER CONCENTRATION; CONCENTRATION (PROCESS); DOPING (ADDITIVES); FIELD EFFECT TRANSISTORS; POSITIVE IONS; SILICON; TEMPERATURE MEASUREMENT; THERMODYNAMIC STABILITY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 17944367050     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1884744     Document Type: Article

References (42)

1. S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).
2. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996).
3. J. C. Zolper, R. J. Shul, A. G. Baca, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996).
4. H. P. Maruska, M. Lioubtchenko, T. G. Tetreault, M. Osinski, S. J. Pearton, M. Schurman, R. Vando, S. Sakai, Q. Chen, and R. J. Shul, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 483, 345 (1998).
5. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, J. C. Zolper, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 72, 1190 (1998).
6. J. C. Zolper, J. Han, R. M. Biefeld, S. B. Van Deusen, W. R. Wampler, D. J. Reiger, S. J. Pearton, J. S. Williams, H. H. Tan, and R. Stall, J. Electron. Mater. 27, 179 (1998).
7. C. Ronning, E. P. Carlson, and R. F. Davis, Phys. Rep. 351, 349 (2001).
8. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, and S. J. Pearton, Mater. Sci. Eng., R. 33, 51 (2001).
9. J. K. Sheu, M. L. Lee, L. S. Yeh, C. J. Kao, C. J. Tan, M. G. Chen, G. C. Chi, S. J. Chang, Y. K. Su, and C. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 81, 4263 (2002).
10. M. L. Lee, J. K. Sheu, L. S. Yeh, M. S. Tsai, C. J. Kao, C. J. Tun, S. J. Chang, and G. C. Chi, Solid-State Electron. 46, 2179 (2002).
11. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 373 (2002); 80, 4555 (2002).
12. J. Kim, R. Mehandru, B. Luo, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, and Y. Irokawa, Appl. Phys. Lett. 81, 373 (2002); 80, 4555 (2002).
13. Y. Irokawa, Y. Nakano, M. Ishiko, T. Kachi, J. Kim, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, C.-C. Pan, G.-T. Chen, and J.-I. Chyi, Appl. Phys. Lett. 84, 2919 (2004).
14. E. Wendler, A. Kamarou, E. Alves, K. Gärtner, and W. Wesch, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 206, 1028 (2003).
15. C. Liu, B. Mensching, M. Zeitler, K. Volz, and B. Rauschenbach, Phys. Rev. B 57, 2530 (1998).
16. A. Wenzel, C. Liu, and B. Rauschenbach, Mater. Sci. Eng., B 59, 191 (1999).
17. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, and G. Li, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 175, 214 (2001).
18. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, and G. Li, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 178, 209 (2001).
19. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, G. Li, C. Jagadish, and A. I. Titov, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 190, 782 (2002).
20. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 2364 (1996).
21. H. Kobayashi and W. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 73, 1406 (1998).
22. C. Ronning, E. P. Carlson, D. B. Thomson, and R. F. Davis, Appl. Phys. Lett. 73, 1622 (1998).
23. C. J. Eiting, P. A. Grudowski, R. D. Dupuis, H. Hsia, Z. Tang, D. Becher, H. Kuo, G. E. Stillman, and M. Feng, Appl. Phys. Lett. 73, 3875 (1998).
24. C. Ronning, M. Dalmer, M. Uhrmacher, M. Restle, U. Vetter, L. Ziegeler, H. Hofsäss, T. Gehrke, K. Järrendahl, and R. F. Davis, J. Appl. Phys. 87, 2149 (2000).
25. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, G. Li, and S. J. Pearton, Appl. Phys. Lett. 76, 3899 (2000).
26. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, and G. Li, J. Appl. Phys. 88, 5493 (2000).
27. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, and G. Li, Phys. Rev. B 62, 7510 (2000).
28. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, J. Zou, V. S. J. Craig, and G. Li, Appl. Phys. Lett. 77, 1455 (2000).
29. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, and G. Li, Appl. Phys. Lett. 78, 1373 (2001).
30. C. Liu, E. Alves, A. D. Sequeira, N. Franco, M. F. da Silva, and J. C. Soares, J. Appl. Phys. 90, 81 (2001).
31. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, A. I. Titov, G. Li, and C. Jagadish, Appl. Phys. Lett. 78, 2694 (2001).
32. James A. Fellows, Y. K. Yeo, R. L. Hengehold, and D. K. Johnstone, Appl. Phys. Lett. 80, 1930 (2002).
33. K. Lorenz, F. Ruske, and R. Vianden, Appl. Phys. Lett. 80, 4531 (2002).
34. Y. Nakano and T. Jimbo, J. Appl. Phys. 92, 3815 (2002).
35. M. Katsikini, F. Pinakidou, E. C. Paloura, and W. Wesch, Appl. Phys. Lett. 82, 1556 (2003).
36. Y. G. Wang, J. Zou, S. O. Kucheyev, J. S. Williams, C. Jagadish, and G. Li, Electrochem. Solid-State Lett. 6, G34 (2003).
37. N. Parikh, A. Suvkhanov, M. Lioubtchenko, E. Carlson, M. Bremser, D. Bray, R. Davis, and J. Hunn, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127/128, 463 (1997).
38. A. Suvkhanov, J. Hunn, W. Wu, D. Thomson, K. Price, N. Parikh, E. Irene, R. F. Davis, and L. Krasnobaev, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 512, 475 (1998).
39. S. O. Kucheyev, J. S. Williams, J. Zou, C. Jagadish, and G. Li, Appl. Phys. Lett. 77, 3577 (2000).
40. X. A. Cao, C. R. Abernathy, R. K. Singh, S. J. Pearton, M. Fu, V. Sarvepalli, J. A. Sekhar, J. C. Zolper, D. J. Rieger, J. Han, T. J. Drummond, R. A. Stall, and R. G. Wilson, Appl. Phys. Lett. 73, 229 (1998).
41. See, for example, Identification of Defects in Semiconductors, edited by M. Stavola (Academic, San Diego, 1998).
42. M. Capano, S. Ryu, J. A. Cooper, Jr., M. R. Melloch, K. Rottner, S. Karlsson, N. Nordell, A. Powell, and D. E. Walker, Jr., J. Electron. Mater. 28, 214 (1999).