Damage to epitaxial GaN layers by silicon implantation

Applied Physics Letters

Volumn 69, Issue 16, 1996, Pages 2364-2366

  Tan, H H ^a   Williams, J S ^a   Zou, J ^b   Cockayne, D J H ^b   Pearton, S J ^c   Stall, R A ^d  

^a AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY   (Australia)

^b UNIVERSITY OF SYDNEY   (Australia)

^c University of Florida   (United States)

^d EMCORE CORPORATION   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0006016142     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.117526     Document Type: Article

References (15)

1. H. Morkçc, S. Strite, G. B. Gao, and M. E. Lin, J. Appl. Phys. 76, 1363 (1994).
2. S. Nakamura, M. Senoh, and T. Mukai, Appl. Phys. Lett. 62, 2390 (1993).
3. M. A. Khan, A. Bhattari, J. N. Kuznia, and D. T. Olson, Appl. Phys. Lett. 63, 1214 (1993).
4. S. J. Pearton, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).
5. J. C. Zolper, M. Hagerott Crawford, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, C. Yuan, and R. A. Stall, J. Electron. Mater. 25, 839 (1996).
6. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, and L. B. Rowland, J. Appl. Phys. 78, 3008 (1995).
7. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, and C. Yuan, Proceedings of the Symposium on Wide Bandgap Semiconductors (The Electrochemical Society, Pennington, NJ, 1996), Vol. 96-42.
8. J. C. Zolper, M. Hagerott Crawford, A. J. Howard, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, C. B. Vartuli, C. Yuan, R. A. Stall, J. Ramer, and S. D. Hersee, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (n press).
9. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996).
10. J. S. Williams, H. H. Tan, S. J. Pearton, and C. Yuan, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. (in press).
11. C. Yuan, T. Salagaj, A. Gurary, P. Zawadzki, C. S. Chern, W. Kroll, R. A. Stall, Y. Li, M. Shurman, C.-Y. Hwang, W. E. Mayo, Y. Lu, S. J. Pearton, S. Krishnankutty, and R. M. Kolbas, J. Electrochem. Soc. 142, L163 (1995).
12. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, and C. Yuan (unpublished).
13. I. Jencic, M. W. Bench, and I. M. Robertson, J. Appl. Phys. 69, 1287 (1995).
14. A. G. Cullis, A. Polman, P. W. Smith, D. C. Jacobson, J. M. Poate, and C. R. Whitehouse, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 62, 463 (1992).
15. H. H. Tan, C. Jagadish, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, and A. Sikorski, J. Appl. Phys. 77, 87 (1995).