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Volumn 73, Issue 2, 1998, Pages 229-231

Ultrahigh Si+ implant activation efficiency in GaN using a high-temperature rapid thermal process system

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EID: 0003175402     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.121764     Document Type: Article
Times cited : (75)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.