Ion implantation in GaN at liquid-nitrogen temperature: Structural characteristics and amorphization

Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

Volumn 57, Issue 4, 1998, Pages 2530-2535

  Liu, C ^a   Mensching, B ^a   Zeitler, M ^a   Volz, K ^a   Rauschenbach, B ^a  

^a UNIVERSITY OF AUGSBURG   (Germany)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 0000677643     PISSN: 10980121     EISSN: 1550235X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevB.57.2530     Document Type: Article

References (27)

1. M. Rubin, N. Newman, J. S. Chan, T. C. Fu, and J. T. Ross, Appl. Phys. Lett. 64, 64 (1994).
2. J. C. Zolper, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 1945 (1996).
3. S. J. Pearton, C. B. Vartuli, J. C. Zolper, C. Yuan, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 67, 1435 (1995).
4. S. C. Binari, H. B. Dietrich, G. Kelner, L. B. Rowland, K. Doverspike, and D. K. Wickenden, J. Appl. Phys. 78, 3008 (1995).
5. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, and J. C. Zolper, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 2293 (1995).
6. J. C. Zolper, R. J. Shul, A. G. Baca, R. G. Wilson, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 68, 2273 (1996).
7. H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, and R. A. Stall, Appl. Phys. Lett. 69, 2364 (1996).
8. N. Parikh, A. Suvkhanov, M. Lioubtchenko, E. Carlson, M. Bremser, D. Bray, R. Davis, and J. Hunn, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 127/128, 463 (1997).
9. S. Strite, P. W. Epperlein, A. Dommann, A. Rockett, and R. F. Broom, in Gallium Nitride and Related Materials, edited by R. D. Dupuis, J. A. Edmond, F. A. Ponce, and S. Nakamura, MRS Symposia Proceedings Vol. 395 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1996), p. 795.
10. J. C. Zolper, H. H. Tan, J. S. Williams, J. Zou, D. J. H. Cockayne, S. J. Pearton, M. H. Crawford, and R. F. Karlicek, Jr., Appl. Phys. Lett. 70, 2729 (1997).
11. S. Strite, Jpn. J. Appl. Phys. 33, L699 (1994).
12. B. L. Crowder and F. F. Morehead, Appl. Phys. Lett. 14, 313 (1969).
13. B. L. Crowder, J. Electrochem. Soc. 117, 671 (1970).
14. L. A. Christel, J. F. Gibbons, and T. W. Sigmon, J. Appl. Phys. 52, 7143 (1981).
15. R. Groh, G. Gerey, L. Bartha, and J. I. Pankove, Phys. Status Solidi A 26, 353 (1974).
16. J. Karpinski, J. Jun, and S. Porowski, J. Cryst. Growth 66, 1 (1984).
17. N. Newman, J. T. Ross, and M. D. Rubin, Appl. Phys. Lett. 62, 1242 (1993).
18. C. B. Vartuli, S. J. Pearton, C. R. Abernathy, J. D. MacKenzie, E. S. Lambers, and J. C. Zolper, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3523 (1996).
19. H. Riechert, R. Averbeck, A. Graber, M. Schienle, U. Strauß, and H. Tews, in III-V Nitride, edited by F. A. Ponce, T. D. Moustakas, I. Akasaki, and B. A. Monemar, MRS Symposia Proceedings Vol. 449 (Materials Research Society, Pittsburgh, 1997), p. 149.
20. L. C. Feldman, J. W. Mayer, and S. T. Picraux, Materials Analysis by Ion Channeling (Academic, New York, 1992), p. 117.
21. J. P. Biersack and L. G. Haggmark, Nucl. Instrum. Methods 174, 257 (1980).
22. W. Eckstein, Computer Simulation of Ion Solid Interactions (Springer, New York, 1991).
23. T. D. Moustakas, T. Lei, and R. J. Molnar, Physica B 185, 36 (1993).
24. C. Liu, B. Mensching, K. Volz, and B. Rauschenbach, Appl. Phys. Lett. 71, 2313 (1997).
25. C. Liu, B. Mensching, and B. Rauschenbach (unpublished).
26. F. F. Morehead, Jr. and B. L. Crowder, Radiat. Eff. 6, 27 (1970).
27. J. F. Gibbons, Proc. IEEE 60, 1062 (1972).